1、以下这些语句存在若干问题，包括语法错误、标点使用不当、语句不通畅及信息不完整——“.....目录第四章薄膜漏电流分析正电压下的漏电分析.负电压下的导电机制.界面电阻以及体电阻的计算模型.本章小结第五章降低薄膜漏电流方法研究薄膜退火研究氧化镍层降低漏电流研究不同掺杂研究.本章小结第六章结论错误!未定义书签。第七章致谢.参考文献.攻读硕士期间的研究成果第章绪论第章绪论.研究背景及意义随着科学技术的进步，我们对电子器件的要求也越来越高。希望电子器件集成度更高，体积更小，功耗更小，功能更多。对于现今的硅材料来说，对其的开发已经接近了极限了，很难再有更高的发展了，因此我们需要探寻其它具有多功能特性的材料来取代硅，只有这样才可以使电子器件进步发展。例如电容器来说，利用铁电材料可以大大提高其电容量，满足部分新型电子器件的发展需求。是种现今受到了广大科学家的关注的材料，因为其具有非常丰富的物理特性，能很好的符合现代电子器件的发展需要，通过对其进行改性，能很好的改变其相应的物理特性，是非常重要的铁电氧化物，有望在未来的电子器件的发展及应用中发挥重要的作用......”。

2、以下这些语句存在多处问题，具体涉及到语法误用、标点符号运用不当、句子表达不流畅以及信息表述不全面——“.....本人授权电子科技大学可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印缩印或扫描等复制手段保存汇编学位论文。保密的学位论文在解密后应遵守此规定作者签名导师签名日期年月日摘要摘要本文利用高分子辅助沉积法在基板上制备薄膜，对其漏电流进行了测试与分析，分别利用,与等机制来描述，分析得到了薄膜的结构特征及能带图。得到薄膜内部主要以氧空位缺陷电离的电子为主要载流子，界面因氧化镍缓冲层的分解及镍基板与薄膜的扩散而呈现欧姆接触。薄膜的电子迁移率为.，根据其漏电流计算得到薄膜内的载流子浓度大约为.，薄膜内的杂质能级为.，由此我们确定薄膜内部的缺陷主要为氧空位。在负电压下漏电机制为肖特基导电机制，通过不同温度的漏电流，根据公式的到界面有效势垒为.。利用阶线性电路对薄膜分析，测试其曲线，计算得到薄膜界面电阻与体电阻大小及随电压变化趋势，得到结果与实验及理论相符合。利用分步退火法对薄膜进行退火，避免了基板被氧化，同时降低了薄膜的氧空位，降低了薄膜漏电流......”。

3、以下这些语句在语言表达上出现了多方面的问题，包括语法错误、标点符号使用不规范、句子结构不够流畅，以及内容阐述不够详尽和全面——“.....第章绪论图在不同温度下其介电常数示意图对于现如今报道的薄膜来说，不同的制备方法制备的薄膜的介电特性不同，其介电常数在至范围内，损耗从.不等，这主要是由于薄膜结晶度以及内部缺陷不同引起的，例如，无定形的薄膜损耗为.，而多晶膜为.。值得注意的是本文是利用高分子辅助沉积法在基板上制备，结晶温度较高，但是镍金属熔点较低，温度过高会使得镍金属基片形变过大，导致薄膜脱落。因此这种方法只能用于制备多晶结构的薄膜。又由于镍金属在高温时极易被氧化，需要在还原性保护气体下烧结制备薄膜，而在还原性气氛下制备薄膜，不可避免的会使薄膜内部存在较多的氧空位。因此如何在较低的温度下，在保证如镍基片不被氧化的情况下尽量减少薄膜氧空位，降低薄膜漏电是本文需要考虑的重点。.铁电薄膜漏电流研究意义在铁电薄膜的基础研究和应用研究中，漏电电流问题的研究直是大家关注的焦点问题。在基础研究方面，漏电电流是薄膜的项很重要的特性，与薄膜的其它特性，如介电......”。

4、以下这些语句该文档存在较明显的语言表达瑕疵，包括语法错误、标点符号使用不规范，句子结构不够顺畅，以及信息传达不充分，需要综合性的修订与完善——“.....就显得十分必要了。电子科技大学硕士论文.材料以及其介电性能结构介绍钛酸钡材料是钡和钛的混合氧化物，化学式为。晶体结构是钙钛矿结构，其常温下的晶体结构如图所示,。从图中可以看到，原子在钙钛矿结构的顶角位置，原子在中心，原子在面心，对于不同的温度下的结构并不相同，其原子形成的立方体会发生不同的形变，也即是在不同温度下，材料会发生相变。在这种密堆积结构中，原子构成了个稳定的八面体，而原子作为离子存在其中。由于有氧八面体的支撑，离子在电压的作用下，可以在其中发生较小的位移，也既发生离子位移。通过多年的研究发现，的介电特性主要是离子在电场的作用下发生的离子位移引起的,。图晶包示意图介电特性介绍钛酸钡介电性能主要是指对钛酸钡陶瓷介电性能。其总体介电特性与薄膜差别不大。只是陶瓷属于多晶结构，其中的晶粒大小与晶界将会对其介电特性产生定的影响。钛酸钡在不同温度下会发生相变，其介电常数在不同的晶格方向上会发生不同的改变......”。

5、以下这些语句存在多种问题，包括语法错误、不规范的标点符号使用、句子结构不够清晰流畅，以及信息传达不够完整详尽——“.....论文答辩日期.学位授予单位和日期电子科技大学年月日答辩委员会主席评阅人独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。据我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示谢意。作者签名日期年月日论文使用授权本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留使用学位论文的规定，有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘......”。

6、以下这些语句存在多方面的问题亟需改进，具体而言：标点符号运用不当，句子结构条理性不足导致流畅度欠佳，存在语法误用情况，且在内容表述上缺乏完整性。——“.....漏电流会使得电子电容器件缓慢的放电。同时漏电流过大也会使薄膜内部产生较大的热量，不仅会浪费大量的能源，同时也可能对器件产生破坏的影响。所以，对电子器件在实际应用中必须严格控制器件中的漏电流大小，提高薄膜的绝缘性能。薄膜的漏电流变化特性与薄膜的结构和缺陷有关。同时不同的缺陷会产生不同的效果，因此对薄膜漏电流分析计算，可以基本确定薄膜的结构特性与内部载流子种类，以及主要缺陷类型。对于如何改进薄膜特性提供很好的方向。现如今，大部分利用的集成电路的电压较小，而对于铁电薄膜来说，必须在特定的电场作用下才能显现出其特有的材料特性，因此为了满足集成电路的低电压要求，只能通过降低薄膜的厚度来提高加载到薄膜上的电压。但是随着薄膜厚度的减小，薄膜的漏电流问题将越来越严重，甚至当漏电流达到定大时会发生薄膜击穿，使电子器件失效。因此必须对薄膜的漏电流进行研究，以满足集成电路等方面的应用。目前对于铁电薄膜漏电方面的工作已经有了大量的研究......”。

7、以下这些语句存在标点错误、句法不清、语法失误和内容缺失等问题，需改进——“.....是研究铁电薄膜本身不可缺少的部分。在应用研究方面，电子器件的漏电流不能过大，不然不仅会产生较大的功耗，同时降低电子器件的可靠性与寿命，漏电流大小对电子器件的发展应用起着至关重要的影响。研究漏电电流基本的导电机制可以帮助理解漏电电流产生的机理，有利于对薄膜内部结构进行了解，从而提出较好的控制漏电流的大小的方法。般来说，目前对铁电薄膜的漏电研究主要利用在半导体与电介质方面的漏电流分析过程中积累的经验与理论进行分析的。铁电体薄膜的漏电机制研究中直是材料和微电子学领域的重要课题。其电流随着电压在不同的机制下会有相应的变化。其漏电流变化非常复杂，往往在同电子科技大学硕士论文个电压下，包含着多种漏电流机制，由于现如今对铁电薄膜的漏电理论还没有个很完整的理论，因此我们只能利用不同的公式对其进行表征，得到在这种电压下的主要漏电机制。现如今为了能更好地促进铁电薄膜的应用，对铁电薄膜的漏电机制的研究是非常必要的。漏电流的大小往往限制了这个电子器件是否可以应用，我们通常是希望它越小越好......”。

8、以下文段存在较多缺陷，具体而言：语法误用情况较多，标点符号使用不规范，影响文本断句理解；句子结构与表达缺乏流畅性，阅读体验受影响——“.....利用不同厚度的缓冲层，通过使其在制备过程中的分解降低薄膜氧空位。实验得到在的水浴中氧化效果最好。对薄膜进行富钛掺杂，多余的在薄膜中以的形式存在，钛掺杂方面可以对氧进行固定，减少氧空位，同时其掺杂为型掺杂，与氧空位形成的型导电相复合，减小薄膜漏电。同时薄膜中的离子含量增加，有利于提高薄膜的介电特性。关键词薄膜，漏电特性，基片，缓冲层，掺杂.,.目录目录第章绪论.研究背景及意义材料以及其介电性能结构介绍介电特性介绍.铁电薄膜漏电流研究意义.国内外研究现状在基板上生长研究现状铁电薄膜漏电特性研究现状国内外降低薄膜漏电流方法.第二章理论分析.薄膜内部导电与界面导电理论薄膜内部导电理论薄膜界面导电理论.固体中的电输运.欧姆导电机制.肖特基发射导电机制.福勒诺德海姆导电机制空间电荷限制电流导电机制.普尔费仑凯尔导电机制电介质薄膜的击穿理论.第三章实验方法薄膜样品的制备.铁电薄膜的制备方法.高分子辅助沉积法制备薄膜.薄膜表征方法.薄膜的结构表征.薄膜介电特性表征......”。

9、以下这些语句存在多方面瑕疵，具体表现在：语法结构错误频现，标点符号运用失当，句子表达欠流畅，以及信息阐述不够周全，影响了整体的可读性和准确性——“.....材料拥很多能满足现今电子器件的发展所需求的特性，因此也成为众多科学家研究的热点。而近几年来，随着薄膜制备技术的发展，薄膜的研究更是成为众多科学家研究的重中之重。例如有报道称铁电薄膜具有的开关性能，有可能在今后的发展中被用于集成电路中。同时中国物理研究院的赵柏儒教授成功的利用铁电薄膜制备出了具有三极管特性的薄膜结构，虽然其性能比利用硅材料制备的三极管要差些，但是无疑为铁电薄膜电子器件的发展提供了个新的方向，同时也标志着铁电薄膜在今后有不可限量的发展。在众多铁电薄膜的研究中，又数在贱金属上制备薄膜最为重要。其在基板上直接生长电容气体传感器以及半导体工艺制备的集成电路中存在着巨大的潜在应用，更是使其成为了科学界的热点。对于电子器件的发展，其漏电流特性直是大家关注的个重要的物理特性，关乎着器件的各方面运用潜能。在基础方面，研究漏电流对了解薄膜本身结构与特性是必不可少的部分。在应用研究方面，漏电流的大小关乎着器件的发展应用......”。