试析自旋电子学中垂直磁各向异性Co-Pt多层膜的运用（电磁学论文）㊣精品文档值得下载

的另重要属性自旋属性操纵的新纪元。

之后人们把电子的自旋属性和电荷属性进行有机结合，进而开创了个崭新的研究领域自旋电子学。

时至今日，自旋电子学经过年的发展已经取得了举世瞩目的成就，如高密度计算机硬盘高性能试析自旋电子学中垂直磁各向异性多层膜的运用电磁学论文可高达量级可以通过简单调节周期膜中层厚度层厚度周期数等因素调控多层膜的磁性，例如矫顽力饱和场等层的自旋流很强，所以可以通过高效的自旋轨道矩翻转磁性层的磁矩除了在磁学中常用的磁场操纵的新纪元。

之后人们把电子的自旋属性和电荷属性进行有机结合，进而开创了个崭新的研究领域自旋电子学。

时至今日，自旋电子学经过年的发展已经取得了举世瞩目的成就，如高密度计算机硬盘高性能非挥发磁随机存储器等。

两位巨磁旋电子学发展的基础。

自旋电子学中常用的材料包括过渡金属以及它们与各种非磁金属氧化物等复合而成的材料体系。

这其中多层膜体系以其良好的垂直磁各向异性容易调制的各种磁性参数以及大自旋轨道耦合效应等优具有垂直磁各向异性的磁隧道结和自旋阀样，制备磁隧道结的材料也经历了从面内磁各向异性向垂直磁各向异性的转变。

人们首先制备出了以多层膜为参考层和自由层以为隔离层的垂直隧道结结构，并且在的元件上测量阀在磁电阻测量过程中电流平行膜面流动，称为电流平行平面自旋阀，还有种自旋阀电流垂直膜面流动，称为电流垂直平面自旋阀，电流垂直平面自旋阀中铁磁层磁化强度的翻转可以不借助外磁场，而是利用自旋极化电流产生的自旋转移矩。

的磁矩。

在体系中，人们发现了很强的自旋轨道矩效应并对此进行了深入研究。

目前，人们已经把自旋轨道矩效应应用在了磁随机存储器中去翻转自由层的磁矩。

相较于自旋转移矩，自旋轨道矩有着更快的读写速度和更低的功耗，同性的粒子，由于其尺寸小易被电流驱动等特点可以应用于未来高密度磁信息存储等领域，最近几年，这新兴研究领域在全球范围内引起了人们的极大关注。

在体系中，人们也发现了磁性斯格明子的存在，例如能层可使多层膜的反常霍尔性能有很大提高。

畴壁移动自旋器件多层膜强烈的垂直磁各向异性使多层膜中形成了厚度仅为纳米量级的畴壁，同时磁光科尔效应为测量畴壁移动速度提供了方便，所以多层膜试析自旋电子学中垂直磁各向异性多层膜的运用电磁学论文前，人们已经制备出了以和多层膜为铁磁层的电流垂直平面自旋阀结构，在该自旋阀中还实现了在不借助外磁场情况下电流直接对铁磁层磁矩的翻转。

试析自旋电子学中垂直磁各向异性多层膜的运用电磁学论文于更多的高性能自旋电子学器件中。

参考文献都有为自旋电子学及其器件产业化科学中国人，丁贝，王文洪磁性斯格明子的发现及研究现状物理，刘帅，云霞垂直磁各向异性多层膜在自旋电子学中的应用科技与创新，。

上述自多层膜为铁磁层的电流垂直平面自旋阀结构，在该自旋阀中还实现了在不借助外磁场情况下电流直接对铁磁层磁矩的翻转。

反常霍尔效应元件由于和原子之间的强烈自旋轨道耦合作用以及界面散射，多层膜具有非常大的时也很好规避了自旋转移矩器件中由于使用很大的电流穿过隧道结而带来的耐久性问题。

结束语综上所述，多层膜在自旋电子学中有着非常重要且广泛的应用。

伴随着自旋电子学的发展，多层膜的性能也被逐渐优化，以期适系体系体系等。

目前，人们正对这些体系进行系统研究，以期能获得较快的斯格明子移动速度等性能。

自旋轨道矩器件自旋轨道矩是由自旋霍尔效应引起的自旋力矩，和自旋转移矩类似，自旋轨道矩也可用来翻转磁性别适合制作畴壁移动记录单元。

目前已经实现在多层膜纳米线中，利用磁场和电流驱动多层膜畴壁快速移动，研究还发现表面声波的辅助作用可使多层膜的畴壁移动速度提高个数量级。

磁性斯格明子磁性斯格明子是种拓扑保常霍尔效应。

可以利用多层膜的反常霍尔效应制备传感器记忆单元和逻辑单元等。

为了提高元件的性能，需提高多层膜的反常霍尔电阻值，多数情况下还要减小其饱和场和矫顽力。