。子镜真空镀铝系统中的多点蒸发源建模分析。真空。年月。董宏奎，赵建华，林日乐，胡纳新，陈川贵。薄膜均匀性的分析研究。压电与声光。年月徐树深，梅丽文，张建光。镀膜装置蒸发源发射形态与膜厚分布。真空。年月卢晨盈。修正版改善薄膜厚度均匀性的研究。武汉理工大学材料科学与工程学院硕士毕业论文。年月穆长生，张辉军，温殿忠。真空镀膜中膜厚均匀性的研究。传感器技术。年艾万军，熊胜明。大口径镀膜机膜厚均匀性分析。光电工程。年月年。杨乃恒真空获得设备冶金工业出版社合工大真空教研室真空系统设计与计算合肥工业大学濮良贵，纪名刚机械设计第七版高等教育出版社方安平，叶卫平实用指南机械工业出版社合工大真空教研室真空物理合肥工业大学达道安真空设计手册第三版兰州物理研究所张以忱真空镀膜技术冶金工业工业出版社朱家诚机械设计课程设计书合肥工业大学出版社丁毓峰从入门到精通化学工业出版社孔程序如下,孔程序如下输入基片与蒸发源之间距离输入蒸发源孔径,,孔程序如下输入基片与蒸发源之间距离输入蒸发源孔径,,孔程序如下输入基片与蒸发源之间距离输入蒸发源孔径,,电弧加热蒸发源是在高真空下通过两导电材料制成的电极之间产生电弧放电，利用电弧高温使电极材料蒸发。电阻加热蒸发镀的工艺特点是采用片状或丝状的等高熔点金属，做成定形状的蒸发源，其上装入待蒸发材料，利用大电流通过蒸发源所产生的焦耳热，对蒸发材料进行直接加热蒸发，或者把待蒸发材料放人等坩埚中进行间接加热蒸发。如图为各种形状的电阻蒸发源。电阻加热蒸发结构较简单，成本低，操作简便，应用普遍。但是要求电阻加热蒸发源材料具有高熔点低的平衡蒸气压和在蒸发温度下不与膜料发生化学反应或互溶现象。电阻加热蒸发镀可用来制备膜和多种光电膜。电阻加热蒸发源有点状，线状，面状等形状的蒸发源。我设计的蒸发源，底部有个陶瓷加热板加热，四周有钨丝加热丝加热。顶部有个蒸发源盖，图单孔蒸发源结构示意图蒸发源盖上有多个孔，如图,所示。蒸镀材料被加热后由蒸发源孔射出，每个蒸发源孔可以看做个点状蒸发源，整个蒸发孔可看做个多孔蒸发源。通过调整每个孔的大小和孔间距可以提高膜厚均匀性。它的优点如下结构简单镀膜均匀性好材料利用率高图多孔蒸发源结构示意图真空室结构的设计图真空室设计为了探究真空蒸发镀膜厚均匀性与蒸发源基片距离的关系，真空室结构需设计为蒸发源与基片距离可调，所以我设计了真空室的内部结构。真空室内部结构如图所示蒸发源与基片间距离可以通过螺纹调节，转动转盘可以使基片与蒸发源之间的距离增大或缩小。转盘与基片架通过螺纹与同螺杆连接，基片通过基片夹固定在基片架上。螺杆用三根支撑架支撑，支撑架焊接在真空室底座上。蒸发源通过螺钉固定在真空室底座上。蒸发源加材料料时可以拧开蒸发源盖上的螺钉加入材料。部分语言特点种语言之所以能如此迅速地普及，显示出如此旺盛的生命力，是由于它有着不同于其他语言的特点，正如同和等高级语言使人们摆脱了需要直接对计算机硬件资源进行操作样，被称作为第四代计算机语言的，利用其丰富的函数资源，使编程人员从繁琐的程序代码中解放出来。最突出的特点就是简洁。用更直观的，符合人们思维习惯的代码，代替了和语言的冗长代码。给用户带来的是最直观，最简洁的程序开发环境。以下简单介绍下的主要特点语言简洁紧凑，使用方便灵活，库函数极其丰富。程序书写形式自由，利用起丰富的库函数避开繁杂的子程序编程任务，压缩了切不必要的编程工作。由于库函数都由本领域的专家编写，用户不必担心函数的可靠性。可以说，用进行科技开发是站在专家的肩膀上。具有和等高级语言知识的读者可能已经注意到，如果用或语言去编写程序，尤其当涉及矩阵运算和画图时，编程会很麻烦。例如，如果用户想求解个线性代数方程，就得编写个程序块读入数据，然后再使用种求解线性方程的算法例如追赶法编写个程序块来求解方程，最后再输出计算结果。在求解过程中，最麻烦的要算第二部分。解线性方程的麻烦在于要对矩阵的元素作循环，选择稳定的算法以及代码的调试动不容易。即使有部分源代码，用户也会感到麻烦，且不能保证运算的稳定性。解线性方程的程序用和这样的高级语言编写，至少需要四百多行，调试这种几百行的计算程序可以说很困难。运算符丰富。由于是用语言编写的，提供了和语言几乎样多的运算符，灵活使用的运算符将使程序变得极为简短。既具有结构化的控制语句如循环，循环，语句和语句，又有面向对象编程的特性。程序限制不严格，程序设计自由度大。例如，在里，用户无需对矩阵预定义就可使用。程序的可移植性很好，基本上不做修改就可以在各种型号的计算机和操作系统上运行。的图形功能强大。在和语言里，绘图都很不容易，但在里，数据的可视化非常简单。还具有较强的编辑图形界面的能力。的缺点是，它和其他高级程序相比，程序的执行速度较慢。由于的程序不用编译等预处理，也不生成可执行文件，程序为解释执行，所以速度较慢。功能强大的工具箱是的另特色。包含两个部分核心部分和各种可选的工具箱。核心部分中有数百个核心内部函数。其工具箱又分为两类功能性工具箱和学科性工具箱。功能性工具箱主要用来扩充其符号计算功能，图示建模仿真功能，文字处理功能以及与硬件实时交互功能。功能性工具箱用于多种学科。而学科性工具箱是专业性比较强的，如,等。这些工具箱都是由该领域内学术水平很高的专家编写的，所以用户无需编写自己学科范围内的基础程序，而直接进行高，精，尖的研究。源程序的开放性。开放性也许是最受人们欢迎的特点。除内部函数以外，所有的核心文件和工具箱文件都是可读可改的源文件，用户可通过对源文件的修改以及加入自己的文件构成新的工具箱。数学模型的建立假设整个蒸发源被均匀地加热，蒸发源内部有充足的蒸发材料，每个孔可以看做个点蒸发源，蒸镀材料的蒸发符合余弦定律其中是蒸发源孔径的半径。是蒸发源和基片之间的距离。是蒸发源中气象分子密度。是蒸发源中分子的平均速度。是基片上点到基片上蒸发孔正上方那点的距离。是连续蒸发速率。另外，蒸镀分子自由程远大于孔径孔径远大于膜厚。片的距离在以内时，均匀性随着孔数量的增加而显著提高。图中所列的蒸发源中，同种蒸发源在基片上的均匀性随距离增加而提高，在蒸发源与基片距离为时，蒸发源上孔数量不同时，均匀度均在以内。研究蒸发源在与两个方向同时增加孔的数量时对膜厚均匀性的影响。在方向增加孔后，整体的均匀性得到提高，但我们可以看到方向仍然不均匀，于是考虑在方向同时增加孔的数量。孔时模拟结果比较孔与轴的距离，孔与轴的距离，均匀度所以选择这组数据。孔模拟结果如下内侧孔与轴的距离外侧孔与轴的距离均匀度所以选择,这组数据。孔模拟结果如下内侧孔与轴距离，外侧孔与轴距离，均匀度所以选择，这组数据。孔距离均匀度如图所示为个孔时的膜厚分布由图可知，相对于只在方向开孔的情况，在,方向同时开孔，均匀性得到提高。但是四个角的膜厚值仍然很低，于是考虑重新配置孔径，即在离中心远的地方孔径取大值，在离中心进的地方孔径取较小值研究蒸发源上孔径变化时对膜厚均匀度的影响孔径，距离最大值最小值平均值均匀度，，,由数据可知，在蒸发源与基片距离为，时相对于孔径大小相同的蒸发源，孔径大小变化后，即基片中心下方所对应的孔孔径较小，离中心孔距离越远，孔径越大。至于孔径大小具体值可以经过多次尝试，已得到最好的均匀性。研究进步增加孔的数量对膜厚均匀度的影响。在基片蒸发源距离为时在板上孔变孔径时均匀度为，仍然较低，于是考虑增加孔的数量。采用孔距离最大值最小值平均值均匀度