量。因此，集成电路封装目，在于保护芯片不受或少受外界环境影响，并为之提供个良好工作条件，以使集成电路具有稳定正常功能。般说来，电子封装对半导体集成电路和器件有四个功能，即提供信号输入和输出通路接通半导体芯片电流通路为半导体芯片提供机械支撑和保护提供散热通路，散逸半导体芯片产生热。因此，电子封装直接影响着集成电路和器件电热光和机械性能，还影响其可靠性和成本。同时，电子封装对系统小型化起着关键作用。集成电路和半导体器件要求电子封装具有优良电性能热性能机械性能和光学性能，同时必须具有较高可靠性和低成本。无论是在军用电子元器件中，还是在民用消费类电路中，电子封装都具有举足轻重地位，即基础地位先行地位和制约地位。电子封装不仅影响着信息产业乃至国民经济发展，而且影响着每个家庭现代化。据统计，年前，每个家庭约有只有源器件，年代已有几百万只晶体管，到目前，每家已拥有亿只晶体管。因此，电子封装与国民经济和家庭生活关系越来越紧密。所以我们必须高度重视电子封装研究和发展，尽快把这产业做大做强。电子封装是伴随着电路元件和器件产生，并最终发展成当今封装行业。集成电路越发展越显示出电子封装重要作用。般来说，有代整机，便有代电路和代电子封装。发展微电子要发展大规模集成电路，必须解决好三个关键问题芯片设计芯片制造工艺和封装，三者缺不可。集成电路向高集成度方向发展，对封装材料及技术提出了严峻挑战。芯片级性能由半导体制作技术决定，如线条精度细化程度而系统级性能则由封装条件来决定。微电子封装不再只是简单支撑保护电路，它是集成电路制作关键技术之，有人称它是九十年代人类十大重要技术之。目前，集成电路封装技术落后于芯片制作技术，这就限制了集成电路性能发挥。我国集成电路制造业正迅猛发展。在集成电路制造过程中，连接集成电路芯片与框架高密度集成电路封装材料是其中必不可少材料。年我国集成电路总销量为亿块半导体分立器件总产量为亿只，随着微电子行业向小型化高密度化发展，半以上普通封装材料将向高密低弧度铝硅集成电路封装材料发展，其发展潜力巨大，前景广阔。年年中国焊线预测年年年年年年年总用量亿米价值百万美元目前，我国铝硅合金高密度集成电路封装材料还处于开发研制阶段，每年生产总量也不到市场份额，大部分只能依靠进口满足生产需要。数年来国内已有多家研究院所从事过这方面研究，但无重大突破。主要表现为拉丝到毫米以下时断线严重，线材抗拉强度低，延伸率低，不仅严重影响生产效率，同时无法满足全自动键合机生产要求。探究断线原因是由于坯锭凝固组织合金洁净度以及线材成形和热处理工艺缺陷所致。北京科技大学与华宏公司在国家基金资助下，开发出高性能材料制备新技术，实现电路连线坯锭凝固组织细微化，熔体夹杂物氧和氢等杂质去除，大大降低夹杂物和气体含量，从而提高金属材料导电导热性能抗拉强度和塑性。因此，开发高性能物紫斑或白斑，降低键合接触强度，增大接触电阻，进而降低电路可靠性。目前键合铝硅高密度集成电路封装材料主要生产商有日本田中公司和美国新加坡公司。国产铝硅高密度集成电路封装材料主要问题是线径不致硬度不均匀和表面氧化层过厚等，不能获得高质量键合引线。由于工艺条件限制，国内目前尚无大批量生产工厂。这主要是由于长期以来，人们主要关注于微细丝材冷拔加工成形过程精确控制，而忽视了合金熔体纯净化和凝固组织精确控制，因而导致微细丝材在成形过程中断线率高成材率和生产效率低，难以制备出线径致硬度均匀超细丝材。其主要原因之是超细丝对微细夹杂和气孔尺寸与含量极其敏感，控制微细夹杂产生与数量和气孔尺寸与含量相当重要原因之二是材料变形能力与其显微组织关系很大。通过常规工艺得到线材不具备高电性能和力学性能，而采用连续定向凝固技术得到线材，具有优异塑性加工性能。研究证明，具有单向生长连续柱状晶组织纯铝杆坯具有非常优异冷加工能力，在制备超细丝过程中不需要进行中间热处理，即可从杆坯直接冷加工成丝材，冷加工伸长倍率达到万倍。可见，精确控制凝固组织对微细丝材制备同样是至关重要。可以认为金属熔体纯净化和凝固组织精确控制，已经成为微细丝制备核心技术。铝硅高密度集成电路封装材料是晶体管集成电路和超大规模电路封装中广泛使用连接用引线，高纯铝丝导电性好，耐蚀性优，但强度较差，难以拉成微细丝，主要用于功率管和可控硅等。铝硅集成电路封装材料因具有较高强度耐腐蚀传导性好键合速度高表面光洁焊接时结合力好，具有良好力学性能电性能和键合性能，故可拉成微米左右细丝，般用于陶瓷封装件，半导体器分离器件集成电路领域。如民用消费性，电视机，录放机，电脑，手机等芯片上工业用，大型服务器，存储器，医疗器械设备，电机，智能仪表等芯片上军用，军用电话机，军用侦察机，雷达预警系统等芯片上，键合丝还用在二极管，三极管等数码管芯片上，显示器，矩阵点阵等芯片上。本项目旨在将合金熔体纯净化连续定向凝固与室温冷拔加工相结合形成新型铝硅合金集成电路封装材料制备技术。以替代进口产品，打破铝硅高密度集成电路封装材料产品依赖进口，价格居高不下不利局面。项目实施后不仅满足电子工业发展需求，提高我国微电子行业国际竞争力，缩短与先进国家技术差距，为国家节约大量外汇，而且还顺应材料加工制造业向中国大陆转移大趋势，进步打开国际市场。因此，铝硅高密度集成电路封装材料产业化生产，其经济效益和社会效益将十分显著。第四节市场分析产品市场预测年中国集成电路市场总销量为亿块，每万块需用集成电路封装材料米，封装材料重克百米，封装材料用量吨。年，中国市场需求数量将达到亿块，需求额超过亿元人民币。同时，年我国半导体分立器件市场需求量达到亿只，规格为，每万只用米，封装材料重克百米，材料用量吨，年已达到亿只。由于我国逐渐成为世界上最大消费类电子信息产品生产国，电子信息产品制造业对提出了巨大市场需求，因此铝硅高密度集成电路封装材料产品有着广阔市场前景。随着北京天津浙江等地封装市场迅速崛起，珠江三角洲长江三角洲地区封装记备案证明。二研究工作范围对项目提出背景必要性产品市场前景进行分析，对企业销售市场发展趋势和需求量进行预测对项目拟采用技术工艺发展趋势技术创新点产业关联度分析，对项目技术成果知识产权进行说明对产品方案生产工艺技术水平进行论述，通过研究确定项目拟建规模，拟定合理工艺技术方案和设备选型对项目总图运输生产工艺公用设施等技术方案研究对项目建设条件厂址原料供应交通运输条件进行研究对拟建单位性质近三年财务情况法人代表情况分析对项目消防环保劳动安全卫生及节能措施评价进行项目投资估算对项目产品成本估算和经济效益分析，进行不确定性分析风险性分析，提出财务评价结论对项目实施进度及劳动定员确定提出本项目工作结论。三研究工作概况我院接受华宏微电子材料科技有限公司委托后，立即组织各专业设计人员对项目进行了调研工作。在全面熟悉上级批文和项目前期工作基础上，与企业有关领导和技术人员进行诚意细致磋商，了解企业目前生产经营情况，听取企业领导发展设想及该项目情况介绍，同时对研究主要原则进行了讨论，在此基础上确定了项目总体方案。在了解和掌握大量基础资料后，对项目可行性展开了全面研究。资金申请报告初稿完成后，征求有关部门企业领导和专家意见，经院审核后，完成项目资金申请报告工作。第三节资金申请报告概要及主要经济技术指标资金申请报告概要亿米年高密度集成电路封装材料铝硅键合线项目由华宏微电子材料科技有限公司投资建设，技术合作单位北京科技大学。项目研究和中试已完成，并通过了科技部组织专家验收，验收结论为该技术是自主研发，具有自主知识产权，创新性强，技术达到国内领先国际先进水平，填补了国内空白。项目投产达产后，对调整企业产业结构，提高产品核心竞争力，节约能源保护环境，产生巨大经济效益和社会效益。建设规模根据市场预测分析生产技术设备现状及资金筹措能力等因素，着眼于国内市场，并充分考虑企业自身优势，项目生产规模定为年产高密度集成电路封装材料铝硅键合线亿米。厂址选择项目建设地点在县经济开发区内，厂区地势平坦，水电汽等基础设施配套完整，适合本项目建设。在园区内还可享受县经济开发区相关税收土地使用等各项优惠政策。项目厂址选择充分考虑企业实际需求和近远期发展规划，做到了统筹兼顾经济合理优化配置节省资源。工艺技术方案工艺流程高纯净母合金熔配合金熔体净化处理真空熔炼熔体液态结构电变质处理连续定向凝固制备杆坯轧制或拉拔粗拉精拉在线热处理丝力学性能检测成品。公用工程配套电项目投产后，全厂总装机容量约为。选用台型低损耗变压器，本项目全年用电量约为万度。水项目厂区供水水源为城市自来水，供水管道为管道，接点压力。项目年生产天数天，全年耗水约。采暖及通风项目生产主要是采暖用汽。厂区采暖所需蒸汽由县热电厂直接供应，热电厂供汽管道，供汽压力，进厂管径，压力。土建项目主要建筑工程为生产车间座原辅材料仓库成品库综合楼各座及其它附属设施。新增建筑面积为。产组织业迅速膨胀，台湾香港等地封装企业迅速向大陆转移，年，我国键合引线总用量预计为亿米，价值亿美元。到年，可达亿米，价值亿美元。高密度集成电路封装材料铝硅键合线用量约占引线配电站，专供本项目使用。该站建筑面积。高压电源线进入配电站后，经高压开关柜接到变压器高压侧，由变压器降压到后，用低压配电柜以放射式与树干式相结合方法向各用电点送电。厂区内配电电缆沿地沟敷设，电源进入生产厂房后，经动力配电箱向各用电设备配电。高低压侧均采用单母线接线方式。经估算项目自然功率因数约为，经低压侧电器补偿后，功率因数约为。照明电源由配电室引出专线以树干向建筑物配电，各建筑物室内照明由设在该建筑物内或附近建筑物内照明配电箱控制，照明配电电压采用三相四线制，灯头电压采用