已经以项目主承担单位的身份，和其他八家企业和大学联合承担完成国家在超高纯大尺寸靶材产业技术开发项目。原材料优势。美国和日本制造企业，其制造钽靶材及环件的原材料均需对外采购，而我们集团具备原料的生产能力，从而使得产品的致性能够得到充分的保证，这是个很重要的优势所在。地理位置优势。导体芯片镀膜技术发展的必由之路，因此，半导体溅射用高性能钽靶材及环件产品，就成为了计算机芯片镀膜的关键耗材之。时，会出现镀膜中的向片的原子扩散现象，为改变此现象，芯片镀膜工艺上就采用了来作为防止向扩散的阻挡层材料，从而也使得溅射靶材由原来的系列向系列发展，这也是半项目意义随着半导体技术的不断进步，计算机芯片集成化程度越来越高，当芯片线宽由原来的减小到划平面示意图„„„„„„„„„„„„„„项目的意义和必要性安全与环境评价„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„八项目风险分析„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„附件主管部门签字„„„„„„„„„„„„„„„„„„„附件靶材厂房规„„„„„„合作销售商简介„„„„„„„„„„„„„„„„„„„希望推进的使用商简介„„„„„„„„„„„„„„„„切入市场价格情况„„„„„„„„„„„„„„„„„„七„„„核准通过，归档资料。未经允许，请勿外传,销售策略„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„目前计划切入的市场基本情况„„„„„„„„„„产品预计销售价格„„„„„„„„„„„„„„„„„„盈亏平衡分析„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„项目完成后可实现新增产值„„„„„„„„„„„„„„六市场切入情况„„„„„„„„„„„„„„„„„成本计算„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„总投资规模„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„投资使用方案„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„五经济效益分析„„„„„„„„„„„„„„„„建设工期和进度安排„„„„„„„„„„„„„„„„„四项目投资„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„项目规模及主要内容„„„„„„„„„„„„„„„„„实施的工艺路线„„„„„„„„基础„„„„„„„高性能钽靶材和钽环件成品加工技术基础„„„„„„„„取得的专利情况„„„„„„„„„„„„„„„„„„„三建设方案„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„项目的技术基础„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„高性能钽靶材和钽环件用坯料制备技术项目意义„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„项目必要性„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„二项目的意义和必要性„„„„„„„„„„„„„„„„„„项目意义„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„项目必要性„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„二项目的技术基础„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„高性能钽靶材和钽环件用坯料制备技术基础„„„„„„„高性能钽靶材和钽环件成品加工技术基础„„„„„„„„取得的专利情况„„„„„„„„„„„„„„„„„„„三建设方案„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„项目规模及主要内容„„„„„„„„„„„„„„„„„实施的工艺路线„„„„„„„„„„„„„„„„„„„建设工期和进度安排„„„„„„„„„„„„„„„„„四项目投资„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„总投资规模„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„投资使用方案„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„五经济效益分析„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„成本计算„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„产品预计销售价格„„„„„„„„„„„„„„„„„„盈亏平衡分析„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„项目完成后可实现新增产值„„„„„„„„„„„„„„六市场切入情况„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„目前计划切入的市场基本情况„„„„„„„„„„„„„核准通过，归档资料。未经允许，请勿外传,销售策略„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„合作销售商简介„„„„„„„„„„„„„„„„„„„希望推进的使用商简介„„„„„„„„„„„„„„„„切入市场价格情况„„„„„„„„„„„„„„„„„„七安全与环境评价„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„八项目风险分析„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„„附件主管部门签字„„„„„„„„„„„„„„„„„„„附件靶材厂房规划平面示意图„„„„„„„„„„„„„„项目的意义和必要性项目意义随着半导体技术的不断进步，计算机芯片集成化程度越来越高，当芯片线宽由原来的减小到时，会出现镀膜中的向片的原子扩散现象，为改变此现象，芯片镀膜工艺上就采用了来作为防止向扩散的阻挡层材料，从而也使得溅射靶材由原来的系列向系列发展，这也是半导体芯片镀膜技术发展的必由之路，因此，半导体溅射用高性能钽靶材及环件产品，就成为了计算机芯片镀膜的关键耗材之。溅射用高性能钽靶材及环件的制备技术目前世界上只有美国和日本两国拥有，与其相关的技术也极为保密，世界各地的溅射机台用高性能钽靶材及环件也都由这两国提供，包含出口给中国。钽业四分厂车间从年开始，进行高性能钽靶材内部组织控制技术的研究和钽环件制造技术的研究，经过两年多的艰苦摸索，已掌握了该技术。自年开始，分厂逐渐以高性能钽靶材坯料产品的形式出口，并且此类产品成为了分厂主要产品之。年，钽靶材扩散焊技术获得突破，同时型钽靶材加工制造技术也获得突破，从而使我们现在也具备了加工高性能钽靶材和钽环件成品的技术基础和能力。年，我分厂生产加工成品钽靶材及环件套，各项检测指标均达到客户要求，其中套成品靶材在上海先进材料公司进行上机试验，试验结果同该公司使用其他供应商提供靶材使用结果致。随着中国半导体制造产业的发展，国内对高性能钽靶材及钽环件的需求也越来越大，目前国内市场的高性能钽靶材和钽环件全部依靠进口，其中有部分成品钽靶材和钽环件的原材料坯料由我们提供，这类产品的基本模式为宁夏生产钽坯料低价格出口到美国美国完成成品加工出售给中国或其他国家芯片制造厂高价格。这种模式不但增加了中国半导体行业的生产成本，更重要的是严重阻碍了中国半导体行业的自主研发能力。所以，我们进行高性能钽靶材和钽环件的成品加工，不但可以提升我们企业的技术水平，增加利润，增强抵御市场的风险能力，完善钽材加工产业链，还可以为中国的半导体产业发展提供坚实的材料基础，意义重大。项目必要性产品技术附加值大幅提高。以同种型号靶材和环件市场价格举例出口块钽靶材坯料，售价约块，而块成品钽靶材的售价是块出口套钽环件散件，售价约套，而套成品钽环件的售价是套。提升企业形象，稳定世界三强地位。项目形成产业化后，除进步稳定我们世界钽铌三强地位外，也进步提高了我们在钽深加工领域上的技术实力，逐步形成我们在世界市场上的主导地位。同时借助产业化的装备与技术实力，为拓展其它金属靶材的技术开发奠定基础，如靶等，逐步可实现金属靶产业多元化，增强我们抵御市场风险能力。国家的推动力。为推动我国集成电路制造产业的发展，提升我国集成电路制造装备工艺及材料技术的自主创新能力，年月日，国务院总理温家宝主持召开国务院常务会议，审议并通过核心电子器件高端通用芯片及基础软件产品和极大规模集成电路制造装备及成套工艺两个国家科技重大专项。中色东方集团已经以项目主承担单位的身份，和其他八家企业和大学联合承担完成国家在超高纯大尺寸靶材产业技术开发项目。原材料优势。美国和日本制造企业，其制造钽靶材及环件的原材料均需对外采购，而我们集团具备原料的生产能力，从而使得产品的致性能够得到充分的保证，这是个很重要的优势所在。地理位置优势。中国及亚洲是最大的高性能能钽靶材及钽环的消耗市场，并且将继续保持以较高速率发展，目前中国及亚洲市场钽靶材主要来自美国和日本。二项目的技术基础高性能钽靶材和钽环件用坯料制备技术基础应用于半导体行业的高性能钽靶材和钽环件，其中最重要的技术要求是材料内部组织符合要求并能保持加工的致性。在材料的控制方面，我们通过自治区科技攻关项目高性能钽靶材研制和公司科技攻关项目溅射钽环件生产工艺研究，获得稳定可靠的高性能钽靶材坯料以及钽环件坯料的加工工艺。具体取得的成果分述如下高性能钽靶材研制高性能钽靶材研制被列入年度自治区科技攻关项目，该项目于年完成，并形成批量销售。取得的技术突破化学成份和力学性能均符合标准，其中纯度晶粒度控制在之间，并且均匀致再结晶度平整度粗糙度结晶取向在厚度方向呈织构。市场情况通过该项目的研究，已确定出合理科学的溅镀膜用高性能钽靶材生产工艺，产品质量执行美国哈尼威尔公司标准，技术水平达到国际先进。制定了企业标准钽铌靶材表面质量检测标准。产品已得到等国内外用户的认可，填补国内空白。产品质量得到等国际上大的半导体靶材提供商的认证，质量稳定可靠，已形成批量销售。详细销售情况见表所有钽靶材表年至年月钽靶材销售表溅射钽环件生产工艺研究溅射钽环件生产工艺研究年立题，年完成阶段性成果，即完成溅射钽环件坯料的制备工艺研究。取得的技术突破项目时间合计重量销售额万元溅射钽环件用钽条晶粒尺寸在，并均匀致溅射钽环件用钽条同板差小于溅射钽环件用钽凸结体的加工工艺，采用压力成型及精加工工艺，保证钽凸结体对尺寸公差及形位公差的要求。市场情况产品研发成功后，产品质量得到国外多家用户认可，形成批量销售。详细销售情况见表，表表年至年月钽条销售表项目时间合计重量销售额万元表年至年月钽环件销售表项目时间合计重量销售额万元高性能能钽靶材和钽环件成品加工技术基础通过自治区科技攻关项目高