压力将低温液氩卸至贮罐。

液氩为低温贮存，液氩低温贮罐为真空绝热容器。

使用时，利用贮罐压力将液氩送入气化器自然气化，再经减压阀组减压至后，通过氩气总管输送至主机房。

然后分别通过各支管，经二级减压至后，接至各单晶炉。

纯水系统生产中多晶硅料清洗硅片清洗，生产工具器具石英制品清洗等使用纯水。

纯水用量为。

纯水系统分成前处理和后处理两部分，均设置在动力厂房内。

前处理部分首先由纯水原水泵从生产消防合用贮水池取水，加压送至纯水站，经机械过滤活性碳过滤等预处理后，由热交换器换热至，再经过过滤器过滤，进入二级装置，制成纯水，进入初级纯水箱。

水同时作为工艺冷却水和机械冷冻水补充水，浓缩水作为洗涤塔用水。

后处理部分由纯水加压泵从初级纯水箱取水，经杀菌脱气离子交换进入终端纯水箱，最终由纯水输送泵经杀菌热交换器混床超滤送至用户，循环回水再回至终端纯水箱。

工艺排风系统根据生产性质，工艺设备排风分为酸碱性废气排风和般排风，项目工艺设备排风预计为，包括酸碱性废气排风般排风酸碱性废气排风设置酸性废气洗涤塔，并设排气筒高空排放。

单晶炉等使用电能作热源设备需要排出热废气。

酸碱性废气主要是多晶硅料和单晶硅在各类酸和碱中进行化学清洗工艺中产生，以酸性气体为主要成分，主要污染物有等。

电气供电项目用电装设功率生产计划安排，投资金万元，流动资金贷款，贷款利率为，其余由公司自筹。

产品及技术方案本项目主要考虑高性能单晶硅生产工艺，最终产品为单晶硅。

单晶硅用于制造太阳电池片生产用硅片。

技术来源本项目生产技术为公司自有技术。

生产工艺图单晶硅棒生产工艺流程图图单晶硅片生产工艺流程图工艺简介选料清洗测试断头尾拆炉拉晶配料装炉入库硅棒准备圆棒切方硅片清洗烘干硅片脱胶取样线锯切片晶棒粘接滚磨准方棒腐蚀或超声清洗成品测试入库选料将多晶硅头尾料埚底料按类分选。

清洗用氢氟酸硝酸或中性清洗液等除去原料表面杂质。

配料根据拉单晶电阻率要求，按重量比例配置原料。

装炉将配好原料装入炉内抽真空和充氩气。

拉晶加温将原料溶化，按控制程序拉制单晶。

单晶生长当硅熔体温度稳定之后，将籽晶慢慢浸入硅熔体中，然后将籽晶快速向上提升，使长成籽晶直径缩小到定大小，产生零位错晶体，这样，长完细颈之后，降低温度与拉速，使得晶体直径渐渐增长到所要大小。

长完细颈和肩部之后，借着拉速与温度不断调整，可使晶棒直径误差维持在正负之间，这段直径固定部分称为等径部分，单晶硅片取自于等径部分。

等径结束后，必须将晶棒直径慢慢缩小，直到成尖点，而与液面分开，长完晶棒被升至上炉室冷却段时间后取出，即完成了单晶硅棒生长过程。

拆炉待炉温冷却后，将炉内坩埚及余料取出。

断头尾目是切除单晶硅棒头部尾部及超出客户规格部分，并将单晶硅棒分段成切片设备可以处理长度。

测试取样测试氧碳含量及电阻率等。

圆棒切方滚磨将硅圆棒切成准四方型把四角圆弧滚磨光滑。

超声波清洗将方棒清洗干净。

晶棒粘接将准方形单晶硅棒粘接在专用工作台上。

线锯切片将工作台装到多线切片机上，多线切片机进行切片，切片结束后，从多线切片机卸下工作台。

硅片脱胶取样从工作台通过脱胶取下硅片。

硅片清洗甩干清洗硅片并进行甩干。

样片测试测试合格，包装入库。

产品目标市场本项目产品全部内销。

主要设备选型主要设备仪器选择本项目工艺设备选型原则在保证产品质量和生产能力以及研究发展前提下，选择性价比高工艺设备。

主要设备和仪器本项目共需购置工艺及辅助设备仪器台套，共计万。

其中进口设备仪器台套，进口费用万元国产设备仪器台套，费用万元。

详细设备清单如下表单晶硅片进口工艺设备仪器表序号设备名称数量制造厂家及型号单价万元总价万元开方机切片机切片机全自动硅片分选机非接触电阻率测试仪傅立叶红本次之，建设投资对其影响最不明显。

经济分析主要结果经济指标汇总详见下表。

表经济分析主要指标表序号项目名称单位指标备注建设投资万元铺底流动资金万元总投资万元销售收入万元达产年平均销售税金及附加万元达产年平均序号项目名称单位指标备注利润总额万元达产年平均销售利润率达产年平均销售利税率达产年平均投资利润率达产年平均投资利税率达产年平均财务内部收益率达产年平均财务净现值万元投资回收期年借款偿还期年盈亏平衡点综合经济评价经济分析主要结果表明该项目财务内部收益率为，年