刚石线锯切割单晶硅技术及机理研究济南山东大学，蔡辉晶体硅的金刚石线锯切割性能研究南昌南昌大学，肖俊峰，汪雷，杨德仁表面损伤对单晶硅太阳电池制绒的影响太阳能学报，吴闯，黄志平，陈剑辉，麦耀华，陈静伟单晶硅制绒过程线切割的单晶硅片不遵循此过程，是在晶格受损严重区域破损断裂凹沟处先生长金字塔，硅片腐蚀过程包括线痕去除线痕残留成型和均匀个阶段。

时种硅片的金字塔形貌已基本分布在硅片表面，和时，金字塔形貌变化基本相同，最终得到均匀致密的金字塔形貌。

参考文献蔡辉，汤斌兵，周浪金刚石线锯切割品体硅模式研究南昌大学学报工科版，格试析抛光单晶硅制绒过程无机化学论文单晶硅表面，无平坦间隙存在，但此时金字塔大小并不均匀，大金字塔周围孪生的小金字塔众多，此时段为成金字塔的成型阶段图时，金字塔继续长大，孪生小金子塔消失，金子塔尺寸趋于平均，说明金字塔均匀阶段完成。

不同腐蚀时间下抛光片对应的反射谱如图所示。

腐蚀到时硅片表面的反射率已大大降低从到，反射率并未增加反而字塔大小不是很均匀，还有部分线痕残留。

直到和图和图，可看出，线痕彻底消失，金字塔逐渐长大金字塔成型阶段完成，最终形成均匀致密的金字塔形貌，金字塔均匀阶段完成。

图随时间制绒变化的硅片表面抛光硅片制绒的结果抛光硅片的制绒过程出现了成核生长成型和均匀阶段，而无报道中的过腐蚀阶段，结果如图所示。

图是腐蚀包括成核生长成型和过腐蚀过程。

使用添加剂的碱溶液对抛光单晶硅片和金刚线切割单晶硅片进行研究发现，经过线切割的单晶硅片表面有约厚的损伤层，损伤层包括多晶碎晶区裂纹区过渡区和弹性畸变区个区域，厚度分别为和当制绒时间从变化至，多晶碎晶区被完全刻蚀，时金字塔基本布满硅片表面，时形成的均匀实验市售线切割单晶硅片和抛光硅片的晶向为面，均采用酸去除自然氧化层。

抛光硅片经过轻微化学抛光后酸抛光，以去除抛光对硅片表面的影响确保抛光片表面没有损伤层，种硅片采用常规的工业制绒配方浓度为体积分数，添加剂的比例为体积分数，反应温度控制在，反应时间为和，制绒后的硅片经过∶的溶液中和。

为了蚀个阶段。

基于添加剂的碱溶液制绒过程的研究未见报道，因此有必要采用金刚线切割单晶硅片和抛光单晶硅片进行腐蚀过程研究。

图金刚线切割表面微观形貌图金刚线切割线痕表面轮廓表面损伤层的理论模型如图所示，根据该模型可知，损伤层由表及里依次为多晶碎晶区裂纹区过渡区和弹性畸变区。

测试结果如图所示，证明金刚线，经过线切割的单晶硅片表面有约厚的损伤层，损伤层包括多晶碎晶区裂纹区过渡区和弹性畸变区个区域，厚度分别为和当制绒时间从变化至，多晶碎晶区被完全刻蚀，时金字塔基本布满硅片表面，时形成的均匀金字塔。

与传统制绒过程相比，抛光单晶硅片制绒具有统的成核生长成型过程，而过腐蚀过程被均匀过程替理的讨论年中国太阳能年会学会学术，上海，丁兆兵，景崤壁，杨进新型无醇单晶硅制绒添加剂的研究人工晶体学报，潘盛单晶硅表面金字塔大小与少子寿命的关系上海上海交通大学，张启华单晶硅表面制绒研究广州暨南大学，高玉飞电镀金刚石线锯切割单晶硅技术及机理研究济南山东大学，蔡辉晶体硅的金刚石线锯切割性能研究南昌南昌反射谱结论对比抛光单晶硅片和线切割单晶硅片制绒过程。

采用抛光硅片在制绒添加剂碱腐蚀的情况下制绒经过成核生长成型和均匀个阶段线切割的单晶硅片不遵循此过程，是在晶格受损严重区域破损断裂凹沟处先生长金字塔，硅片腐蚀过程包括线痕去除线痕残留成型和均匀个阶段。

时种硅片的金字塔形貌已基本分布在硅片表面，和时，金字塔形试析抛光单晶硅制绒过程无机化学论文切割的硅片同样具有多晶碎晶区裂纹区过渡区和弹性畸变区，且厚度分别约为和，损伤层总厚度约。

试析抛光单晶硅制绒过程无机化学论文。

早期的抛光单晶硅表面制绒过程研究发现，金字塔的生长具有成核生长成型过腐蚀个阶段。

基于添加剂的碱溶液制绒过程的研究未见报道，因此有必要采用金刚线切割单晶硅片和抛光单晶硅片进行腐蚀过程研，制绒后的硅片经过∶的溶液中和。

为了研究抛光硅片金字塔初始形成过程，对制绒过程进步观察。

表面形貌由美国公司生产的扫描电子显微镜测试得到，切割线痕深度通过探针式表面轮廓仪台阶仪测试得，反射率通过紫外近红外光谱仪测定。

早期的抛光单晶硅表面制绒过程研究发现，金字塔的生长具有成核生长成型过到图时，金字塔已基本布满硅片表面，但局部区域还存在定的平坦间隙，此阶段晶硅表面完成金字塔的生长过程到图时金字塔完全布满单晶硅表面，无平坦间隙存在，但此时金字塔大小并不均匀，大金字塔周围孪生的小金字塔众多，此时段为成金字塔的成型阶段图时，金字塔继续长大，孪生小金子塔消失，金子塔尺寸趋于平均，说明金字，并能够获得均匀的金字塔形貌和的低反射率。

实验市售线切割单晶硅片和抛光硅片的晶向为面，均采用酸去除自然氧化层。

抛光硅片经过轻微化学抛光后酸抛光，以去除抛光对硅片表面的影响确保抛光片表面没有损伤层，种硅片采用常规的工业制绒配方浓度为体积分数，添加剂的比例为体积分数，反应温度控制在，反应时间为和学，肖俊峰，汪雷，杨德仁表面损伤对单晶硅太阳电池制绒的影响太阳能学报，吴闯，黄志平，陈剑辉，麦耀华，陈静伟单晶硅制绒过程研究太阳能学报，。

摘要晶体硅表面制绒能够减少光的反射和提高太阳电池效率。

传统的抛光单晶硅制绒过程包括成核生长成型和过腐蚀过程。

使用添加剂的碱溶液对抛光单晶硅片和金刚线切割单晶硅片进行研究发现变化基本相同，最终得到均匀致密的金字塔形貌。

参考文献蔡辉，汤斌兵，周浪金刚石线锯切割品体硅模式研究南昌大学学报工科版，格林太阳电池工作原理工艺和系统的应用北京电子工业出版社，古贺生单晶硅太阳电池制绒新技术研究杭州浙江大学，屈盛种无醇单晶硅制绒添加剂许彦旗，汪义川，季静佳，等关于单晶硅各向异性腐蚀机均匀阶段完成。

不同腐蚀时间下抛光片对应的反射谱如图所示。

腐蚀到时硅片表面的反射率已大大降低从到，反射率并未增加反而下降，没有文献中报道的过腐蚀过程，也就是说，有添加剂的制绒腐蚀过程包括成核生长成型和均匀个阶段，最终形成均匀分布的没有寄生金字塔的理想绒面和的低反射率。

图不同腐蚀时间的硅片表面图不同腐蚀时间的试析抛光单晶硅制绒过程无机化学论文面抛光硅片制绒的结果抛光硅片的制绒过程出现了成核生长成型和均匀阶段，而无报道中的过腐蚀阶段，结果如图所示。

图是腐蚀时，单晶硅表面有大量纳米级小金字塔和小突起冒出，从图图可看出，随着腐蚀时间的增加，小凸起逐渐长大形成小金字塔形貌，小金字塔尺寸也逐渐变大，金字塔变得密集，单晶硅表面完成成核过程究太阳能学报，。

图金刚线切割硅片模型在单晶硅太阳电池片生产过程中，硅片表面会被腐蚀成金字塔结构，称为表面织构或制绒，制绒可减少太阳光在硅片表面的反射损失，在电池的内部形成光陷阱，增加入射光吸收，显著提高单晶硅太阳电池的转换效率。

试析抛光单晶硅制绒过程无机化学论文。

腐蚀时的表面形貌图如图所示。

凹沟处都开始显太阳电池工作原理工艺和系统的应用北京电子工业出版社，古贺生单晶硅太阳电池制绒新技术研究杭州浙江大学，屈盛种无醇单晶硅制绒添加剂许彦旗，汪义川，季静佳，等关于单晶硅各向异性腐蚀机理的讨论年中国太阳能年会学会学术，上海，丁兆兵，景崤壁，杨进新型无醇单晶硅制绒添加剂的研究人工晶体学报，潘盛单晶硅表面降，没有文献中报道的过腐蚀过程，也就是说，有添加剂的制绒腐蚀过程包括成核生长成型和均匀个阶段，最终形成均匀分布的没有寄生金字塔的理想绒面和的低反射率。

图不同腐蚀时间的硅片表面图不同腐蚀时间的反射谱结论对比抛光单晶硅片和线切割单晶硅片制绒过程。

采用抛光硅片在制绒添加剂碱腐蚀的情况下制绒经过成核生长成型和均匀个阶段，单晶硅表面有大量纳米级小金字塔和小突起冒出，从图图可看出，随着腐蚀时间的增加，小凸起逐渐长大形成小金字塔形貌，小金字塔尺寸也逐渐变大，金字塔变得密集，单晶硅表面完成成核过程到图时，金字塔已基本布满硅片表面，但局部区域还存在定的平坦间隙，此阶段晶硅表面完成金字塔的生长过程到图时金字塔完全布满字塔。

与传统制绒过程相比，抛光单晶硅片制绒具有统的成核生长成型过程，而过腐蚀过程被均匀过程替代，并能够获得均匀的金字塔形貌和的低反射率。

腐蚀时的表面形貌图如图所示。

凹沟处都开始显现出金字塔形貌，凸槽平行划痕逐渐变窄，多晶碎晶区基本被全部去除。

随着反应时间增加到图，可看出金字塔基本布满硅片表面，此时金了研究抛光硅片金字塔初始形成过程，对制绒过程进步观察。

表面形貌由美国公司生产的扫描电子显微镜测试得到，切割线痕深度通过探针式表面轮廓仪台阶仪测试得，反射率通过紫外近红外光谱仪测定。

试析抛光单晶硅制绒过程无机化学论文。

摘要晶体硅表面制绒能够减少光的反射和提高太阳电池效率。

传统的抛光单晶硅制绒过程