压为。
即,每块组件串联为串每串的功率。
为了系统的合理配臵,配臵了二种规格汇流箱汇流箱有路输入端口,则每组功率。
汇流箱有路输入端口,则每组功率。
每台逆变器功率。
则需要台汇流箱和台汇流箱构成个单元。
每单元的功率为晶硅方阵共需配臵逆变器台。
汇流箱共台,汇流箱共台。
共需组件数量块。
总功率。
下图为该阵列平面布臵示意图晶硅组件安装示意图如下单晶硅标准块支架透视图薄膜方阵设计薄膜方阵由硅基薄膜电池组成,标准发电单元配臵方案为硅基薄膜电池的工作电压为。
每串的最大功率点电压为。
。
块组件串联,每串的功率。
薄膜的汇流箱为第三种规格,即路输入。
编号为汇流箱。
汇流箱有路输入端口,则每组功率。
每单元配臵个汇流箱,则输入至逆变器的功率为。
薄膜方阵汇流箱需二级配臵。
二级汇流箱有路输入,编号为汇流箱。
每单元配台汇流箱。
薄膜方阵共配臵逆变器台。
共需组件数量块。
总功率为。
晶硅方阵和薄膜方阵的功率总数为。
下图为该阵列平面布臵示意图薄膜组件支架安装设计二电气系统主要设备参数及功能汇流箱汇流箱正极输入压敏电阻防反充二极管刀熔开关汇流箱负极输入刀熔开关至直流配电柜共路输入共路输入防浪涌装置低压交流断路器汇流箱示意图用于户外,防护等级。
可分别输入回路电池组件串。
对于单晶硅电池组件,实际每回路工作电流,短路电流。
汇流箱为路输入,输出直流电流工作电流短路电流,汇流箱为路输入,输出直流电流工作电流短路电流。
最大开路电压为,熔断器的耐压值不小于,每路输入具有防反充保护功能,配有光伏专用高压防雷器可靠,电缆金属外皮与接地系统的连接是否可靠,按需要可靠连接检查方阵汇线盒内的防雷保护器是否失效,按需要进行更换。
直流控制器及逆变器直流控制器逆变器通常十分可靠,可以使用多年。
有时因设计不好,电子元器件经过长期运行可能会被损坏,雷击也可能导致元器件损坏。
定期检查控制器逆变器与其它设备的连线是否牢固,检查控制器逆变器的接地连线是否牢固,按需要固紧检查控制器逆变器内电路板上的元器件有无虚焊现象有无损坏元器件,按需要进行焊接或更换。
检查控制器的运行工作参数点与设计值是否致,如不致按要求进行调整。
检查控制器显示值与实际测量值是否致,以判断控制器是否正常。
运营维护设备配臵使用最为广泛。
在实验室里最高的转换效率可达,规模生产时的效率可达左右。
目前在大规模应用和工业生产中仍占据主导地位。
但由于单晶硅材料制造成本价格高,虽然经过制造工艺和技术方面的努力,相对初期阶段,价格已经大幅度降低,但仍然相对较高。
多晶硅太阳电池与单晶硅比较,其效率高于非晶硅薄膜电池而低于单晶硅电池,其实验室最高转换效率可达,工业规模生产的转换效率为左右。
因此,多晶硅电池在效率和价格方面能够继续扩大其优势的话,将会在太阳能电地市场上占据重要地位。
与晶体硅太阳电池相比,硅基薄膜太阳电池最重要的是成本优势,具有弱光响应好和温度系数小的特性,便于大规模生产,有极大的发展和应用潜力。
通常,硅基薄膜太阳电池的最主要问题是效率相对较低,效率目前为,每瓦的电池面积会增加约倍,在安装空间和光照面积有限的情况下限制了它的应用。
上述三大类电池产品的价格从目前市场上来看是多晶硅和单晶硅价格接近。
硅基薄膜比多晶硅和单晶硅便宜,太阳能转换效率单晶硅多晶硅硅基薄膜,占地面积单晶硅与多晶硅差不多,硅基薄膜较大。
产品的成熟程度是单晶硅比多晶硅更加成熟,硅基薄膜稍差。
鉴于本项目土地面积有限,根据宁阳县的日照情况及硅基薄膜太阳电池具有弱光响应好的特性,本项目同时采用单晶硅和硅基薄膜两种电池组件。
容量分别为和。
组件技术参数本项目太阳电池组件采用的单晶硅电池组件和硅基薄膜电池组件的主要参数如下单晶硅太阳电池组件指标单位数据峰值功率开路电压短路电流工作电压工作电流尺寸安装尺寸重量峰值功率温度系数开路电压温度系数短路电流温度系数年功率衰降年功率衰降组件效率通过的认证及测试满足的标准及规程规范硅基薄膜电池组件指标单位数据峰值功率开路电