属冶金工作，取得多项国家和部级成果。其中锂离子电池及其电池材料研究及产业化获中国有色工业科技进步等奖黄金洞金矿浮选工艺优化研究与应用获国家经贸委科技进步等奖。发表论文近篇，获专利项，享受政府特殊津贴，兼任中国稀有金属学会钛锆铪学会主任，中国电池工业协会常务理事，北京金属学会理事，美国电子电器工程师协会高级会员。技术负责人郑安生，公司总经理，男，年月出生，中共党员，年毕业于兰州大学，材料科学硕士学位同年来北京有色金属研究总院工作至今。历任研究专题组长国家半导体材料工程研究中心主任助理副主任，现任国瑞电子材料有限责任公司总经理国家半导体材料工程研究中心副主任，兼任中国电子材料行业协会光电子分会副理事长国家科学技术部秘密技术审查专家。年被聘为教授级高级工程师。具有系统坚实专业理论知识和跟踪本专业国内外科技发展前沿能力，对ⅢⅤ族化合物半导体单晶材料制备有较深入研究和独到见解，在国内同行中有较高知名度。掌握英日两种外语，能熟练运用英语进行读写听说。具备主持国家重点科研项目全过程能力。年以来先后主持国家高技术研究项目两项，九五国家科技攻关项目项，国防科工委重大军工项目两项，国家工程研究中心项目项，国家高技术产业化示范工程水平砷化镓单晶片产业化项等，获部级成果四项。所述示范工程项目已被评为年度有色金属工业科技进步等奖，已申报国家科技进步奖。历年来，在国内外学术刊物发表论文余篇，出版专著半导体材料，化学工业出版社，部，为相关工具书撰写词条译著等约万字。郑总具有多年经营管理经验，对企业发展和市场把握有着敏锐眼光和长远战略，公司在他带领下，通过质量管理体系认证，企业获得河北省高新技术企业证书，产品获得高新技术产品证书，国瑞公司近几年销售收入总资产出口创汇呈现迅猛增长，年公司出口创汇万美元，占公司销售收入多。企业新产品研发能力及内部管理体系研发能力强是本单位固有优势，企业前身是北京有色金属研究总院化合物半导体材料研究室。成立于年，从成立之日起就开始水平单晶研究，年底研制成功国内第根水平单晶，先后承担多项国家科技攻关项目和军工配套项目，取得国家及部级科研成果项，这些成果均达到国际上同类产品技术水平或填补国内空白。年原国家计委选定北京有研总院组建国家半导体材料工程研究中心，作为国家半导体材料工程化研发基地，加快了单晶材料产业化步伐。年在国内首次拉制重，加工直径英寸晶片单晶，年建成了国内第个有台研究并不断进行了优化，对提高单晶生长成品率发挥了重要作用。单晶生长速度有时也称为结晶速度本工艺中视为石英反应管相对于加热炉相对移动速度是另个重要技术参数因为熔体结晶快慢与结晶潜热产生，正常传递密切相关，结晶速度控制不当，会严重干扰内加热炉所形成温度分布，进而影响单晶正常生长，本项目在对热场配置进行优化时，兼顾了采用合适结晶速度这重要参数。固液界面特种加热炉可很好调整固液界面形状，这对生长不同晶向晶体降低位错密度，提高成品率都十分重要。单晶生长过程中固液界面形状控制是提高成品率关键技术。在水平单晶生长过程中，无法完全按器件制造所要求晶向生长，即晶体生长方向与晶片晶向有定夹角，这导致了水平单晶切片，般都要斜切因而切片技术难度较大，为使所切晶片上电学参数尤其是载流子浓度均匀分布，固液界面也必须与生长方向成定角度。因为杂质主要是掺杂剂分凝是以固液界面为界线，如果单晶生长过程中固液界面与生长方向之间角度和所切晶片晶向与单晶生长方向之间角度不致，所切晶片上载流子浓度会形成浓度梯度，即得不到均匀分布，这会对在晶片上生长外延材料及器件成品率和性能造成不良影响。角度不致还有可能在晶体内部出现热应力而导致晶体完整性差，使增大，从而降低成品率。国内外在水平单晶研究开发中，多年来都是使用管状加热炉。因此，固液界面只能与生长方向垂直，无法得到所需要偏角。管状加热炉除了无法得到所需偏角以外，还很难调制固液界面本身平坦度，由于砷化镓热导率相对较低，在采用管状加热炉情况下固液界面四周热环境是固定，无法变动温度为。中温区为。这种加热结构既得到所需温度分布，又可抑制生长过程中污染。污染是由于舟石英管都是石英最低时小时爬行不大于。采用优质管支撑石英反应管使石英反应管长期