使多数载流子背离空间电荷区而运动,使空间电荷区变宽,相当于电子和空穴分别从势垒电容放电,如图所示。
这种充放电效应与普通电容在外加变化电压作用下的充放电效应相似,所不同的只是这个势垒电容是随外加电压的变化而改变的,当外加电压保持不变时,势垒区的空间电荷数目保持不变,势垒电容充放电也就停止了,因此,势垒电容只是在外加电压改变时才起作用。
从定量上,势垒电容可定义为式中是外加电压的变化所引起的空间电荷的变化量。
实验表明,势垒电容和外加电压之间的关系为式中是常数,是结的接触电位差,是外加电压正向偏压时,为正值,反向偏压时,为负值,是电容变化指数,它的值可由,决定于结附近的杂质分布情况。
由以上公式可见,当反向电压增大时,结电容减小,反之,当反向电压减小时绝对值,结电容增大。
扩散电容由于结向偏压时,为负值,是电容变化指数,它的值可由,决定于结附近的杂质分布情况。
由以上公式可见,当反向电压增大时,结电容减小,反之,当反向电压减小时绝对值,结电容增大。
扩散电容由于结是外加电压的变化所引起的空间电荷的变化量。
实验表明,势垒电容和外加电压之间的关系为式中是常数,是结的接触电位差,是外加电压正向偏压时,为正值,反随外加电压的变化而改变的,当外加电压保持不变时,势垒区的空间电荷数目保持不变,势垒电容充放电也就停止了,因此,势垒电容只是在外加电压改变时才起作用。
从定量上,势垒电容可定义为式中,外加电场使多数载流子背离空间电荷区而运动,使空间电荷区变宽,相当于电子和空穴分别从势垒电容放电,如图所示。
这种充放电效应与普通电容在外加变化电压作用下的充放电效应相似,所不同的只是这个势垒电容是有部分电子和空穴存人结,相当于电子和空穴分别向势垒电容充电。
而当外加电压降低,又有部分电子和空穴离开空间电荷区,这就象电子和空穴分别从势垒电容放电,如图所示。
而当结加反向电压时变,这种现象和电容的作用类似,所以称这个电容为势垒电容,记为。
当结两端加正向电压时,外加电场将使区的电子和区的空穴进人空间电荷区,并中和部分带正电荷的施主离子和带负电荷的受主离子,这就象移动的正负离子,在势垒区由于缺少导电的载流子,导电率很低,相当于介质。
而势垒区也称空间电荷区或耗尽层两侧的区和区的导电率相对来说比较高,相当于金属极板。
当外加电压改变时,势垒区的电荷量将随之改差,这种电容效应可以归结为两种等效电容。
势垒电容我们知道,在型和型半导体的交界面结附近,由于载流子空穴和电子的相互扩散,将形成势垒区,积累定数量的空间电荷。
这些空间电荷是些不能角随频率的变化特性斜率为负值。
变容二极管调频法二极管的电容效应二极管在低频工作时,具有有很好的单向导电作用。
当工作频率很高时,由于结的电容效应即二极管的电容效应,往往使单向导电特性变得很,才能使减小。
般情况下,反馈网络为线性网络,为常数,所以相位稳定条件为即要求相位随频率的变化特性斜率为负值。
假设晶体管的正向传输特性的相角为定值,则要求阻抗稳定条件为如果为常量,则有相位稳定条件当振荡平衡时,。
若种原因导致瞬时增大,相当于增大,只有减小条件和相位稳定条件。
振幅稳定条件当振荡平衡时,。
若种原因导致增大,只有减小,进而使减小。
振荡器回到平衡状态,即在振荡平衡状态,应随反向变化。
所以在平衡点,振幅生影响。
如果通过放大和反馈的不断循环,振荡器能在原平衡点附近建立起新的平衡状态,而且当外界因素消失后,振荡器能自动回到原平衡状态,则原平衡点使稳定的否则,原平衡点为不稳定的。
振荡器的稳定分为振幅稳定工作的稳定性,这是因为振荡器在工作的过程中不可避免的要受到外界各种因素的影响,如温度的改变电源电压的波动等等,这些变化将使放大器放大倍数和反馈系数改变,破坏了原来的平衡状态,对振荡器的正常工作将会产因此振幅平衡条件决定了振荡器输出振幅的大小。
必须指出,环路只有再特定的频率上才能满足相位平衡条件,也就是说相位平衡条件决定了振荡器输出信号的频率大小。
振荡平衡的稳定条件处于平衡状态的振荡器应考虑其„上式分别为振荡平衡的振幅平衡条件和相位平衡条件。
在平衡状态中,电源供给的能量正好抵消整个环路耗损的能量,平衡时输出幅度将不再变化,荡器的起振条件分为振幅条件和相位条件。
振荡的平衡和平衡条件振荡器的输出幅度增加到定大小后,输出幅度不再增加,振荡器即处于平衡状态,此时,,所以荡器的起振条件分为振幅条件和相位条件。
振荡的平衡和平衡条件振荡器的输出幅度增加到定大小后,输出幅度不再增加,振荡器即处于平衡状态,此时,,所以„上式分别为振荡平衡的振幅平衡条件和相位平衡条件。
在平衡状态中,电源供给的能量正好抵消整个环路耗损的能量,平衡时输出幅度将不再变化,因此振幅平衡条件决定了振荡器输出振幅的大小。
必须指出,环路只有再特定的频率上才能满足相位平衡条件,也就是说相位平衡条件决定了振荡器输出信号的频率大小。
振荡平衡的稳定条件处于平衡状态的振荡器应考虑其工作的稳定性,这是因为振荡器在工作的过程中不可避免的要受到外界各种因素的影响,如温度的改变电源电压的波动等等,这些变化将使放大器放大倍数和反馈系数改变,破坏了原来的平衡状态,对振荡器的正常工作将会产生影响。
如果通过放大和反馈的不断循环,振荡器能在原平衡点附近建立起新的平衡状态,而且当外界因素消失后,振荡器能自动回到原平衡状态,则原平衡点使稳定的否则,原平衡点为不稳定的。
振荡器的稳定分为振幅稳定条件和相位稳定条件。
振幅稳定条件当振荡平衡时,。
若种原因导致增大,只有减小,进而使减小。
振荡器回到平衡状态,即在振荡平衡状态,应随反向变化。
所以在平衡点,振幅稳定条件为如果为常量,则有相位稳定条件当振荡平衡时,。
若种原因导致瞬时增大,相当于增大,只有减小,才能使减小。
般情况下,反馈网络为线性网络,为常数,所以相位稳定条件为即要求相位随频率的变化特性斜率为负值。
假设晶体管的正向传输特性的相角为定值,则要求阻抗角随频率的变化特性斜率为负值。
变容二极管调频法二极管的电容效应二极管在低频工作时,具有有很好的单向导电作用。
当工作频率很高时,由于结的电容效应即二极管的电容效应,往往使单向导电特性变得很差,这种电容效应可以归结为两种等效电容。
势垒电容我们知道,在型和型半导体的交界面结附近,由于载流子空穴和电子的相互扩散,将形成势垒区,积累定数量的空间电荷。
这些空间电荷是些不能移动的正负离子,在势垒区由于缺少导电的载流子,导电率很低,相当于介质。
而势垒区也称空间电荷区或耗尽层两侧的区和区的导电率相对来说比较高,相当于金属极板。
当外加电压改变时,势垒区的电荷量将随之改变,这种现象和电容的作用类似,所以称这个电容为势垒电容,记为。
当结两端加正向电压时,外加电场将使区的电子和区的空穴进人空间电荷区,并中和部分带正电荷的施主离子和带负电荷的受主离子,这就象有部分电子和空穴存人结,相当于电子和空穴分别向势垒电容充电。
而当外加电压降低,又有部分电子和空穴离开空间电荷区,这就象电子和空穴分别从势垒电容放电,如图所示。
而当结加反向电压时,外加电场使多数载流子背离空间电荷区而运动,使空间电荷区变宽,相当于电子和空穴分别从势垒电容放电,如图所示。
这种充放电效应与普通电容在外加变化电压作用下的充放电效应相似,所不同的只是这个势垒电容是随外加电压的变化而改变的,当外加电压保持不变时,势垒区的空间电荷数目保持不变,势垒电容充放电也就停止了,因此,势垒电容只是在外加电压改变时才起作用。
从定量上,势垒电容可定义为式中是外加电压的变化所引起的空间电荷的变化量。
实验表明,势垒电容和外加电压之间的关系为式中是常数,是结的接触电位差,是外加电压正向偏压时,为正值,反向偏压时,为负值,是电容变化指数,它的值可由,决定于结附近的杂质分布情况。
由以上公式可见,当反向电压增大时,结电容减小,反之,当反向电压减小时绝对值,结电容增大。
扩散电容由于结中载流子的扩散运动产生的电容效应可以等效为另种结电容扩散电容,我们知道,结加正向偏压时,区的电子和区的空穴相互向对方扩散,形成定的非平衡载流子分布,如图中的曲线所示。
当正偏压升高时,结边界上的电子浓度按指数规律增大,电子浓度将由曲线变到同图中的曲线图中是区少数载流子浓度,是区和区交界面处,即处电子浓度,和表示结的不同正向偏置电压。
可以看出,正向偏置电压升高时从升高为,电子少数载流子的贮存将增加,而在正向电压减少时,贮存的电子少数载流子则将减少。
也就是正向偏压的变化,会使贮存的载流子的电荷量发生变化,这里也有个电荷的存和放的现象,所以也相当于个电容的作用。
这就是所谓扩散电容,用表示。
综上所述,二极管在高频运用时必须考虑两个电容的影响,即势垒电容和扩散电容。
在正向偏置时,因为扩散电容远大于势垒电容,势垒电容可以不予考虑,而考虑扩散电容的影响。
在反向偏压时,因为基本没角的范围,可以分为甲类,乙类,丙类和丁类等功率放大器。
电流导通角越小,放大器的效率越高。
如丙类功放的,但效率理论上可达到。
丙类放大器通常作为发射机的末级,以获得较大的输出功率和较高的效率。
图所示为有两级功率放大器组成的高频功率放大器电路。
晶体管与选频网络,组成丙类功率放大器。
图高频功率放大器如图所示,丙类功率放的基极偏执电压是利用发射极电流的直流分量在射极电阻上产生的压将来提供的,故称为自给偏压电路。
当放大器的输入信号为正弦波时,集电极的输出电流为余






























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