计者刘亮图保护层设计者刘亮总结在论文设计中，根据薄膜平面化布局设计规范，对双稳态触发器集成电路进行了平面化设计，通过设计使我对技术有了更进步的了解。在设计过程中，要确定各个元件的材料尺寸和形状。电阻器材料根据对电阻器性能的要求工艺条件和成本来选择而电阻器的尺寸和形状主要由阻值和工艺因素决定。在具体布图中，要考虑整体体积和装配形式的要求。在高频电路中主要矛盾是寄生效应问题大功率电路中，主要矛盾是功率的保证和散热问题等。按薄膜电路设计规范，对电路图形进行粗略布图，要保证完成电路要求的各项功能及电路的各项参数。在满足要求的条件下，尽量使导电带不交叉，在导电带电阻布图时要满足最小工艺设计要求。最后根据元件平面化设计数据，按各项要求利用画出薄膜平面化总体布局图。并根据总图分别画出导体膜层电阻膜层介质膜层保护膜层等各分图层图形。最终得出电路的薄膜工艺平面设计总图。但由于实验条件所限，没有进行进步的工艺制作。在设计过程中，我温习了很多已学的知识，收集了很多相关的资料，学习到了新知识。在该设计中未免有不足之处，还需进步完善。致谢岁月的秋风掠过，留下硕果满枝头。论文终稿之时，本科阶段的学习生活也接近尾声，忆起过去的四年时间，心中不禁感慨万千。在此，要对所有曾经关心过帮助过我的人致以诚挚的谢意。首先我要感谢我的导师靳宝安老师，他给了我很大的帮助。在论文设计过程给我了很多具有指导性意义的意见在电路设计过程中给了我很多布图的建议，并多次帮我修改。感谢学校给我们提供了良好的学习环境感谢热情的同学和舍友们对我的帮助，感谢我的舍友对我的支持和理解特别要感谢电子教研室的老师们，给我们提供技术帮助，谢谢老师对我的帮助。再次，向所有帮助过我的人致以谢意。参考文献包兴，胡明主编电子器件导论北京北京理工大学出版社,王传声,张如明技术顶天市场立地中国混合集成电路的现状与发展世界产品与技术刘红斌混合集成电路推广应用的探讨电子元件与材料袁代泽国内外混合集成电路的发展电子元件与材料王毅国内混合集成电路市场现状及预测电子元件与材料孙行伦我国混合集成电路的应用现状及市场需求电子元件与材料候国栋混合集成电路应用和发展动态电子元件与材料束湍混合集成电路产品结构及先进的生产手段电子元件与材料杜磊，孙承永，黄继颇，包军林混合集成电路有限元热分析技术的研究下软件与应用电子元件与材料张弛混合集成电路用的微纳电子技术王毅国内混合集成电路市场现状及预测电子元件与材料李言荣，恽正中主编电子材料导论北京清华大学出版社,陈章其电子器件，郑德海，郑军明，沈青丝网印刷工艺北京印刷工业出版社,李耀霖著厚膜电子元件武汉华南理工大学出版社，数字的分类数字集成电路是将元器件和连线集成于同半导体芯片上而制成的数字逻辑电路或系统。根据数字集成电路中包含的门电路或元器件数量，可将数字集成电路分为以下几类小规模集成电路，小规模集成电路通常指含逻辑门个数小于门或含元件数小于个的电路。中规模集成电路，中规模集成电路通常指含逻辑门数为门门或含元件数个个的电路。大规模集成电路，大规模集成电路通常指含逻辑门数为门门或含元件数个个的电路。超大规模集成电路，超大规模集成电路通常指含逻辑门数大于门或含元件数大于个的电路。数字的特点数字混合集成电路更是综合了半导体集成电路与薄膜集成电路的共同优点。既可用半导体或晶体管做有源器件，又可用膜工艺制作无源器件。电路集成度高，稳定性好，可靠性好。但是所用工艺设备比较昂贵生产成本较高。薄膜电路与厚膜电路的区别薄膜电路与厚膜电路的区别主要有以下几点是膜厚的区别薄膜的膜厚小于，大多处于小于，厚膜电路的膜厚般大于二是制造工艺的区别薄膜电路采用的是真空蒸发磁控溅射等工艺方法，厚膜电路般采用丝网印刷工艺三与厚膜集成电路相比较，薄膜电路的特点是所制作的元件参数范围宽精度高温度频率特性好，可以工作到毫米波段。并且集成度较高尺寸较小。数字在微电子技术中的地位微电子技术是门使电子元器件和电子系统微小型化的技术。具体说，微电子技术，除了设计，制造微型电子组件，集成电路和功能器件等技术外，还包括集成电路和由集成电路构成的微电子系统的应用技术。集成电路则是微电子技术的个重要方面，它将组成电路的有源和无源元器件及其互连线起制作在半导体基片或绝缘基板上，直接构成个完整的具有定功能的微型电路。按照制造工艺不同，集成电路可分为半导体，薄膜，厚膜和混合集成电路。随着电子产品向功能复杂化体积小型化以及高性能高可靠性方面的发展,集成化和大规模集成化已成为迫切的要求和必然趋势。在集成电路面临这种应用要求而迅速发展的过程中,数字集成电路又在数量品种和进展速度上比其它集成电路居领先地位。因此，数字集成电路已被广泛地应用于计算机通讯自动控制仪器仪表等的数字系统中。近几十年，薄膜技术与薄膜材料科学突飞猛进的发展对薄膜电子产品的巨大推动作用，尤其是数字混合集成电路具备了半导体集成电路与薄膜集成电路的共同有点，引起了广大生产厂家的极大兴趣和广大用户对这种电子产品的青睐。自然而然，在未来微电子技术的进步发展中，推动数字混合集成电路的发展将成为必然趋势。元器件的平面图形设计在既定技术规范的前提下，将电路原理图中的元器件转换成适合工艺的平面图形的过程称为电路元器件的平面图形设计。薄厚膜集成方式的选择具有设计灵活性元器件参数范围广精度高性能好等特点，对于线路较复杂，品种较繁多的模拟集成电路最为适合。其中，薄膜混合集成电路适用于要求低噪声高稳定，高频率的电路厚膜混合集成技术适用于要求高电压大功率低成本的电路。膜电阻器的平面图形设计膜电阻率和方阻块状导体的电阻率只与物质种类有关，与物体的形状和大小无关。对于膜电阻材料来说，由于膜厚度很小，厚度的精确测量有定的难度，而且这时膜的电阻率已不再是个常数。导体的电阻率与厚度有密切关系。膜电阻与电阻率之间的关系可表示为式中表示膜的厚度。对与个宽度致的均匀电阻膜，其电阻值式中为膜的长度，单位为为膜的宽度,单位为为与膜有关的性能常数，称为膜所具有的电阻值或叫做方阻，单位为。膜电阻的定义为长﹑宽相等的块正方形电阻膜，当电流从边流向其对边时电阻膜所具有的电阻值，又称方阻，膜长与膜宽的比叫做方数。制作膜电阻器所选用的材料，应该膜电阻高或温度系数小。电阻设计种方法分别是直线型电阻帽型电阻弯曲型电阻在设计膜式电阻图形时，首先要根据可利用的基片面积和电阻器的功耗，粗略的计算电阻体的长宽比，在根据所要求的阻值，选择适当的图形和材料。膜式电阻的阻值是由下式决定的。即图直线型电阻平面图式中为方数，在实际设计中可根据方数选择图形。当时，采用直线型当﹤时利用帽型，当时要用弯曲型。由于工艺，材料和小型化的限制，厚膜电阻宜采用直线型帽型薄膜电阻多采用帽型和弯曲型。直线形电阻的设计直线形电阻是种最简单的电阻图形如图为了小型化，电阻器图形占用的面积越小越好。然而，电阻器的长度和宽度并不是可以任意确定的，这是因为他们不仅受到式中所规定的长宽比的制约，而且还受到电阻器的额定功率和工艺条件的限制。电阻器的额定功率密度，简称为功率密度，是个根据特定种类电阻器的老化试验确定的典型数据，它表明电阻体的单位面积上能够承受的功率，用表示。的值主要与电阻器的基片材料和电阻材料有关，在实际的设计中要通过实验确定出合理的数据。根据电路功能指标确定出电阻器的额定功率以后，就可以求出电阻器的面积于是有解由式和式组成的方程组，就可以得到满足阻值和额定功率要求的直线形膜电阻器的宽度和长度当时，以上公式改为当由式和求出电阻器的最小宽度和长度，小于工艺条件说容许的最小值时，应以后者为准。在基片面积容许的条件下，电阻器尺寸可做的略大些，因为大多数电阻器的宽度与长度比起来都较小，而宽度越小，工艺因素造成的宽度的相对误差就越大，因而对电阻器方数的影响也会越大，进而对整个电阻器阻值误差的影响也越显著。另外，电阻器的宽度与实际膜的宽度是相等的，而长度却有所不同，这是因为只是电阻器两引端之间的距离。为了使电阻膜能够和引出端导体良好接触，必须保证电阻膜的每个端头和导体重叠定长度，般为毫米，因此电阻膜的实际长度为。在设计电阻膜图形时定要注意这点。帽形电阻图形的设计图帽型电阻示意图帽形电阻由于图形很像帽子而得名如图，是膜电阻设计中最常用的电阻图形。这种图形的主要特点是在采用微调电阻值增加很多，同时又不增加占用的面积。帽形电阻主要是利用切去部分膜层以增加膜的长度的方法来达到所要求的阻值即标称阻值，所以般设计时的阻值要小于规定的阻值即小于左右。我们用和分别表示设计阻值和标称阻值。则先用直线形电阻器的宽度公式来计算线宽，以代入式得电阻的长度为如果计算所得的即，则仍用直线图形这是因为帽长度必须为，为切割宽度，也就是说要保证切割后余下部分的电阻宽度不小于设计的线宽。如果或,则可以设计为帽形，帽长为最大限度微调的情况，帽形的电阻值可表示为从上式可见，只有时未知数，如果求出它的阻值则图形的大小就确定了。那么如何确定呢考虑未切割时帽形部分的阻值比设计值小，而在最大切割时阻值会大大增加，所以在计算时般取标称阻值倍来求出，即利用上式和