1、以下这些语句存在若干问题，包括语法错误、标点使用不当、语句不通畅及信息不完整——“.....江苏信息职业技术学院毕业设计论文参考文献张渊主编，半导体制造工艺。北京机械工业出版社，。半导体制造技术。韩子束的入射方向偏转离子束流半径增大，导致掺杂不均匀，难以控制电荷积累还会损害表面氧化层，使栅绝缘绝缘能力降低，甚至击穿。解决的办法是用电子簇射器向表面发射电子，或用等离子体来中和掉积累的正电荷。离子束流量检测及剂量控制是通过法拉第杯来完成的。然而离子束会与电流感应器反应产生二次电子，这会正常测量偏差。在法拉第杯杯口附加个负偏压电极以防止二次电子的逸出，获得精确的测量值。电流从法拉第杯传输到积分仪，积分仪将离子束电流累加起来，结合电流总量和注入时间，就可计算出掺入定剂量的杂质需要的时间参考文献。离子注入工艺及设备研究第五章离子注入工艺中存在的问题沟道效应入射离子与之间有不同的相互作用方式，若离子能量够高，则多数被注入到内部反之......”。

2、以下这些语句存在多处问题，具体涉及到语法误用、标点符号运用不当、句子表达不流畅以及信息表述不全面——“.....则临界剂量越小。离子注入层的电特性注入到半导体中的受主或施主杂质大部分都停留在间隙位置处，而处在这个江苏信息职业技术学院毕业设计论文,位置上的杂质原子是不会释放出载流子的，也就不会改变半导体的电特性，达不到掺杂的目的。经过适当温度的退火处理，可以使注入杂质原子的全部或大部分从间隙位置进入替位位置而释放出载流子，从而改变半导体的电特性。这个过程称为杂质原子的电激活。退火处理也可以减少注入损伤。退火目的消除注入损伤，并使注入的杂质原子进入替位位置而实现电激活。机理使移位原子与注入的杂质原子在高温下获得较高的迁移率而在晶体中移动，从间隙位置进入替位位置。退火技术可分为热退火与快速热退火。热退火的温度范围为。退火会改变杂质的分布。实验发现退火后的实际杂质分布比通常预测的要深，原因是离子注入时形成的高浓度缺陷增强了杂质的扩散......”。

3、以下这些语句在语言表达上出现了多方面的问题，包括语法错误、标点符号使用不规范、句子结构不够流畅，以及内容阐述不够详尽和全面——“.....正离子就会向电压较低的电极板侧偏转，改变电压大小就可以改变离子束的偏转角度。静电扫描系统使离子流每秒钟江苏信息职业技术学院毕业设计论文横向移动多次，纵向移动移动次。静电扫描过程中，固定不动，大大降低了污染几率，而且由于带负电的电子和中性离子不会发生同样的偏转，这样就可以避免被掺入到当中。终端系统终端系统就是接受离子注入的地方，系统需要完成的承载与冷却正离子的中和离子束流量检测等功能。离子轰击导致温度升高，冷却系统要对其进行降温，防止出现由于高温而引起的问题，有气体冷却和橡胶冷却两种技术。冷却系统集成在载具上，载具有多片型和单片型两种。离子注入的是带正电荷的离子，注入时部分正电荷会聚集在表面，对注入离子产生排斥作用，使入对颗粒污染非常敏感，表面的颗粒会阻碍离子束的注入，大电流的注入会产生更多颗粒......”。

4、以下这些语句该文档存在较明显的语言表达瑕疵，包括语法错误、标点符号使用不规范，句子结构不够顺畅，以及信息传达不充分，需要综合性的修订与完善——“.....随着工艺技术的不断发展,离子注入机的不断更新,该技术将在半导体工艺中发挥越来越重要的作用。离子注入法掺杂相比扩散法掺杂来说，它的加工温度低容易制作浅结均匀的大面积注入杂质易于自动化等优点。目前，离子注入法已成为超大规模集成电路制造中不可缺少的掺杂工艺。离子注入是作为种半导体材料的掺杂技术发展起来的，它所取得的成功是其优越性的最好例证。低温掺杂精确的剂量控制掩蔽容易均匀性好这些优点，使得经离子注入掺杂所制成的几十种半导体器件和集成电路具有速度快功耗低稳定性好成品率高等特点。对于大规模超大规模集成电路来说，离子注入更是种理想的掺杂工艺。如前所述，离子注入层是极薄的，同时，离子束的直进性保证注入的离子几乎是垂直地向内掺杂，横向扩散极其微小，这样就有可能使电路的线条更加纤细，线条间距进步缩短，从而大大提高集成度。此外......”。

5、以下这些语句存在多种问题，包括语法错误、不规范的标点符号使用、句子结构不够清晰流畅，以及信息传达不够完整详尽——“.....注入内部的原子会与晶格原子发生不同程度的碰撞，离子运动过程中若未与任何粒子碰撞，它就可到达内部相当深的地方，这就是沟道效应。沟道效应将使离子注入的可控性降低，甚至使得器件失效。因此，在离子注入时需要抑制这种沟道效应。在表面淀积层非晶格结构材料或事先破坏掉表面较薄的层结晶层等都可降低沟道效应参考文献。损伤注入损伤由离子注入引起的大量空位和间隙原子等点缺陷，以及空位与其他杂质结合而形成的复合缺陷等，称为注入损伤。注入损伤与注入离子的能量质量剂量靶材料和靶温等有关。当许多损伤区连在起时就会形成连续的非晶层。开始形成连续非晶层的注入剂量称为临界剂量。当注入剂量小于临界剂量时，损伤量随注入剂量的增大而增加，当注入剂量超过临界剂量时，损伤量不再增加而趋于饱和。影响临界剂量的因素注入离子的质量越大，则临界剂量越小注入离子的能量越大，则临界剂量越小注入温度越低......”。

6、以下这些语句存在多方面的问题亟需改进，具体而言：标点符号运用不当，句子结构条理性不足导致流畅度欠佳，存在语法误用情况，且在内容表述上缺乏完整性。——“.....可使具有不同荷质比的离子依次通过光阑，测量这些不同荷质比的离子束流的强度，可得到入射离子束的质谱分布。加速聚焦器为了保证注入的离子能够进入，并且具有定的射程，离子的能量必须满足定的要求，所以，离子还需要进行电场加速。完成加速任务的是由系列被介质隔离的加速电极组成管状加速器。离子束进入加速器后，经过这些电极的连续加速，能量增大很多。与加速器连接的还有聚焦器，聚焦器就是电磁透镜，它的任务是将离子束聚集起来，使得在传输离子时能有较高的效益，聚焦好的离子束才能确保注入剂量的均匀性。扫描系统离子束是条直径约的线状高速离子流，必须通过扫描覆盖整个注入区。扫描方式有固定，移动离子束固定离子束，移动。离子注入机的扫描系统有电子扫描机械扫描混合扫描以及平行扫描系统，目前最常用的是静电扫描系统。静电扫描系统由两组平行的静电偏转板组成，组完成横向偏转，另组完成纵向偏转......”。

7、以下这些语句存在标点错误、句法不清、语法失误和内容缺失等问题，需改进——“.....梁瑞林。半导体器件新工艺。北京科学出版社，。，具有荷质比为的其它离子的偏转量为将前面的的表达式江苏信息职业技术学院毕业设计论文代入，得讨论为屏蔽荷质比为的离子，光阑半径必须满足若固定，则具有下列荷质比的离子可被屏蔽或而满足下列荷质比的离子均可通过光阑以上各式可用于评价分析磁体的分辨本领参考文献。磁质量分析器图磁质量分析器离子注入工艺及设备研究为向心力，使离子作圆周运动，半径为从上式可知，满足荷质比的离子可通过光阑。或者对于给定的具有荷质比为的离子，可通过调节磁场使之满足下式，从而使该种离子通过光阑，其余的离子则不能通过光阑，由此达到分选离子的目的。另外，若固定和......”。

8、以下文段存在较多缺陷，具体而言：语法误用情况较多，标点符号使用不规范，影响文本断句理解；句子结构与表达缺乏流畅性，阅读体验受影响——“.....可以大幅度提高集成电路的成品率。随着工艺上和理论上的日益完善，离子注入已经成为半导体器件和集成电路生产的关键工艺之。在制造半导体器件和集成电路的生产线上，已经广泛地配备了离子注入机。离子注入工艺及设备研究致谢本论文是在我的导师刘锡锋老师的亲切关怀和悉心指导下完成的。他严肃的科学态度，严谨的治学精神，精益求精的工作作风，深深地感染和激励着我。刘老师不仅在学业上给我以精心指导，同时还在思想生活上给我以无微不至的关怀，在此谨向刘老师致以诚挚的谢意和崇高的敬意。我还要感谢在起愉快的度过毕业论文小组的同学们，正是由于你们的帮助和支持，我才能克服个个的困难和疑惑，直至本文的顺利完成。在论文即将完成之际，我的心情无法平静，从开始进入课题到论文的顺利完成，有多少可敬的师长同学朋友给了我无言的帮助，在这里请接受我诚挚的谢意,最后我还要感谢培养我长大含辛茹苦的父母，谢谢你们,最后......”。

9、以下这些语句存在多方面瑕疵，具体表现在：语法结构错误频现，标点符号运用失当，句子表达欠流畅，以及信息阐述不够周全，影响了整体的可读性和准确性——“.....所以我们要尽可能地避免这种情况的发生。多数颗粒都是由于不正确的操作圆片不正确的抽真空步骤夹紧步骤充气时使用未过滤的气体以及强束流机的转盘造成的，因此在工艺加工过程中要规范谨慎参考文献。离子注入工艺及设备研究第六章离子注入质量检测颗粒污染测量检测表面的颗粒数，颗粒会造成掺杂的空洞。颗粒的可能来源有电极放电机械移动过程中的外包装注入机未清洁干净温度过高造成光刻胶脱落背面的冷却橡胶处理过程产生的颗粒。剂量控制掺杂剂量不合适导致方块电阻偏高或偏低。掺杂剂量不合适的原因有工艺流程离子束电流检测不够精确离子束中混入电子，造成计数器计算离子数量的，导致掺杂剂量过大退火问题。超浅结结深掺杂剖面不正确，高温会造成杂质再分布，增加结深以及横向掺杂效应沟道效应影响离子的分布......”。