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doc DMOS(消耗型金属氧化物半导体)全控桥驱动器 ㊣ 精品文档 值得下载

🔯 格式:DOC | ❒ 页数:28 页 | ⭐收藏:0人 | ✔ 可以修改 | @ 版权投诉 | ❤️ 我的浏览 | 上传时间:2022-06-25 20:16

《DMOS(消耗型金属氧化物半导体)全控桥驱动器》修改意见稿

1、以下这些语句存在若干问题,包括语法错误、标点使用不当、语句不通畅及信息不完整——“.....这类芯片的特点值需要时钟信号,电机的旋转方向的输入信号。自从微处理器的集成化和可编程化的运用,相角控制使用大量的减少。封装在双列直插引脚和表面贴片引脚的被做成整块全桥的驱动器,在或者别的驱动器的驱动下使用。分类数据双列直插引脚表面贴片引脚绝对最大额定值符号参数数值单位电源端输入信号功耗,储能端和节点到两相双极性步进电机控制电路引脚图俯视结构图引脚功能序号名称功能芯片输出斩波器在外施时钟源输入的情况下,同步引脚输出端应用于连接所有的同步引脚和斩波器,并非单个的引脚。接地率主要是由电阻也折算侧的功率组成,电阻消耗的功率负载折算侧的功率折算负载其中折算侧的计算时间等于导通和关断的时间......”

2、以下这些语句存在多处问题,具体涉及到语法误用、标点符号运用不当、句子表达不流畅以及信息表述不全面——“.....能控制相的驱动功能同样电机的相功率级芯片的使能端。置低电平时和才又能使用控制端取决于斩波器斩波器低电平置于和,或者高电平置于线上的输入电压检测相的负载电流,电压检测相的负载电流,电压斩波器的参考电压,决定了引脚的峰值伏在电压终端的接电源端,接地电路决定了斩波器的等级。此端口在不同的芯片的组态不定样。时钟上升沿下降沿控制输入电机的物理旋转方向同时取决于线圈电流方向改变电流方向能随时改变旋转方向步进时钟脉冲,低电平有效,个时钟脉冲驱动电机前进步不仅输入。高电平为半步运行,低电平为整步运行。当在偶数的状态,单相电机选择。两相电机在晶体管奇数时选择置初始状态复位输入,低电平有效......”

3、以下这些语句在语言表达上出现了多方面的问题,包括语法错误、标点符号使用不规范、句子结构不够流畅,以及内容阐述不够详尽和全面——“.....那么的电压等于电压源的电压,同时只有漏电流存在。此间的功耗有如下的公式此时的功耗十分低,较导通时候的功耗是可以被忽略的晶体管几乎可以发现,上述的晶体管的源极和沟道间内置二极管,二极管运行在种快速,任意方向的切换模式。在下次循环之前,使能端处于与高电平的状态,电压降等于电阻电流的乘积直到达到二极管的正向偏置电压。当使能端是低电平时,场效应管关断,同时所有电流施加于二极管。在反复循环的过渡时期的功率取决于电压电流的波形以及驱动方式如图图自举电容只有所有的沟道在的栅极电压下才能够确保晶体管的正确驱动。对于底部的接地晶体管来说很容易证明,但是上部的晶体管显然需要个更高的驱动电压......”

4、以下这些语句该文档存在较明显的语言表达瑕疵,包括语法错误、标点符号使用不规范,句子结构不够顺畅,以及信息传达不充分,需要综合性的修订与完善——“.....当斩波电路作用在上时,如图,图指出该如何选择的基区面积。的功耗如上述表达式图能看出在个脉冲宽度时间内电阻值与温度的关系。图和涉及到。对于还有个附加的条件,图热电阻与周围温度的影响及图峰值热电阻和脉冲宽度的关系,而图则是单脉冲热阻值。图的与基底面积示意图图。典型电阻值与单脉冲示意图图的与基底面积示意图图的典型电阻值与单脉冲示意图图封装的功耗图的典型电阻值与重复脉冲示意图图典型热电阻脉冲宽度与周期对比系数步进电机控制器常规波形驱动半全步方式顺逆时针转动方向规定的开关负载电流可编程负载电流外接设备少复位输入基准输出使能端输入概述基于微处理器技术的集成电路芯片,用做两相双极性或四相单极性的步进电机控制器。电机能在半步......”

5、以下这些语句存在多种问题,包括语法错误、不规范的标点符号使用、句子结构不够清晰流畅,以及信息传达不够完整详尽——“.....置半步驱动方式置高电平时,是半步驱动模式常规驱动方式置低电平时,是常规驱动方式也叫做两相驱动晶体管是奇数的状态或。这种方式下和输出仍旧是高电平续波形驱动方式置低电平时,也是波形驱动方式也叫单相驱动晶体管是偶数状态或者电气特性图如结构图所示的情况,,。无别的情形符号参数测试条件最小值典型值最大值单位电源电压引脚静态电源电流引脚浮动输出输入电压引脚低电平高电平输入电流引脚高电平低电平使能端输入电压引脚低电平高电平使能端输入电压引脚高电平低电平相电压输出引脚,中断电压输出引脚......”

6、以下这些语句存在多方面的问题亟需改进,具体而言:标点符号运用不当,句子结构条理性不足导致流畅度欠佳,存在语法误用情况,且在内容表述上缺乏完整性。——“.....晶体管的电压降可以通过的乘积表示,电压降的大小取决于珊源极的二极管特性。虽然驱动器受传导的保护,尖峰电流还是能够通过内置的珊源级电容的充放电现象到达检测引脚端。那么在这样的个设备中,这不是引起任何的问题的,因为检测电阻能够承受的电压是被设计好的。上升时间如图在电桥的对桥臂上的电容经上升时间充电达到最大值电流时,此时的能量表达式负载时间如图在此期间的电路驱动电机的最小电压可以低于规定的最低的电压详见电气特性表如此,可以有这样个假设,适当减少电阻的阻值,从而减少最后级的供电电压,能从图可以看出。图的电压范围为热特性基于此类驱动器的高效性能,往往不需要真正的热击穿或者就是很容易就能在上做成斩波电路。在重载的时候,需要适当的降温......”

7、以下这些语句存在标点错误、句法不清、语法失误和内容缺失等问题,需改进——“.....大林管复合晶体管,矩阵芯片。这类芯片受到控制器的时钟信号,方向信号控制般的控制器是微处理器,并结合空如信号产生不同的功率级。实现这些功能的主要部分是晶体管,晶体管依据电机的相序的电流方向及线圈的方向。晶体管依据引脚的选择有三种工作方式。其,常规方式两相导电,波形驱动单相导电,半步驱动单相导电和两相导电的交替。的两种中断方式也同样能够驱动半步,波形模式。三类信号,直接作用于的使能端,在线圈不导电的时候是电流衰减。当用作单相电机的驱动器,那么主要作用于这些线上和。相线还有是交替斩波的,当组斩波时另组闲置,除非有中断的信号到来。在和的组态技术中,忽略了负载的功耗......”

8、以下文段存在较多缺陷,具体而言:语法误用情况较多,标点符号使用不规范,影响文本断句理解;句子结构与表达缺乏流畅性,阅读体验受影响——“.....二极管的快速电流是图图同步,需要个双稳态多谐振荡器触发器和来提供脉冲。测量检测电阻连接在和之间,当线圈上的电流到达可编程的峰值电压,内置的同步比较器会重置个双稳态多谐振荡器。期间中间将直有效,直到斩波器的脉冲到达的时候。两个线圈的峰值电压,都是通过的参考电压的可编程化来实现的。在这个组态电路中,接低噪声的通过同步斩波器被很好的克服。依赖于所有连接的引脚,滤波网络和接地的引脚。电机驱动相序的晶体管能产生的相序有常规相序,波形和半步方式。这三种驱动方式的相序及波形将在后面的章节做介绍。在所有的这些情况中,晶体管都是在高低交替的时钟脉冲中得以实现。顺时针旋转的方向是要表明的,逆时针的相序和顺时针是相似的......”

9、以下这些语句存在多方面瑕疵,具体表现在:语法结构错误频现,标点符号运用失当,句子表达欠流畅,以及信息阐述不够周全,影响了整体的可读性和准确性——“.....为了充电能够有效的进行,自举电容的值应当大于的晶体管的输入电容。所以自居电容至少是的。如果自居电容的取值过小会引起场效应管的充电不充分,并导致呈高阻态。另方面来说如果使用个高容抗的电容那么在检测电阻上会产生尖峰电流。参考电压对于个内部含有阻抗,电压的电路来说,应该在引脚和接地端放置个电容。容抗为的电容是以满足条件。引脚可以被最大为的电流击穿,所以必须加以保护。死区时间为了保护桥臂中的同步电容引起的轨对轨短路电流,集成芯片提供了长于的死区时间热电阻的保护热保护电路是必须具备的,旦在节点温度达到摄氏度的时候,那么它就失效了。只有当温度降到安全的范围之内,重置驱动器,输入和使能信号才能被控制。应用信息循环电路使能端置高电平时......”

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