1、来。将硅石与碳质还原剂按定比例均匀混合送入矿热炉内,在高新的参考。工业硅中杂质的强化析出及湿法去除研究原稿。酸浸温度的影响温度在浸出过程中起着重要的作用,通常升高温度能够使得浸出率增加,缩短反应时间。根据范特霍夫方程规则,对于均相热化学反应,反应温度每升高,其反应,等非金属杂质金属类杂质因其在硅中的分凝系数较小,大多以合金化合物形式聚集偏析,而,则主要以,金属盐的形存在。工业硅中杂质的强化析出及湿法去除研究原稿。酸浸时间的影响图为酸浸时间对工业硅非金属捣开,硅液沿着出硅口流出到抬包内。生产得到的工业硅纯度在之间,杂质来源主要是硅石和碳素材料包括石油焦精煤碳素电极等。般而言,工业硅中杂质主要有非金属元素,以及金属元素。
2、学反应,反应温度每升高,其反应工业硅熔体成分对杂质强化析出的影响通过调整熔体成份杂质含量,结合杂质富集杂质间化合物的形成,改善非金属杂质的扩散传质及其动力学条件,使杂质充分的扩散到晶界处,减少硅晶体内部杂质的含量。利用工业硅中杂质主要有非金属元素,以及金属元素,等。根据杂质在冶金硅中的存在形态不同,可以将其分为两类为固溶类杂质,这些杂质元素般以取代硅原子或充填间隙位置为主,主要包括,以及微量溶解于硅中的金属杂质质磷去除率影响,其实验条件为酸洗温度为液固比粒度为的工业硅。工业硅的生产工业硅是以硅石石英砂为原料,以碳质材料为还原剂,在矿热炉内冶炼得到。矿热炉又称之为埋弧炉,其结构是个带有耐火材料的炉膛,采用根电极,通电。
3、探索提高磷去除率的方法,实验证实了该方法的可行性温度越高则反应速率越快扩散过程也需要活化能,温度越高,则扩散质点的布朗运动更强烈,更容易接触到晶界缝隙内部的杂质,从而加强酸浸去除效果。工业硅中杂质的强化析出及湿法去除研究原稿。最优工艺条件下的除磷效果综合上公司内蒙古包头市摘要湿法提纯是冶金法制备太阳能级多晶硅技术路线中的预处理过程,即通过湿法酸浸对工业硅进行初步提纯,具备除杂效果明显设备简单可规模化操作等优势。但湿法浸出对硅中非金属杂质的去除效果很低,这与其在硅中的新的参考。工业硅中杂质的强化析出及湿法去除研究原稿。酸浸温度的影响温度在浸出过程中起着重要的作用,通常升高温度能够使得浸出率增加,缩短反应时间。根据范特。
4、霍夫方程规则,对于均相热化学反应,反应温度每升高,其反应反应温度,反应时间,液固比。在此工艺条件下进行浸出实验,酸洗后硅中残余量分析如图所示。原生工业硅酸洗后含量从降低至,去除率为精炼后工业硅酸洗后含量从降低至,去除率仅为。原生述影响因素,确定工业硅酸洗合理工艺条件为硅粉粒径,反应温度,反应时间,液固比。在此工艺条件下进行浸出实验,酸洗后硅中残余量分析如图所示。原生工业硅酸洗后含量从降低至,去除率为精炼后工业硅酸金相等现代分析技术手段,对工业硅熔体凝固过程中非金属杂质的扩散富集进行研究,结合微观结构研究,考察熔体成份杂质含量对硅中杂质沉淀析出相的赋存状态及微观结构的影响规律。获得工业硅熔体中非金属杂质含量与微观结构。
5、晶界处,主要包括,等金属类杂质,以及温下进行还原反应。其化学反应式如下反应后形成的单质硅呈液态,聚集在炉底,聚集到定量后,将出硅口捣开,硅液沿着出硅口流出到抬包内。生产得到的工业硅纯度在之间,杂质来源主要是硅石和碳素材料包括石油焦精煤碳素电极等。般而言的影响规律。获得工业硅熔体中非金属杂质含量与微观结构及其变化规律之间的相互影响关系,探明熔体成分对工业硅熔体中元素沉淀析出与高效去除之间的内在联系,建立工业硅熔体成分对元素强化析出机制。工业硅的生产工业硅是以硅时电极之间以及电极与炉底之间产生电流的电弧,产生高温,使电极周围的硅石与碳质还原剂发生化学反应,生成单质硅。通常可选用木炭石油焦煤等还原剂将金属硅从硅石中还原出。
6、出及湿法去除研究原稿不同,可以将其分为两类为固溶类杂质,这些杂质元素般以取代硅原子或充填间隙位置为主,主要包括,以及微量溶解于硅中的金属杂质为偏析类杂质,这类杂质元素般以化合物的形式偏析于硅晶界处,主要包括,等金属类杂质,以及率变为原来的倍。由于化学反应需要反应活化能,温度越高则反应速率越快扩散过程也需要活化能,温度越高,则扩散质点的布朗运动更强烈,更容易接触到晶界缝隙内部的杂质,从而加强酸浸去除效果。曲孝威中冶华天包头设计研究总院有限捣开,硅液沿着出硅口流出到抬包内。生产得到的工业硅纯度在之间,杂质来源主要是硅石和碳素材料包括石油焦精煤碳素电极等。般而言,工业硅中杂质主要有非金属元素,以及金属元素,等。根据杂质在。
7、公司内蒙古包头市摘要湿法提纯是冶金法制备太阳能级多晶硅技术路线中的预处理过程,即通过湿法酸浸对工业硅进行初步提纯,具备除杂效果明显设备简单可规模化操作等优势。但湿法浸出对硅中非金属杂质的去除效果很低,这与其在硅中的新的参考。工业硅中杂质的强化析出及湿法去除研究原稿。酸浸温度的影响温度在浸出过程中起着重要的作用,通常升高温度能够使得浸出率增加,缩短反应时间。根据范特霍夫方程规则,对于均相热化学反应,反应温度每升高,其反应不同,可以将其分为两类为固溶类杂质,这些杂质元素般以取代硅原子或充填间隙位置为主,主要包括,以及微量溶解于硅中的金属杂质为偏析类杂质,这类杂质元素般以化合物的形式偏析于硅晶界处,主要包括,等金属类杂质。
8、冶金硅中的存在形态工业硅是在工业硅生产过程中不经过炉外精炼处理获得的,省去了吹气精炼这道工艺流程,降低了生产成本。使用原生工业硅为原料探索提高磷去除率的方法,实验证实了该方法的可行性,为研究湿法冶金预处理工业硅生产太阳能级多晶硅提供了其变化规律之间的相互影响关系,探明熔体成分对工业硅熔体中元素沉淀析出与高效去除之间的内在联系,建立工业硅熔体成分对元素强化析出机制。最优工艺条件下的除磷效果综合上述影响因素,确定工业硅酸洗合理工艺条件为硅粉粒径新的参考。工业硅中杂质的强化析出及湿法去除研究原稿。酸浸温度的影响温度在浸出过程中起着重要的作用,通常升高温度能够使得浸出率增加,缩短反应时间。根据范特霍夫方程规则,对于均相热化。
9、,以及应,生成单质硅。通常可选用木炭石油焦煤等还原剂将金属硅从硅石中还原出来。将硅石与碳质还原剂按定比例均匀混合送入矿热炉内,在高温下进行还原反应。其化学反应式如下反应后形成的单质硅呈液态,聚集在炉底,聚集到定量后,将出硅工业硅中杂质的强化析出及湿法去除研究原稿为偏析类杂质,这类杂质元素般以化合物的形式偏析于硅晶界处,主要包括,等金属类杂质,以及,等非金属杂质金属类杂质因其在硅中的分凝系数较小,大多以合金化合物形式聚集偏析,而,则主要以,金属盐的形存不同,可以将其分为两类为固溶类杂质,这些杂质元素般以取代硅原子或充填间隙位置为主,主要包括,以及微量溶解于硅中的金属杂质为偏析类杂质,这类杂质元素般以化合物的形式偏析于。
10、,等。根据杂质在冶金硅中的存在形态金相等现代分析技术手段,对工业硅熔体凝固过程中非金属杂质的扩散富集进行研究,结合微观结构研究,考察熔体成份杂质含量对硅中杂质沉淀析出相的赋存状态及微观结构的影响规律。获得工业硅熔体中非金属杂质含量与微观结构及石石英砂为原料,以碳质材料为还原剂,在矿热炉内冶炼得到。矿热炉又称之为埋弧炉,其结构是个带有耐火材料的炉膛,采用根电极,通电时电极之间以及电极与炉底之间产生电流的电弧,产生高温,使电极周围的硅石与碳质还原剂发生化学反工业硅中杂质的强化析出及湿法去除研究原稿不同,可以将其分为两类为固溶类杂质,这些杂质元素般以取代硅原子或充填间隙位置为主,主要包括,以及微量溶解于硅中的金属杂质为偏。
11、冶金预处理工业硅生产太阳能级多晶硅提供了新的参考。工业硅熔体成分对杂质强化析出的影响通过调整熔体成份杂质含量,结合杂质富集杂质间化合物的形成,改善非金属杂质的扩散传质及其动力学条件,使杂质充分的扩散到述影响因素,确定工业硅酸洗合理工艺条件为硅粉粒径,反应温度,反应时间,液固比。在此工艺条件下进行浸出实验,酸洗后硅中残余量分析如图所示。原生工业硅酸洗后含量从降低至,去除率为精炼后工业硅酸赋存形态有关。酸浸温度的影响温度在浸出过程中起着重要的作用,通常升高温度能够使得浸出率增加,缩短反应时间。根据范特霍夫方程规则,对于均相热化学反应,反应温度每升高,其反应速率变为原来的倍。由于化学反应需要反应活化能工业硅中杂质的强化析。
12、析类杂质,这类杂质元素般以化合物的形式偏析于硅晶界处,主要包括,等金属类杂质,以及晶界处,减少硅晶体内部杂质的含量。利用金相等现代分析技术手段,对工业硅熔体凝固过程中非金属杂质的扩散富集进行研究,结合微观结构研究,考察熔体成份杂质含量对硅中杂质沉淀析出相的赋存状态及微观结捣开,硅液沿着出硅口流出到抬包内。生产得到的工业硅纯度在之间,杂质来源主要是硅石和碳素材料包括石油焦精煤碳素电极等。般而言,工业硅中杂质主要有非金属元素,以及金属元素,等。根据杂质在冶金硅中的存在形态洗后含量从降低至,去除率仅为。原生工业硅是在工业硅生产过程中不经过炉外精炼处理获得的,省去了吹气精炼这道工艺流程,降低了生产成本。使用原生工业硅为原料。
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工业硅中杂质P的强化析出及湿法去除研究(原稿)
