硅外延技术。

目前国内进行碳化硅单晶研制单位有中科院物理所中科院上海硅酸盐研究所山东大学信息产业部所等，进行碳化硅外延生长单位有中科院半导体所中国科技大学以及西安电子科政府与西屋西子公司合作，投资万美元开了英寸纯度均匀低缺陷单晶和外延材料。

另外，制造器件工艺如离子注入氧化欧姆接触和肖特基接触以及反应离子刻蚀等工艺取得了重大进展，所以促成了器件和集成电路快速发展。

由于器件优势和实际需求，它已经显示出良好应用前景。

航空航天冶炼以及深井勘探等许多领域中电子系统需要工作在高温环境中，这要求器件和电路能够适应这种需要，而各类器件都显示良好温度性能。

具有较大禁带宽度，使得基于这种材料制成器件和电路可以满足在到条件下工作需要，目前有些研究水平已经达到工作温度，并正在研究更高工作温度器件和集成电路。

二我国半导体材料现状中国半导体材料行业经过四十多年发展已取得相当大进展，先后研制和生产了英寸英寸英寸英寸和英寸硅片。

随着半导体分立元件和硅光电池用低档和廉价硅材料需求增加，中国单晶硅产量逐年增加。

据统计，年我国半导体硅材料销售额达亿元，年均增长。

单晶硅产量为，抛光片产量万平方英寸，主要规格为英寸，英寸正片已供应集成电路企业，英寸主要用作陪片。

单晶硅出口比重大，出口额为万美元，占总销售额，较年增长了。

目前，国外英寸生产线正向我国战略性移动，我国新建和在建英寸生产线有近条之多，对大直径高质量硅晶片需求十分强劲，而国内供给明显不足，基本依赖进口，中国硅晶片技术差距和结构不合理可见斑。

在现有形势和优势面前发展我国硅单晶和技术面临着巨大机遇和挑战。

年国内从事硅单晶材料研究生产企业约有家，从业人员约人，主要研究和生产单位有北京有研硅股杭州海纳半导体材料公司宁波立立电子公司洛阳单晶硅厂万向硅峰电子材料公司上海晶华电子材料公司峨眉半导体材料厂河北宁晋半导体材料公司等。

其中，有研硅股在大直径硅单晶研制方面直居国内领先地位，先后研制出我国第根英寸英寸和英寸硅单晶，单晶硅在国内市场占有率为。

年国内硅单晶产量达吨左右，销售额突破亿元，平均年增长率为，预计年我国硅单晶产量可达吨左右。

中国从上世纪年代初开始研制砷化镓，近年来，随着中科镓英半导体有限公司北京圣科佳电子有限公司相继成，中国化合物半导体产业迈上新台阶，走向更快发展道路。

中科镓英公司成功拉制出中国第根公斤英寸法大直径砷化镓单晶信息产业部所生长出中国第根英寸砷化镓单晶，单晶重，并已连续生长出根英寸砷化镓单晶西安理工大在高压单晶炉上称重单元技术研发方面取得了突破性进展。

中国材料单晶以英寸为主，英寸处在产业化前期，研制水平达英寸。

目前英寸以上晶片及集成电路晶片主要依赖进口。

砷化镓生产主要原材料为砷和镓。

虽然中国是砷和镓资源大国，但仅能生产品位较低砷镓材料以下纯度，主要用于生产光电子器件。

集成电路用砷化镓材料砷和镓原料要求达，基本靠进口解决。

中国国内开展材料和器件方面研究工作比较晚，和国外相比水平还比较低。

国内已经有些单位在开展材料研究工作。

到目前为止，英寸英寸碳化硅衬底及外延材料已经商品化。

目前研究重点主要是英寸碳化硅衬底制备技术以及大面积低位错密度碳化硅外延技术。

目前国内进行碳化硅单晶研制单位有中科院物理所中科院上海硅酸盐研究所山东大学信息产业部所等，进行碳化硅外延生长单位有中科院半导体所中国科技大学以及西安电子科大。

西安电子科技大学微电子研究所已经外延生长了，目前正在进步测试证明材料晶格结构情况。

另外，还对材料性质和载流子输运进行了理论和实验研究，器件研究工作也取得了可喜进展。

二项目建设背景电子信息材料总体发展趋势是向着大尺寸高均匀性高完整性以及薄膜化多功能化和集成化方向发展。

当前研究热点和技术前沿包括柔性晶体管光子晶体等宽禁带半导体材料为代表第三代半导体材料有机显示材料以及各种纳米电子材料等。

随着电子学向光电子学光子学迈进，微电子材料在未来年仍是最基本信息材料。

电子光电子功能单晶将向着大尺寸高均匀性晶格高完整性以及元器件向薄膜化多功能化片式化超高集成度和低能耗方向项目提出背景及建设必要性第节项目提出背景半导体材料现状世界半导体材料现状半导体硅材料半导体硅材料自从年代被广泛应用于各类电子元器件以来，其用量平均大约以每年速度增长。

目前全世界每年