。在定的温度下，产生与复合运动会达到平衡，载流子的浓度就定了。载流子的浓度与温度密切相关，它随着温度的升高，基本按指数规律增加。杂质半导体掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。杂质半导体是半导体器件的基本材料。在本征半导体中掺入五价元素如磷，就形成型电子型半导体掺入三价元素如硼镓铟等就形成型空穴型半导体。杂质半导体的导电性能与其掺杂浓度和温度有关，掺杂浓度越大温度越高，其导电能力越强。在型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子。多子自由电子的数量正离子数少子空穴的数量在型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。多子空穴的数量负离子数少子自由电子的数量型半导体主要靠空穴导电，掺入杂质越多，空穴浓度越高，导电性越强，多数载流子为空穴。型半导体主要靠自由电子导电。掺入杂质越多，多子浓度自由电子越高，导电性越强，实现导电性可控。多数载流子为自由电子结的形成及其单向导电性半导体中的载流子有两种有序运动载流子在浓度差作用下的扩散运动和电场作用下的漂移运动。同块半导体单晶上形成型和型半导体区域，在这两个区域的交界处，当多子扩散与少子漂移达到动态平衡时，空间电荷区亦称为耗尽层或势垒区的宽度基本上稳定下来，结就形成了。当区的电位高于区的电位时，称为加正向电压或称为正向偏置，此时，结导通，呈现低电阻，流过级电流，相当于开关闭合当区的电位高于区的电位时，称为加反向电压或称为反向偏置，此时，结截止，呈现高电阻，流过级电流，相当于开关断开。结是半导体的基本结构单元，其基本特性是单向导电性即当外加电压极性不同时，结表现出截然不同的导电性能。结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。这正是结具有单向导电性的具体表现。结加正向电压导通耗尽层变窄，扩散运动加剧，由于外电源的作用，形成扩散电流，结处于导通状态。结加反向电压截止耗尽层变宽，阻止扩散运动，有利于漂移运动，形成漂移电流。由于电流很小，故可近似认为其截止。结伏安特性结伏安特性方程式中为反向饱和电流为温度电压当量，当时，当且时，，伏安特性呈非线性指数规律当且︱︱时，，电流基本与无关由此亦可说明结具有单向导电性能。结的反向击穿特性当结的反向电压增大到定值时，反向电流随电压数值的增加而急剧增大。结的反向击穿有两类齐纳击穿和雪崩击穿。无论发生哪种击穿，若对其电流不加以限制，都可能造成结的永久性损坏。结温度特性当温度升高时，结的反向电流增大，正向导通电压减小。这也是半导体器件热稳定性差的主要原因。结电容效应结具有定的电容效应，它由两方面的因素决定是势垒电容，二是扩散电容，它们均为非线性电容。势垒电容是耗尽层变化所等效的电容。势垒电容与结的面积空间电荷区的宽度和外加电压等因素有关。扩散电容是扩散区内电荷的积累和释放所等效的电容。扩散电容与结正向电流和温度等因素有关。结电容由势垒电容和扩散电容组成。结正向偏置时，以扩散电容为主反向偏置时以势垒电容为主。只有在信号频率较高时，才考虑结电容的作用。半导体二极管本讲重点二极管的伏安特性单向导电性及等效电路三个常用模型稳压管稳压原理及简单稳压电路二极管的箝位限幅和小信号应用举例本讲难点二极管在电路中导通与否的判断方法，共阴极或共阳极二极管的优先导通问题稳压管稳压原理教学组织过程本讲以教师讲授为主。用多媒体演示二极管的结构伏安特性以及温度对二极管特性的影响等，便于学生理解和掌握。二极管的箝位限幅和小信号应用举例可以启发讨论。主要内容半导体二极管的几种常见结构及其应用场合在结上加上引线和封装，就成为个二极管。二极管按结构分为点接触型面接触型和平面型三大类。点接触型二极管结面积小，结电容小，常用于检波和变频等高频电路。面接触型二极管结面积大，结电容大，用于工频大电流整流电路。平面型二极管结面积可大可小，结面积大的，主要用于功率整流结面积小的可作为数字脉冲电路中的开关管。点接触型面接触型结面积大，结电容大，故结允许的电流大，最高工作频率低。结面积小，结电容小，故结允许的与普通二极管类似，其正向特性为指数曲线当外加反压的数值增大到定程度时则发生击穿，击穿曲线很陡，几乎平行于纵轴，当电流在定范围内时，稳压管表现出很好的稳压特性。稳压管等效电路稳压管等效电路由两条并联支路构成加正向电压以及加反向电压而未击穿时，与普通硅管的特性相同加反向电压且击穿后，相当于理想二极管电压源和动态电阻的串联。如图所示。稳压管的主要参数稳定电压规定电流下稳压管的反向击穿电压。最大稳定工作电流和最小稳定工作电流稳压管的最大稳定工作电流取决于最大耗散功率，即。而对应。若，则不能稳压。额定功耗，超过此值，管子会因结温升太高而烧坏。动态电阻，其概念与般二极管的动态电阻相同，只不过稳压二极管的动态电阻是从它的反向特性上求取的。愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡，稳压效果愈好。温度系数温度的变化将使改变，在稳压管中，当时，具有正温度系数，反向击穿是雪崩击穿当时，具有负温度系数，反向击穿是齐纳击穿当时，稳压管可以获得接近零的温度系数。这样的稳压二极管可以作为标准稳压管使用。稳压管稳压电路稳压二极管在工作时应反接，并串入只电阻。电阻有两个作用是起限流作用，以保护稳压管二是当输入电压或负载电流变化时，通过该电阻上电压降的变化，取出误差信号以调节稳压管的工作电流，从而起到稳压作用。如图所示。特殊二极管与普通二极管样，特殊二极管也具有单向导电性。利用结击穿时的特性可制成稳压二极管，利用发光材料可制成发光二极管，利用结的光敏特性可制成光电二极管。讨论判断电路中二极管的工作状态，求解输出电压。判断二极管工作状态的方法晶体管三极管本讲重点三极管电流放大原理及其电流分配关系式三极管的输入输出特性三极管三种工作状态的判断方法本讲难点放大原理及电流分配关系式三种工作状态的判断方法教学组织过程本讲以教师讲授为主。用多媒体演示三极管的结构输入与输出特性以及温度对三极管特性的影响等，便于学生理解和掌握。三极管工作状态电位和管型的判断方法可以启发讨论。主要内容晶体管的主要类型和应用场合，双极型晶体管是通过定的工艺，将两个结接合在起而构成的器件，是放大电路的核心元件，它能控制能量的转换，将输入的任何微小变化不失真地放大输出，放大的对象是变化量。三极管常见外形有四种，分别应用于小功率中功率或大功率，高频或低频等不同场合。具有放大作用的内部条件和外部条件的内部条件为有三个区发射区集电区和基区两个结发射结和集电结三个电极发射极集电极和基极组成并且发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，基区厚度很小。放大的外部条件为发射结正偏，集电结反偏。的电流放大作用及电流分配关系晶体管的电流放大作用晶体管具有电流放大作用。当发射结正向偏置而集电结反向偏置时，从发射区注入到基区的非平衡少子中仅有很少部分与基区的多子复合，形成基极电流，而大部分在集电结外电场作用下形成漂移电流，体现出对的控制作用。此时，可将看成电流控制的电流源。三个重要的电流分配关系式晶体管的输入特性和输出特性曲线晶体管的输入特性和输出特性表明各电极之间电流与电压的关系。现以共射电路为例说明。共射输入特性︱常数如图所示。输入特性曲线分为三个区死区非线性区和线性区。其中的那条相当于发射结的正向特性曲线。当时，特性曲线将会向右稍微移动些。但再增加时，曲线右移很不明显。曲线的右移是三极管内部反馈所致，右移不明显说明内部反馈很小。共射输出特性︱常数如图所示，它是以为参变量的族特性曲线。对于其中条曲线，当时当微微增大时，主要由决定当增加到使集电结反偏电压较大时，特性曲线进入与轴基本平行的区域这与输入特性曲线随增大而右移的原因是致的。因此，输出特性曲线可以分为三个区域饱和区截止区和放大区。晶体管工作在三种不同工作区外部的条件和特点工作状态型型特点截止状态结结均反偏结结均反偏放大状态结正偏结均反偏结正偏结均反偏饱和状态结结均正偏结结均正偏晶体管三极管晶体管的主要参数直流参数共射直流电流放大系数，在放大区基本不变。共基直流放大系数显然与之间有如下关系穿透电流式中相当于集电结的反向饱和电流。二交流参数共射交流电流放大系数，在放大区值基本不变。共基交流放大系数当和很小时，，可以不加区分。特征频率三极管的值不仅与工作电流有关，而且与工作频率有关。由于结电容的影响，当信号频率增加时，三极管的将会下降。当下降到时所对应的频率称为特征频率。三极限参数极限参数和三极管的安全工作区最大集电极电流当集电极电流增加时，就要下降，当值下降到线性放大区值的时，所对应的集电极电流称为最大集电极电流。至于值下降多少，不同型号的三极管，不同的厂家的规定有所差别。可见，当时，并不表示三极管会损坏。最大集电极耗散功率。对于确定型号的晶体管，是个定值。当硅管的结温大于锗管的结温大于时，管子的特性明显变坏，甚至烧坏。极间反向击穿电压晶体管级开路时，另外两个电极之间所允许加的最高反向电压，即为极间反向击穿电压，超过此值管子会发生击穿现象。极间反向电压有三种和。由于各击穿电压中值最小，选用时应使其大于放大电路的工作电源。三极管的安全工作区由和击穿电压在输出特性曲线上可以确定四个区过损耗区过电流区击穿区和安全工作区。使用时应保证三极管工作在安全区。如图所示。温度对晶体管特性及参数的影响温度对反向饱和电流的影响温度对和等由本征激发产生的平衡少子形成的电流影响非常严重。温度对输入特性的影响当温度上升时，正向特性左移。当温度变化时，大约下降，具有负温度系数。温度对输出特性的