红外和高亮度，是目前生产量和需求量最大增长率最快的化合物半导体器件之。

但是由于国内没有生产该产品的企业，使国内企业对该产品的需求主要依赖进口。

产业化国家火炬计划产业化项目立项申报申请报告免费在线阅读晶向有定的夹角，这导致了水平单晶的切片，般都要斜切因而切片技术难度较大，为使所切晶片上电学参数尤其是载流子浓度均适的结晶速度这重要参数。

固液界面特种加热炉可很好调整固液界面形状，这对生长不同晶向晶体降低位错密度，提高成品率都十分重要。

单晶生长过程中固液界面形状的控制是提高成品率的关键技术。

在水平单晶生长过度是另个重要的技术参数因为熔体结晶的快慢与结晶潜热的产生，正常传递密切相关，结晶速度控制不当，会严重干扰内加热炉所形成的温度分布，进而影响单剂的分凝是以固液界面为界线的，如果单晶生长过程中固液界面与生长方向之间角度和所切晶片晶向与单晶生长方向之间角度不致，所切晶片上的程中，无法完全按器件制造所要求的晶向生长，即晶体生长方向与晶片的差，使增大，从而降低成品匀分布，固液界面也必须与生长方向成定角度。

延材料及器件的成品率和性能造成不良影响。

角度不致还有可能在晶体内部出现热应力而导致晶体完整性管状加热炉除了无法得到所需偏角以外，还很难调制因此，固液界面只能与生长方向垂直，无法得到所需要的偏角。

率。

八年第九年第十年生产负荷原材料及辅助延材料及器件的成品率和性能造成不良影响。

角度不致还有可能在晶体内部出现热应力而导致晶体完整性单晶生长过程中固液界面形和高亮度，是目前生产量和需求量最大增长率最快的化合物半导体器件之。

但是由于国内没有生产该产品的企业，使国内企业对该产品的需求主要依赖进口。

衡。

财务分析结论由以上财务数据可见，本项目投资回收期较短，投资利润率投资利税率内部收益率较不确定性分析盈亏平衡分析盈亏平衡点产量销量总固定成本产品价格单位变动成本吨当产量为吨时，达到盈亏平衡。

财务分析结论由以上财务数据可见，本项目投资回收期较短，投资利润率投资利税率内部收益率较高，当产品产量为吨时，即达到盈亏平衡。

社会效益分析水平砷化镓单晶近年来大量用于红外和高亮度，是目前生产量和需求量最大增长率最快的化合物半导体器件之。

但是由于国内没有生产该产品的企业，使国内企业对该产品的需求主要依赖进口。

本项目的实施，可以满足国内企业市场需求，替代进口产品，并可出口创汇。

同时，本项目的实施，将带动相关产业的发展，从而推动我国经济快速发展。

值的年份∣上年度累计净现金流量∣当年净现金流量∣∣年含建设期年预计在年月即可收回全部投资。

值的年份∣上年度累计净现金流量∣当年净现金流量∣∣年含建设期年预计在年月即可收回全部投资。

值的年份∣上年度累计净现金流量∣当年净现金流量∣∣年含建设期年预计在年月即可收回全部投资。

本项目内部收益率接近相关行业基准收益率。

该项目投资回收期短，投资收益可观，获利能力很强。

不确定性分析盈亏平衡分析盈亏平衡点产量销量总固定成本产品价格单位变动成本吨当产量为吨时，达到盈亏平衡。

财务分析结论由以上财务数据可见，本项目投资回收期较短，投资利润率投资利税率内部收益率较高，当产品产量为吨时，即达到盈亏平衡。

社会效益分析水平砷化镓单晶近年来大量用于红外和高亮度，是目前生产量和需求量最大增长率最快的化合物半导体器件之。

但是由于国内没有生产该产品的企业，使国内企业对该产品的需求主要依赖进口。

本项目的实施，可以满足国内企业市场需求，替代进口产品，并可出口创汇。

同时，本项目的实施，将带动相关产业的发展，从而推动我国经济快速发展。

总成本费用估算表序号年份项目投产期生产期合计第年第二年第三年第四年第五年第六年第七年第八年第九年第十年生产负荷原材料及辅助率。

国内外在水平单晶研究开发中，多年来都是使用管状加热炉。

因此，固液界面只能与生长方向垂直，无法得到所需要的偏角。

管状加热炉除了无法得到所需偏角以外，还很难调制固液界面本身的平坦度载流子浓度会形成浓度梯度，即得不到均匀分布，这会对在晶片上生长外延材料及器件的成品率和性能造成不良影响。

角度不致还有可能在晶体内部出现热应力而导致晶体完整性差，使增大，从而降低成品匀分布，固液界面也必须与生长方向成定角度。

因为杂质主要是掺杂剂的分凝是以固液界面为界线的，如果单晶生长过程中固液界面与生长方向之间角度和所切晶片晶向与单晶生长方向之间角度不致，所切晶片上的程中，无法完全按器件制造所要求的晶向生长，即晶体生长方向与晶片的晶向有定的夹角，这导致了水平单晶的切片，般都要斜切因而切片技术难度较大，为使所切晶片上电学参数尤其是载流子浓度均适的结晶速度这重要参数。

固液界面特种加热炉可很好调整固液界面形状，这对生长不同晶向晶体降低位错密度，提高成品率都十分重要。

单晶生长过程中固液界面形状的控制是提高成品率的关键技术。

在水平单晶生长过度是另个重要的技术参数因为熔体结晶的快慢与结晶潜热的产生，正常传递密切相关，结晶速度控制不当，会严重干扰内加热炉所形成的温度分布，进而影响单晶正常生长，本项目在对热场配置进行优化时，兼顾了采用合炉的设计，各段炉温的单独控制及其协调配合控制也进行了反复实验研究并不断进行了优化，对提高单晶生长成品率发挥了重要作用。

单晶生长速度有时也称为结晶速度本工艺中视为石英反应管相对于加热炉的相对移动速消耗了，使反应向右继续进行，加剧了向中的并入。

反应与温度关系密切，如将温度升到以上，反应基本停止，从而可抑制反应向右方进行故将该温区温度维持在以上。

我们对多段反应生成气相逸出，二者差值，造成中的并入。

高温区的气相扩散到中温区发生如下反应反应分别表示液固气相。

反应使进入，反应使部分与的污染。

污染是由于舟石英管都是石英即材料易于使并入熔体和单晶中。

抑制污染的机理是在合成和晶体生长中，高温区发生熔体中的与石英反应步法，即先合成多晶然后再次备料生长单晶，备好的多晶放入两温区多段加热炉中生长单晶谓之无砷端生长技术。

两温区炉高温区温度为。

中温区为。

这种加热结构既得到所需的温度分布，又可抑制生长过程中即温度梯度合适才有可能生长出合格单晶，公司技术人员经过反复实验比较不断优化，设计出了合理热场，优化了温度分布，为提高单晶生长成品率实现该工艺的产业化创造了又个有利条件。

本项目中，单晶生长采用两生长中，熔体与舟不粘接，单晶生长完成后，单晶顺利脱舟。

纵向温度分布技术通过中高温热场的合理配置，提高晶片的纵向均匀性，有利于提高成品率。

本项目所设计的水平单晶炉是种多段式两温区炉，只有热场配置合理使晶体报废。

本项目承担单位国瑞公司经多年研究实践找到了解决粘接问题的良好方法，成为本公司项独特的专有技术石英舟预处理技术，该项技术主要是在适当的溶剂中进行热处理，它可保证在长达天的单晶连续的晶体完整性好符合产品技术指标。

这个问题曾是困扰单晶生长的个较严重问题。

很多单位曾试用过石英舟表面涂碳，碳舟虽可避免粘接问题，但碳易大量掺入晶体成为有害杂质，从而单晶生长是在密封于石英反应管中的石英舟中进行的，因此首先要解决的是石英舟与熔体的粘舟问题。

只有不粘舟才能保证单晶生长顺利，不出多晶孪晶。

生长完成后，晶体易从舟中取出脱舟良好且生长的单晶生长是在密封于石英反应管中的石英舟中进行的，因此首先要解决的是石英舟与熔体的粘舟问题。

只有不粘舟才能保证单晶生长顺利，不出多晶孪晶。

生长完成后，晶体易从舟中取出脱舟良好且生长的晶体完整性好符合产品技术指标。

这个问题曾是困扰单晶生长的个较严重问题。

很多单位曾试用过石英舟表面涂碳，碳舟虽可避免粘接问题，但碳易大量掺入晶体成为有害杂质，从而使晶体报废。

本项目承担单位国瑞公司经多年研究实践找到了解决粘接问题的良好方法，成为本公司项独特的专有技术石英舟预处理技术，该项技术主要是在适当的溶剂中进行热处理，它可保证在长达天的单晶连续生长中，熔体与舟不粘接，单晶生长完成后，单晶顺利脱舟。

纵向温度分布技术通过中高温热场的合理配置，提高晶片的纵向均匀性，有利于提高成品率。

本项目所设计的水平单晶炉是种多段式两温区炉，只有热场配置合理即温度梯度合适才有可能生长出合格单晶，公司技术人员经过反复实验比较不断优化，设计出了合理热场，优化了温度分布，为提高单晶生长成品率实现该工艺的产业化创造了又个有利条件。

本项目中，单晶生长采用两步法，即先合成多晶然后再次备料生长单晶，备好的多晶放入两温区多段加热炉中生长单晶谓之无砷端生长技术。

两温区炉高温区温度为。

中温区为。

这种加热结构既得到所需的温度分布，又可抑制生长过程中的污染。

污染是由于舟石英管都是石英即材料易于使并入熔体和单晶中。

抑制污染的机理是在合成和晶体生长中，高温区发生熔体中的与石英反应分别表示液固气相。

反应使进入，反应使部分与反应生成气相逸出，二者差值，造成中的并入。

高温区的气相扩散到中温区发生如下反应反应消耗了，使反应向右继续进行，加剧了向中的并入。

反应与温度关系密切，如将温度升到以上，反应基本停止，从而可抑制反应向右方进行故将该温区温度维持在以上。

我们对多段炉的设计，各段炉温的单独控制及其协调配合控制也进行了反复实验研究并不断进行了优化，对提高单晶生长成品率发挥了重要作用。

单晶生长速度有时也称为结晶速度本工艺中视为石英反应管相对于加热炉的相对移动速度是另个重要的技术参数因为熔体结晶的快慢与结晶潜热的产生，正常传递密切相关，结晶速度控制不当，会严重干扰内加热炉所形成的温度分布，进而影响单晶正常生长，本项目在对热场配置进行优化时，兼顾了采用合适的结晶速度这重要参数。

固液界面特种加热炉可很好调整固液界面形状，这对生长不同晶向晶体降低位错密度，提高成品率都十分重要。

单晶生长过程中固液界面形