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《【终稿】毕业设计_乘客电梯的PLC控制的设计.rar【】》修改意见稿

1、以下这些语句存在若干问题，包括语法错误、标点使用不当、语句不通畅及信息不完整——“.....使用抛光布和粉末对每颗晶体的面进行抛光。由于抛光引起的机械损伤会使腐蚀现象更加复杂，因此，抛光后要用定浓度的磷酸腐蚀样品，这样可消除机械划痕，然后再用腐蚀剂对样品腐蚀，腐蚀结束后用专用擦镜线把晶体表面的腐蚀剂吸干，最后将腐蚀好的样品在光学显微镜下观察。.结果与讨论不同情况下生长晶体面的位错蚀坑如图。从图.可看出，在不同过饱和度下，腐蚀后的晶体面上，位错蚀坑呈四棱锥形，所有蚀坑边缘都平行，且长边较直，短边具有定弧度，这与陈金长的结果致，同时，可看到，位错蚀坑直边方向与方向的夹角为左右另外还发现，随过饱和度增大，位错密度增加见表.，位错蚀坑尺寸减小。这是因为随过饱和度增大，溶液稳定性变差，溶液中易出现杂晶，在晶体生长中，这些杂晶易被包裹进去，从而导致晶体的位错密度较大。图.未掺杂时，不同过饱和度下位错蚀坑分布重庆大学硕士学位论文掺杂对晶体位错的影响表.未掺杂时面位错蚀坑的密度从图.可看到，在同过饱和度和不同掺杂情况下，位错蚀坑形状及位错蚀坑直边方向与未掺杂时相似......”。

2、以下这些语句存在多处问题，具体涉及到语法误用、标点符号运用不当、句子表达不流畅以及信息表述不全面——“.....式中是二维核的台阶高度，是溶液的平衡浓度，晶体的分子体积，是晶面上相邻同种原子间距离，是溶质在晶面上的吸附密度，是单位面积台阶上升自由能，是台阶动力学系数，可以通过以下公式，求得.式中是台阶移动速率，是热学振动频率，般取，是新原子离重庆大学硕士学位论文不同双掺杂浓度下晶体生长及其动力学研究子吸附到晶核上的活化能。将对作图，如图.。图.曲线.图中分别是未掺杂及不同掺杂情况下晶体面的曲线。采用最小二乘法拟合图中曲线可得到以下关系式曲线曲线曲线曲线从图中及上述曲线拟合关系式可以看出，不管什么情况下的晶体面的与都成线性关系，这也证实了晶体面在生长溶液过饱和度为时的生长机制是二维成核生长机制。从式.可知，求得直线的斜率即可求得台阶上升自由能，求得直线的截距就有可能得到晶面上溶质的吸附分子密度，见公式.......”。

3、以下这些语句在语言表达上出现了多方面的问题，包括语法错误、标点符号使用不规范、句子结构不够流畅，以及内容阐述不够详尽和全面——“..... 镇具有良好的生态旅游环境，境内山川河流风光秀丽，自然景观非常宜人，每年届的“北京国际桃花烟花节暨经贸洽谈会”和“北京金秋采摘节”都在此处举办。利用这样优越的生态环境，良好的自然生态景观，促成了旅游业的蓬勃发展。目前，镇内旅游资源分布主要是区线带，即“小金山观花区苏子峪蜜枣采摘区挂甲山庄民俗旅游区胜泉庵渡假观光区西长峪中华药谷养生区丛海逸园娱乐园李家峪生态旅游区老象峰景区沿镇城里采摘观光线模及内容项目建设规模依据北京市基层公共文化设施建设标准试行京文基号文北京市基层公共体育设施规范性建设指导意见试行京体办资号文公共文化体育设在推进城市化的分布规律对实现晶体快速生长和提高晶体质量都有重要意义。本章应用化学腐蚀法对不同掺杂浓度下生长出的晶体的位错进行了光学观察，分析了晶体面上的位错蚀坑形貌分布，并分析了掺杂后溶液稳定性与位错蚀坑的关系。.腐蚀剂的选择.，分析了不同腐蚀剂对晶体面的腐蚀作用，得到了......”。

4、以下这些语句该文档存在较明显的语言表达瑕疵，包括语法错误、标点符号使用不规范，句子结构不够顺畅，以及信息传达不充分，需要综合性的修订与完善——“.....从表.及图.可知,在掺杂浓度为和.时，面的位错密度最小比未掺杂时还小，且位错尺寸也最小。这可能是由于能络合溶液中的阳离子杂质，使这些阳离子杂质不进入晶体晶格，从而减小了晶体生长过程中包裹物的形成。另外还可发现，虽然随掺杂浓度增大，溶液稳定性得到相应的提高，但并不是掺杂浓度越高越有利于晶体生长。从表.可看出，随掺杂浓度增大，位错密度越大，这可能是由于过量的和杂质在柱面上不断地积累而形成许多大分子团如分子团，那么，随晶体生长台阶的推移，生长台阶就会把这些大分子团包入到晶体中而形成包裹体，严重时这些添加剂分子会阻碍生长基元顺利地进斯自由能高的多，这就使得溶液中的溶质分子处在个非常活跃的状态，即亚稳定状态。因此，过饱和度越大，溶液相转变为晶体相更快，这也就使得晶体生长速度变得更快。在同过饱和度下，定浓度的双掺杂能提高晶体面的生长速度。众所周知，金属离子重庆大学硕士学位论文不同双掺杂浓度下晶体生长及其动力学研究会与生长基元表面上的结合，引起脱水反应......”。

5、以下这些语句存在多种问题，包括语法错误、不规范的标点符号使用、句子结构不够清晰流畅，以及信息传达不够完整详尽——“.....中国科学院上海光学精密机械研究所的乔景文等人对晶体的质量及缺陷进行了研究，找到了和面的最佳化学腐蚀条件，他们发现片状籽晶生长出来的晶体位错线主要有三种走向，它们分别与方向成和。陈金长用化学腐蚀法射线形貌术对大截面晶体中的位错密度进行了检测，他将晶体用水线锯切割，经研磨抛光后再进行适当的化学腐蚀和光学观测，获得了对应的位错蚀坑。通过对相关文献资料的整理分析，并通过对点状籽晶法生长的晶体的腐蚀实验，最后，本章选择醋酸硫酸和蒸馏水按的比例混合作为腐蚀剂对晶体面进行腐蚀，并选用浓度大约为的磷酸作为消除机械损伤的腐蚀剂。.位错观察位错实验所需要的样品按上章晶体生长步骤来制备，本实验需要七个不同条件下生长出来的晶体，分别是未掺杂时生长溶液过饱和度为生出来的晶体及生长溶液过饱和度为时三种不同掺杂情况下生长出来的晶体。需要注意的是，由于晶体生长周期短，生长出来的晶体比较小，所以本实验不对样品对行切割......”。

6、以下这些语句存在多方面的问题亟需改进，具体而言：标点符号运用不当，句子结构条理性不足导致流畅度欠佳，存在语法误用情况，且在内容表述上缺乏完整性。——“.....使用抛光布和粉末对每颗晶体的面进行抛光。由于抛光引起的机械损伤会使腐蚀现象更加复杂，因此，抛光后要用定浓度的磷酸腐蚀样品，这样可消除机械划痕，然后再用腐蚀剂对样品腐蚀，腐蚀结束后用专用擦镜线把晶体表面的腐蚀剂吸干，最后将腐蚀好的样品在光学显微镜下观察。.结果与讨论不同情况下生长晶体面的位错蚀坑如图。从图.可看出，在不同过饱和度下，腐蚀后的晶体面上，位错蚀坑呈四棱锥形，所有蚀坑边缘都平行，且长边较直，短边具有定弧度，这与陈金长的结果致，同时，可看到，位错蚀坑直边方向与方向的夹角为左右另外还发现，随过饱和度增大，位错密度增加见表.，位错蚀坑尺寸减小。这是因为随过饱和度增大，溶液稳定性变差，溶液中易出现杂晶，在晶体生长中，这些杂晶易被包裹进去，从而导致晶体的位错密度较大。图.未掺杂时，不同过饱和度下位错蚀坑分布重庆大学硕士学位论文掺杂对晶体位错的影响表.未掺杂时面位错蚀坑的密度从图.可看到，在同过饱和度和不同掺杂情况下，位错蚀坑形状及位错蚀坑直边方向与未掺杂时相似......”。

7、以下这些语句存在标点错误、句法不清、语法失误和内容缺失等问题，需改进——“.....如果能够获得吸附分子密度，则可根据公式.求得晶面上溶质分子的吸附能，这样就可以解到溶液中溶质分子进入晶格的难易程度。但是，由于实验条件的限制，无法获得晶面上台阶切向移动速率，也就无法获得台阶动力学系数，这样也就无法得到和。根据式.可以求得台阶上升自由能，同时可进步求得台阶棱边能，见式..其中取.，.，台阶高度取晶面的晶面距。根据上述公式及第三章中计算得的实验数据可获得不同掺杂浓度下晶体面生长的台阶上升自由能台阶棱边能，见表.。表.不同掺杂情况下晶体面生长主要参数.从表.可以看出，晶体面的台阶上升自由能台阶棱边能在没有掺杂的情况下都较掺杂时大的多，但在掺杂情况下都很接近。另外掺杂后这两个参数都有降低的趋势。前面已经提出，在本实验条件下晶体面是二维核生长机制。而在以二维成核为生长机制的晶体生长过程中，奇异面面上生长基元通过面扩散开成个二维胚团。系统旦出现了二维胚团......”。

8、以下文段存在较多缺陷，具体而言：语法误用情况较多，标点符号使用不规范，影响文本断句理解；句子结构与表达缺乏流畅性，阅读体验受影响——“.....年产大桃多万公斤，其品质优良，科技含量高，被中国绿色食品认证中心认定为“绿色食品”，每年有数百万公斤销往海外。镇大力发展桃业生产，带动了相关产业的发展。利用当地的果品资源，镇村建起了食品厂生产山楂片和桃罐头良好的生态环境，引来了外商建起了服装厂。目前，镇正进步加大招商引资力度，制定了优惠的投资政策，吸引国内外客商到投资兴业。镇具有良好的生态旅游环境，境内山川河流风光秀丽，自然景观非常宜人，每年届的“北京国际桃花烟花节暨经贸洽谈会”和“北京金秋采摘节”都在此处举办。利用这样优越的生态环境，良好的自然生态景观，促成了旅游业的蓬勃发展。目前，镇内旅游资源分布主要是区线带，即“小金山观花区苏子峪蜜枣采摘区挂甲山庄民俗旅游区胜泉庵渡假观光区西长峪中华药谷养生区丛海逸园娱乐园李家峪生态旅游区老象峰景区沿镇城里采摘观光线“桃花谷”观光采摘带。” 镇经济社会发展过程中也存在些不足......”。

9、以下这些语句存在多方面瑕疵，具体表现在：语法结构错误频现，标点符号运用失当，句子表达欠流畅，以及信息阐述不够周全，影响了整体的可读性和准确性——“.....这就使得晶体的生长速度减小另外，这些金属离子易于在晶体柱面上发生选择性吸附，从而抑制柱面的生长，使晶体楔化。因此，添加剂加入可以定程度的络合溶液中的三价金属离子，使得溶液中的金属离子浓度降低，这样晶体的柱面生长速度也得到了提高。晶体面的生长动力学从图.中可以看出，晶体面生长速度与过饱和度基本上成指数规律，实验数据拟合方程分别为实验中还发现，当过饱和度时，晶体由于生长速度太快而出现母液包夹现象，生长时间过长还会产生杂晶。同时发现，上述曲线拟合方程中过饱和度的指数均大于，这就说明晶体的生长机制在本实验条件下不应是位错生长机制。从其它角度分析可得，由于位错生长机制和粗糙面生长机制的临界过饱和度都很低，有的甚至没有，这也进说明了本实验条件下晶体的生长机制不是位错生长机制和粗糙面生长机制，而可能是二维成核生长机制。为了更好的了解晶体的二维生长机制，必须先计算晶体的些生长参数。根据的多二维成核生长公式......”。