量表 序号 年份 项目 投产期生产期合计 第年第二年第三年第四年第五年第六年第七年第八年第九年第十年 生产负荷 现金流入 产品销售收入 回收固定资产余值 回收流动资金 现金流出量 固定资产投资 流动资金投资 经营成本 销售税金及附加 所得税 净现金流量 累计净现金流量 净现值 单晶生长系统，该生长系统在国 际上未见成型产品，本项目单位根据多年工艺技术积累，选用精密的温控仪表 欧陆智能式温控仪和机械传动系统双向导轨和同步进电机带动精密丝杠组 合，可保证在长达天的单晶生长过程中温控精度，炉体移动速度 最低时小时爬行不大于。

采用优质管支撑石英反应管使石 英反应管长期处于高温下时膨胀度不至影响单晶生长反应管外径 扩大不超过。

石英舟的预处理技术 单晶生长是在密封于石英反应管中的石英舟中进行的，因此首先要 解决的是石英舟与熔体的粘舟问题。

只有不粘舟才能保证单晶生长顺利，不出 多晶孪晶。

生长完成后，晶体易从舟中取出脱舟良好且生长的晶体完整 性好符合产品技术指标。

这个问题曾是困扰单晶生长的个较 严重问题。

很多单位曾试用过石英舟表面涂碳，碳舟虽可避免粘接问题，但 碳易大量掺入晶体成为有害杂质，从而使晶体报废。

本项目承担单位国瑞 公司经多年研究实践找到了解决粘接问题的良好方法，成为本公司项 独特的专有技术石英舟预处理技术，该项技术主要是在适当的溶剂中进行 热处理，它可保证在长达天的单晶连续生长中，熔体与舟不粘接，单晶生长 完成后，单晶顺利脱舟。

纵向温度分布技术 通过中高温热场的合理配置，提高晶片的纵向均匀性，有利于提高成品率。

本项目所设计的水平单晶炉是种多段式两温区炉，只有热场配置合理即温度梯 度合适才有可能生长出合格单晶，公司技术人员经过反复实验比较不断优化， 设计出了合理热场，优化了温度分布，为提高单晶生长成品率实现该工艺的产 业化创造了又个有利条件。

本项目中，单晶生长采用两步法，即先合成多晶然后再次备料生长单 晶，备好的多晶放入两温区多段加热炉中生长单晶谓之无砷端生长技术。

两 温区炉高温区温度为。

中温区为。

这种加热结构既 得到所需的温度分布，又可抑制生长过程中的污染。

污染是由于舟石英管都是石英即材料易于使并入熔体和单 晶中。

抑制污染的机理是 在合成和晶体生长中，高温区发生熔体中的与石英反应 在进步综合优化现有工艺技术基础上， 使单晶成品率由现在的增加到。

。

使 单晶成品率由现在的增加到，。

以进步提高 产品的性价比从而增强其竞争力。

第三阶段整理各种资料，作好项目技术总结报请项目 验收。

第章概述 项目提出背景 砷化镓单晶是种重要的半导体光电子和高速高频用半导体微电子 材料，在国际上其产量仅次于硅。

工艺是研究开发最早的单晶生长工艺， 也是目前生产量最大的工艺，单晶年产量占全世界单晶年产量的 年全球的单晶产量约。

单晶生长设备及生长过程涉及到物理化学冶金学自动控制 机械工艺等多个学科，技术含量高，批量生产工艺难度大，日本美国等少数 厂家在上世纪八十年代前后即开始批量生产，但其所使用的生产设备生产工 艺及晶片加工技术对外严格保密。

国际上单晶生产以日本住友电工公司为主，其产量约占全世界产量 的年为，所提供的晶片以，为主。

，水平砷化镓单晶近年来大量用于红外和高亮度，是 目前生产量和需求量最大增长率最快的化合物半导体器件之。

但是由于国内 目前还没有生产该产品的企业，使国内企业对该产品的需求主要依赖进口，造成 大量资金流向国外。

本项目产品的研发工作正是在这背景下提出并开展的。

技术开发状况 水平砷化镓单晶材料产业化年被原国家计委批复为国家高技术产 业化示范工程项目，并于年通过中国有色金属工业协会组织的科技成果鉴 定，鉴定结果为