目标,合并不同类型空间填充曲线来提供最大区域填充效率可能性也是值得研究。
附件外文原文二中文字出处,附件外文资料翻译译文基于空间填充的宽带圆极化缝隙天线作者,摘要基于空间填充曲线的使用,宽带圆极化微带缝隙天线被提出。
宽带性能在不增加整个天线尺寸的前提下通过合并几种不同的缩减规模的空间填充缝隙天线的岛型合成物来实现。
该技术提供了对应广泛频岛型空间填充曲线被用于发展宽带和圆极化缝隙天线。
不同于通常那些为了无源微波器件和天线小型化空间填充曲线应用,我们所提出宽频带天线设计是基于岛型空间填充曲线组合物。
在原始面积相同情况下,能实现在宽频率范围内提供不同谐振缝隙长度。
已开发出天线拓扑结构是通过合并那些改良空间填充缝隙天线降尺度副本得到。
这种改良后缝隙天线由两个正交单片岛型空间填充结构副本组成。
虽然改良缝隙天线和最终天线不是空间填充结构,但它们是基于空间填充曲线。
由于所得到天线结构多谐振属性,这样结构所能达到带宽取决于组成最终结构降尺度副本数目。
另方面,在所提出设计中空间填充曲线作用在于在其区域填充高效,这使得在不增加天线整体尺寸情况下能够使用多个降尺度副本来提供不同谐振缝隙长度即,路径。
把二次迭代摩尔空间填充曲线作为个天线原始拓扑结构可开发出具有带宽。
该天线具有个总面积,用于在千兆赫频率范围内进行处理。
且具有分贝最大增益。
最后,在该宽频带天线中引入不对称结构以实现圆极化性能。
圆极化性能实现需将所有平行结构中位于边垂直缝隙和所有内部缝隙替代成接地板,同时将微带馈送线沿对角线方向准确放置。
所开发出圆极化天线在所有频率范围内具有轴比带宽。
二论文中天线设计宽带缝隙天线论文中天线拓扑结构是基于微带馈电方形环缝隙应用。
如图所示,在第个设计步骤中,用二次迭代岛型摩尔空间填充曲线代替方形环缝隙天线。
缝隙总长度等于个波长。
此外,如图所示,添加另个正交二次迭代摩尔曲线到原来曲线上。
这种拓扑结构是对称并具有对应于不同频率谐振缝隙长度。
因此,它具有比单个二次迭代摩尔缝隙天线更宽带宽。
然而,从图中可以看出,所得到结构中在其中心仍有个区域未被使用。
在第二个设计步骤中,为了增加天线带宽,将该结构两个不同降尺寸副本如图和插入到如图所示可用区域内部,。
最终所得天线拓扑结构如图所示,有不同谐振缝隙长度即,路径并可作为具有宽带性能多谐振天线使用。
最后使用个微带馈线结构来同时激励所有谐振缝隙。
用电磁模拟器分析所设计缝隙天线。
仿真环境中考虑了电介质和导体损耗,应用了波去嵌入技术延伸。
这样设置考虑了端口上真实入射和反射波,从而确保散射参数精确测定。
该天线在泰康利基板上制作在约工作。
微带馈线印在基板背面上,具有毫米宽度。
由于结构完全对称,馈线需放置在任何边中心,并且用个匹配短截线来进行阻抗匹配。
通过延伸微带馈线到该结构边缘外来实现最佳匹配。
如图,对称缝隙天线拓扑外侧长度为,内侧长度为,缝隙宽度为。
如图,第个降尺寸结构外侧长度为,内侧长度为,缝隙宽度为。
最后,如图,第二个降尺寸结构边长为,缝隙宽度为。
为了进行比较,对具有相同面积两个基本相似结构进行仿真。
第个是单片方环缝隙天线,外侧长度为,缝隙宽度为。
第二个是嵌套方环缝隙天线,与所研究天线具有相同尺寸,如图所示。
仿真得这三种结构即,所研究天线,单片方环和嵌套方环回波损耗如图所示。
测得所研究天线回波损耗也可见图。
单片方环缝隙天线和嵌套方环缝隙天线都有复谐振特性。
单片方环和嵌套方环缝隙天线带宽分别为和。
该天线宽带性能良好,其带宽为。
因为最终得到天线是由不同谐振缝隙长度保证了宽带性能,所以这些结果完全是预期之内。
同时也已经证实回波损耗仿真结果和测量结果相吻合。
开发出缝隙天线照片如图。
仿真所得沿缝隙磁流分布如图所示,分别在两个对应于最小回波损耗点频率上。
所有缝隙都尽量实现辐射对称特性,这表明了空间填充曲线在较宽频率范围内能够提供多谐振缝隙长度即,路径是有效。
另方面,上层缝隙在更高频率上起到作用是有限。
该天线在两个不同频率仿真所得辐射图形如图族风俗习惯不存在矛盾,能促进城市发展,具有较强的社会适应性。
社会风险分析风险分析项目是公用事业建筑,与其它行业建设项目在风险因素识别方面存在显著区别,主要风险体现在以下几个方面资金风险社会评价本项目资金来自政府自筹,资产臵换的方式,如出现特殊情况,中断或延误资金供应,将会影响项目建设。
工程风险主要指因工程地质水文地质和设计等因素发生重大变化,导致工程量增加投资增加工期拖延所造成的损失。
财务风险主要指项目建设超支造成的投资风险。
风险防范措施工程风险控制首先,通过加强地质水文勘察测量工作,并在设计和施工阶段全面考虑工程风险因素,采取针对性措施,可以避免和降低工程风险危害。
其次对工程质量进行控制,加强工程质量监理工作的管理,建立本项目的质量控制体系,对工程质量进行跟踪检查监督和控制督促检查工程建设是否符合国家有关规范和设计图纸的要求检查工程材料和机电设备是否符合要求对工序交接隐蔽工程检查设计的变更质量事故的处理质量和技术鉴证进行控制对出现违反质量规定的事件,容易形成质量隐患的做法采取措施予以制止。
建立并实施质量日记质量汇报会等制度以了解和掌握质量动态,及时处理质量问题。
财务控制对财务风险进行风险预测,采取相应的防范措施。
熟悉项目设计图纸与设计要求,分析项目价格构成因素,事前分析费用最容易突破社会评价的环节,从而明确投资控制的重点。
确定投资控制目标并加以分解,形成投资目标控制体系,制定工程费用支出计划并付诸实施,在计划执行过程中对其进行跟踪检查,收集有关反映费用支出的数据,将实际费用支出额与计划费用支出额进行比较,发现偏差及时分析原因,提出改进方案,采取有效措施加以控制,以保证控制目标的实现。
加强进度控制,编制及审核项目馈线到该结构边缘外来实现最佳匹配。
如图,对称缝隙天线拓扑外侧长度为,内侧长度为,缝隙宽度为。
如图,第个降尺寸结构外侧长度为,内侧长度为,缝隙宽度为。
最后,如图,第二个降尺寸结构边长为,缝隙宽度为。
为了进行比较,对具有相同面积两个基本相似结构进行仿真。
第个是单片方环缝隙天线,外侧长度为,缝隙宽度为。
第二个是嵌套方环缝隙天线,与所研究天线具有相同尺寸,如图所示。
仿真得这三种结构即,所研究天线,单片方环和嵌套方环回波损耗如图所示。
测得所研究天线回波损耗也可见图。
单片方环缝隙天线和嵌套方环缝隙天线都有复谐振特性。
单片方环和嵌套方环缝隙天线带宽分别为和。
该天线宽带性能良好,其带宽为。
因为最终得到天线是由不同谐振缝隙长度保证了中文字出处,附件外文资料翻译译文基于空间填充宽带圆极化缝隙天线作者,摘要基于空间填充曲线使用,宽带圆极化微带缝隙天线被提出。
宽带性能在不增加整个天线尺寸前提下通过合并几种不同缩减规模空间填充缝隙天线岛型合成物来实现。
该技术提供了对应广泛频率不同谐振槽长度。
通过合并三种缩减规模第二迭代复合摩尔缝隙天线可开发宽频带缝隙天线。
这种天线具有带宽为,约千兆赫,比起方形环缝隙天线高出因数,比起嵌套方形环缝隙天线高出因数。
已开发出缝隙天线最大增益为,总面积为。
此外,通过在所提出缝隙天线中引入不对称特性将所有平行缝隙结构中边和所有内部缝隙替代成接地板可实现圆极化。
这种圆极化缝隙天线轴比带宽为且。
所提出缝隙天线通过使用电磁模拟器实现了设计和仿真设计。
研制出天线测量值与仿真结果相吻合。
关键词宽带天线,圆极化天线,不规则天线,缝隙天线,空间填充曲线。
引言宽带天线设计需解决高频高速数据速率无线通信系统中面临挑战性问题。
印刷天线可以方便地与单片微波集成电路集成,是种成本低,低调高效解决方案。
在不同印刷天线拓扑结构中,缝隙天线被认为是最适用于宽带应用。
范围阻抗带宽已有报道。
尽管微带馈电缝隙天线结构不被认为是宽带拓扑结构,由于其可能同时用于宽波段处理和圆极化,目前受到很多研究和关注。
最近,据报告个宽带微带馈电双向半圆缝隙天线具有带宽。
这种结构具有带宽比个普通圆环缝隙天线大倍。
另种已研制出结构,应用了微带馈电多谐振单缝隙天线,能提供带宽为约。
另方面,中提出圆极化微带馈电方形环缝隙天线。
其设计是在方形环缝隙结构中引入个迂回缝隙以实现不对称,同时在此以放置馈线。
该天线具有约轴比带宽。
近日,为了结构小型化,开放式结构空间填充曲线被提出用于发展共面波导馈电不规则缝隙天线。
为了这个目,仅限在面积减小情况下,由个具有相同电气特性空间填充曲线代替常规缝隙。
二次迭代谢尔宾斯基缝隙天线工作在约。
它体现了种面积被限制在平方厘米ƛƛ紧凑设计,其带宽为,增益为。
另方面,第迭代闵可夫斯基不规则缝隙天线带宽为,增益为,并且面积被限制在平方厘米。
在本文中,示。
总电场以两个不同方位角绘制。
在时,计算出最大天线增益为。
主束点在和垂直对准,比如侧面类似于磁偶极子。
然而,在高频率时,辐射图在天线平面附近和有些不连续地方,如图。
这主要是由于所使用厚电介质基板在高阶模式容易被激发,从而产生图形,和使用模拟器步骤准确性无关。
圆极化缝隙天线基于以上宽带设计,在缝隙结构中引入不对称性来研究圆极化天线,如图所示。
不对称性实现需将所有平行结构中位于边垂直缝隙和所有内部缝隙替代成接地板,同时将微带馈送线沿对角线方向准确放置。
该圆极化天线结构如图所示。
该圆极化缝隙天线在泰康利基板,上以相同宽带结构尺寸开发。
圆极化缝隙天线仿真和测量回波损耗分别如图所示。
该器特点进行了讨论。
对半导体传感器具体功能和这些微量杂质检测进行了测定。
对由传感器产生信号大小在和传感层进行检测,涉及到检测,和浓度。
通过半导体传感器检测目标杂质敏感性反应使其适合衡量卫生区和检测大气中臭氧水平最高允许浓度。
对用半导体气体传感器气体分析仪在开放环境中测定气体杂质实例加以说明。
简介在世纪年代研究工作集中于为什吗半导体电物理特性影响气体吸附。
从那时起半导体工程取得了重大进展但也提出来反问题,即从检测半导体电物理特性变化检测气体杂质。
然而,相对于半导体器件被立即纳入科学和技术各个领域半导体传感器,它经历了个漫长过程,即从实验室模型到大规模生产。
这领域进步很大程度上归功于由领导卡尔






























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