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M7130平面磨床液压系统设计(最终版)

实际出发,多动点手去做,把前人的只是经验变成自己的力量。摸着石头过河是我们初学者必须要的精神,只有自己动手了,的会改正,正确的继续发扬,这样才符合毕业设计的要求。老师是我们做毕业设计的最好导航,无论在做设计数据筛选,加工工艺遇上的种种问题我们自己不能解决都需要老师的帮助。老师具备专业的知识和过硬的事迹操作经验,是我们在机械制造业中航行的指明灯,老师不会什么都亲手的帮我们做好,他主要的工作是指引我们,启发我们。授之以鱼不入授之以渔,以老师的话来说亲手帮你做好了次,下次遇到同样的问题,你们还是不会解决,那不是等于没有教,出去外面没有人帮你的忙岂不是不会做了,你们要学会独立思考,提高自己的学习能力。毕业设计毕竟是个较为漫长的过程,其中有苦有乐,每当我们灰心意志消沉时得到老师的鼓励,我们都会信心大增,每当做出的成绩能换来老师个微笑,我们都会感到心满意足,彼此的交流让我们师生的感情更融洽。人们说美好景色在顶峰,人克服困难换来成功的喜悦才是最幸福的事。毕业设计做完了,画上个完美的句号,也尝到成功的味道,但漫漫的人生路还需要继续努力。面对日趋激烈的就业形势,我们相信只要学好知识技术,以种刻苦勤劳的精神对待工作,我们定会活出不平凡的人生。致谢首先,我要特别感谢我的指导老师,他对我毕业设计给予了很多的指导,花费了很多的心血,使我最后圆满完成了毕业设计。在张老师的悉心教导下的这段时间里,他严谨的治学态度,渊博的知识,正直的人格,给我留下了极深的印象,为我今后的工作生活树立了良好的榜样。其次,我还要感谢我的同学,在毕业设计过程给予我很大的帮助,在我不懂的时候,他们总是耐心的给我讲解,同样使我受益匪浅。最后,我要感谢所有帮助过我的人,在这里真诚的说声谢谢参考文献濮良贵,纪名刚机械设计北京高等教育出版社,成大先机械设计手册版卷北京化学工业出版社雷天觉新编液压工程手册北京北京理工大学出版社孙桓,陈作模,葛文杰机械原理北京高等教育出版社第七版明仁雄液压传动与气压传动北京国防工业出版社杜玉湘,陆启建,刘明灯五轴联动数控机床的结构和应用机械制造与自动化,丛凤廷等组合机床设计北京机械工业出版社刘潭玉,黄素华,熊逸珍画法几何及机械制图长沙湖南大学出版社戴曙金属切削机床北京机械工业出版社温松明主编互换性与测量技术基础长沙湖南大学出版社使用和二氧化硅涂料预防小丘形成二氧化硅和薄膜硅片的加工特性采用双涂层系统的可行性进行了研究,目的是消除不良的山丘。最外层的涂层被用来作为牺牲层膜,这反过来又服务模式硅。选择性地去除微加工涂层,和化学蚀刻工艺去除层建立在硅衬底上的模式。这个过程中,可以成功地制备槽的宽度约的模式,在硅片上,没有形成不良的山丘。介绍已制定相关的微机电系统温度的各种技术,在硅基材料制作的微型模式和结构。然而,这些技术,需要大量的设备和成本高,在参与设立制造工厂。此外,它通常是必要的面具,使每个光的过程,增加了全过程的成本和时间。虽然技术,具有批量生产强的优点,它是不适合微型模具和微型系统原型制造所需要的柔性加工。为了实现无成本效益和灵活的加工,使用口罩,许多技术已经开发出来。在化工机械扫描探针光刻的过程以前开发的,薄薄的光阻层选择性去除探针尖端的原子力显微镜的化学蚀刻硅或金属表面上制作微沟槽模式。作为抵抗层,已利用的材料,如二氧化硅和自组装膜为抵御化学腐蚀的能力。光阻去除尖端的切削作用下不断施加负荷。负载调整就可以实现所需的深度,使切。经过加工,制作模式是有选择性化学蚀刻,光阻已被删除的地区。三维结构,以及各种线条图案,可以制作成功由过程。制作模式的尺寸取决于探头尖大小,厚度的抵制,抵制加工过程中的应用负载。例如,利用原子力显微镜在几十纳米尺度的加工能力,同时提供几十微米或更大的模式可以使用轴精密驱动器的个尖锐的触笔结合的工具类型捏造。虽然几十微米和数百个纳米的沟槽图案宽度可以达到使用过程,在毫米范围内的模式不能制造足够的可靠性。应用于硅工件制作的微米大小的图案当过程,小丘往往形成,而不是沟槽。遇到这种现象时,光阻层是薄和正常负载是比较高的,因为刀尖可以很容易地穿透抵抗层之间的锐利尖端和硅衬底,但不那么容易在溶液中,硅反之亦然。此外,的是耐和氢氧化钾腐蚀剂控制蚀刻条件下几分钟。图显示了利用作为次要抵制层的的修改过程制备硅格局。图所示硅工件表面涂上后,机械加工和化学蚀刻前与的和。可以看出,的表面加工线深度小于。因此,它是最有可能的尖端没有穿透的光阻层。然而,即使在尖端穿透抵抗层的情况下,尖端和硅衬底之间的机械相互作用弱,不会造成岗形成。图。和,很显然,氢氧化钾蚀刻后,在毫米范围内槽的宽度模式可以成功制作没有任何小丘形成。表显示了从两个不同的应用的正常负载获得的沟槽图案的宽度和深度。小丘的形成是可以预防的工具和硅衬底之间的直接接触,因为可以在机械加工过程中避免。也就是说,磨料互动仅限于二氧化矽的主抵抗为目的层内。当蚀刻被用来去除二氧化硅抵制层暴露在硅衬底,层担任作为抵制对蚀刻层和周边地区成功地保护了被腐蚀。此外,当溶液被用来格局的硅衬底,连同二氧化硅抵制保护其余地区领先的硅槽模式的成功制造。在加工应用中使用修改的进程为了证明修改过程的优点,号码不同的线宽毫米和毫米,是制造硅工件如图。。图案数字可以通过编程工具的路径。此外,通过控制施加的机械加工过程中的正常负荷,图案的宽度可以在所需的位置变化。应用的正常负载和由此产生的图案宽度之间的关系是建立在套独立的实验。这种关系是相当非线性是很难预测理论。然而,相当贯宽度可以得到下个给定的应用负载。宽度为毫米的正常负荷万被应用于如前。宽度为毫米的正常负荷万应用。在图像显示,交界处的数字,和应用负载改变工具的方向增加至百万到制作较厚的线宽是相当完整。这表明的修改过程的能力,通过刀具路径编程和正常负荷控制的硅表面上制作各种沟槽宽度约毫米的模式。图结论当正常的百万或更高负荷传统过程中用来制造硅工件的范围在毫米宽的沟模式,容易形成不良山丘。岗形成的机制是由于工具和硅衬底导致接触区域被转化为溶液,具有很高的耐硅相之间的直接接触。为了制作无岗形成毫米宽的范围内槽模式,过程进行了修改,包括涂层,担任中学抵制。做工具和硅衬底之间的直接接触,是可以预防的,从而避免了硅和山丘形成的相变。凹槽图案为和毫米的宽度约宽高比通过修改过程,可以成功地制备硅工件上施加载荷与和万,分别。此外,被证明与不同宽度的凹槽图案与硅片上制造过程中的灵活性。完成所需的模式和宽度可以由刀具路径编程和控制应用的正常负荷,分别在机械加工中的过程。上,在机械加工过程中造成的直接磨损。另方面,如果抵制层太厚,变得极难控制等将在机械加工过程中去除,只有抵抗物质的正常负荷。在这种情况下,是个非常高的刀具和工件之间的直接接触会发生的概率。因此,小丘的形成是个重大的问题在硅微图案时,需要在毫米宽的范围内槽模式。在这项工作中,小丘形成过程中的应用到硅工件进行了调查。是更好地了解在岗的形成过程和发展过程,其中岗的形成过程中,可以在毫米范围内的沟槽图案宽度过程防止。作为种手段,以消除在岗形成问题的各种实验条件进行了调查,结果进行了分析。特别是,层的十八烷基三氯硅烷,这就是俗称的防粘连涂层在的应用使用,被利用作为个次要的光阻层,以防止形成小丘的过程。实验细节使用定制的设备进行微加工实验。机械加工刀具被用来作为个半径为毫米的金刚石针尖。通过正常负荷对工具进行加工工件表面,随后由划线运动,以消除被涂工件上的光阻层。该工具被安装在个灵活的不锈钢悬臂年底,使应用在加工过程中的正常负荷不敏感表面波纹度以及工件的水平错位。个基于的系统使用组三个精密直线执行器控制工具的议案。由刀具路径在语言编程,刀具路径可以改变容易。为了监测状态,机械加工,切削或摩擦力,在加工过程中使用武力传感器测量。在洁净室环境中,在和相对湿度在的范围内进行加工。经过机械加工,化学蚀刻,通过适当的腐蚀剂删除未受保护的地区,那里的抵抗已被删除。摩尔溶液和的缓冲高频二氧化硅和硅的腐蚀剂,分别被用作。硅片被用来作为工件样品。标本乙醇和丙酮清洗,由治疗蒸馏水。为了选择性蚀刻在硅表面的图案制作,将厚度为纳米的二氧化硅干式氧化生长的沉积作为抵抗层。实验结果硅微加工的结果为了验证在毫米范围内,纳米厚的二氧化硅薄膜干式氧化沉积形成小丘图案大小过程,作为唯的抵抗在最初的实验组的层使用。也被用来作为在机械加工过程中的应用负载,不到分钟的正常负荷。图所示的前化学蚀刻加工表面的原子力显微镜图像。在图像显示每个轨道加工根据不同的应用负载。它是明确的,已渗透超出其厚度的二氧化硅抵制层。图显示同地区,在图的图像。图在摩尔溶液蚀刻后,在间。这是有趣的蚀刻最初槽的加工区域后反形成突起的小丘模式。山丘顶部的宽度相似,加工沟槽的宽度。山丘的高度在纳米范围内的蚀刻小号和增加纳米蚀刻后小号。然而,对于蚀刻倍的时间超过分钟,它被发现,小丘的高度下降。这可能是由于长时间蚀刻所造成的下切现象。如图。图是由于机械加工区周边地区得到溶液蚀刻速度比加工区的事实。这表明,有效地服消极抵制的加工区域,比〇层的耐蚀刻,造成周围被腐蚀掉的地区形成个隆起的线条图案二氧化硅层,被称为是个相当不错的抵制溶液的物质,在周边地区存在,它没有正确执行的功能,作为抵制,因为它是太薄,即使。换句话说,山丘,形成不同的蚀刻性能,机械加工区和周边地区的涂二氧化硅。据推测,刀尖和工件之间的摩擦相互作用引起的硅衬底上进行改造非晶硅耐溶液。硅相变压力的应用,这也导致在密度变化的结果可能会发生。也据报道,因负载条件下的残余应

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