况下，和的长度相等，电流的相位和致。个延长的线是用来描述电流的相位关系。在每个相位计中电压滞后于电流度。随着电阻值的改变，到和到的相位关系也随之改变。在图画出了当个电阻值大于时的相位计图表。电流仍然和同相位。在这个图表中，的相位器比的要短很多，这种图表中，当大于时。和的相位关系在四十五到九十度之间。在图显示出了个当电阻调节到小于时产生的相位计图表，在这种情况下，的电压的相位要比的大，电流仍然与同相。单相相位变换器刚刚讨论的电阻电感和电阻电容电路常常被用来描述单相或系列的变换器。当被连接到电源时，在这种电路中，元件的连接为电流形成系列的路径。利用这种类型的电路只能完成度的相位改变。另外，输出电压的大小是通过电阻，电感和电容的各种参数决定。因此，单相相变换器电路只有相当有限的电气系统控制设备。桥相变换器桥相变换器与刚刚讨论的单相电阻电感电路和电阻电容电路有很大的区别。例如，桥网络要求支路和路径来产生相位的变化。个中心抽头的变压器同样被要求来产生电压，这些电压具有相同的振幅，但相位相差度。在图中这些电压标有和。图中画出了相位器示出的波形，这些电压值从抽头的中心输出的是电压的负极。相位器和代表桥输出电路的只脚和代表桥的另外两只脚。图中相位器的图示出三个代表有输出可能的桥相位转换器。在图中，和的值相等。相位器的输出和相差度。图和表示当调节电阻器到不同的值时所发生的相位改变。在图中，的值要比小。的输出相位比的相位要相差度，而比起，相差度。在图中的图形和图中的图形相反。在这种情况下，电阻器的值比电抗器大。处的相位器能够在到度之间的任何值之间改变。设定不同的电阻器值可以改变和相位器的长度。然而，相位器不会随电阻器值的改变而改变他的值。这就表示桥相位变换器输出的相位可以从到度之间变化。电流在个桥相位变换器产生通常与电路电阻的电压成分有关。在图的相位计图中，电流是从点开始延伸的。随着电阻的改变他的位置也发生改变，但他仍然和的相位器类似。个相位变换器的电流比通过电容器产生的电压的相位要相差度。在电流和电压度的角度差体现了这种关系。在设定不同的电阻值时这种条件仍然相同。单结晶体管触发可控硅的触发脉冲能够用个晶体管实现，这个装置通常被描述成象个电压控制的二极管。当个可控硅被触发工作后，单结晶体管能够设计成能响应来自其他输入的低电平信号。光电管，热电藕和其他的转换器的输出常常被用作激励单结晶体管，最终能触发可控硅。通过这种电路，它可能用个极小的输入信号去控制大电流的可控硅。个单结晶体管有三个端子，单结点，固态装置单相传导。就象图中画出的那样，个很小的型硅被安装在陶瓷的基极，引线被连接到叫基极和基极的硅区。发射极被转至特定的方向，所以比起，它更靠近，个结由发射极和硅区构成，单结晶体管的箭头指向。他表明发射极是，硅区是材料。与单结晶体管相当的电路如图所示，当节点反偏，和几乎是相同的电阻。然而，正偏引起结点电阻变到个很小的值。结点的电阻值没有因为的变化而变化。结果，象个电压控制的易变电阻。而仍然保持在个固定的值。在千欧的范围之内。基极间的电压好象加在和上。当正偏时，发射极电压引起发射极电流，当反偏时，就没有发射极电流了。单结晶体管的运行与其他的固态装置不同，当发射极反向偏置时，可看作个分压器，的电阻达到最大，电流的流出是由于漏电流的缘故。当发射极正偏时，的值下降到个很小的值。电压的改变将会引起很大的变化，和的电压会增加，的大小也会增加。典型的单结晶体管的特性曲线如图所示，这个特性曲线的竖坐标表示不同的发射极电压值。值的增加引起特性曲线的竖坐标明显增加，水平曲线表示发射极电流，注意第次应用是竖坐标的左边。这意味着运行反向偏置条件，在这里流出的任何电流二极管的漏节。在非常标称的漏电流后，在特性曲线的右边显示出来，会有个很大的增加。发射极的峰值电压说明了单结晶体管的触发点，峰值电流是最小的触发电流。的个较大的增加会引起下降到谷低电压点。和包围的面积被称作负阻区。的增加引起在图表的这个部分内减少。个拥有负阻区的装置他有恢复和振荡的能力，特性曲线的这个部分能够在脉冲触发产生装置中对于单结晶体管是个很重要的工作区。单结晶体管的触发依靠的传导率，当节正偏时，电子离开硅区，进入发射极区。这就引起硅区区形成空穴，电子被拉出电源的负极，进入到，填充到空穴中。事实上，这将在节上引起传导有个很大的增加。这时，这些地方将变得低阻抗。突然改变引起的电流也发生相应改变。电流的这种变化通常能被用来触发可控硅。单结晶体管接线法是将接地或者将连接到电源的负极。被连接到电源的正极，这个电压将会引起基极电流在和之间流动。内部电压被电阻器和分压。例如，如果是，为，则分得的电压是的倍，而分的电压是的倍，在实际中测量这两个电压值是不可能的，因为结点电阻和实际上是不存在的，电压的小数部分是通过分压得到的，这被叫做内部电压比，典型的值大约是到倍的。这个值决定发射极的触发电压是个常量即。如果比小，发射极反偏，这时只有漏电流流出，这时减少到只有几欧姆，基极的电流增加。在图中画出了单结晶体管的弛张振荡，他通常用于触发晶闸管，在这种电路中，元件两条相似的路径。电阻器，和电容器构成充电回路，而电阻器和单结晶体管构成放电回路，当开关闭合时，可以通过电阻器大约形成的电压，通过的电压使结点反偏。电阻器和电容器吸收电源送来的能量。同时，基极回路也样，电容器通过电容根据电路中的电阻器和电容的确定的值速度产生电压。当电容器的电压被充到时，它超过了的反偏电压，结点电阻就会变的很小，电容器很快被放电，由于发射极的电压下降，所以结点马上反偏。这时电容器又重复以上的过程重新充电。在图中画出了通过电容器而形成的锯齿波。在电容器的放电的时间中，电压通过电容器放电，并形成个尖峰脉冲。锯齿波的上升时间可通过调节电阻的大小来控制上升时间。当电容器在第次充电时，他的电压保持在个常量时，通过这个电路可以产生个很精确的脉冲信号。个对于晶闸管的单结晶体管脉冲控制电路如图所示，调节不同的低电阻值可以控制晶闸管的触发脉冲速率。改变电阻器的值会改变单结晶体管触发电路的的值，当电容器的电压被充到时，它就通过单结晶体管的结点和电阻器放电，由于这个电流要流过，故在上产生个电压降，上面的是正极，下面的是负极，可控硅的门极和阴极正偏，于是，就使可控硅触发，负载只会在交流阳极改变时才能获得电流。这种类型的脉冲触发电路能够利用他来有效的延迟使阳极从度内改变他的运行时间。相控用与阳极和阴极有关的电压来改变门极阴极交流电压的相位，这种方法通常用于控制可控硅的导通。在相控设备中，门极电压的形状和幅度没有改变，而他的相位随时间的变化而变化，电容和电感通常用于实现这种类型的控制。改变个交流正弦波的相位通常涉及到电阻电感或电容电阻器件组合,这些器件在电路中常用于改变电压和电流的关系在个电阻和电感的组合中,电感使得电流滞后于电压度,在这个组合中改变电阻器件,使得整个电路的电抗发生改变,最终导致相位的改变,通过比较个电阻电容网络引起电流超前于电压度,在这种类型的电路中,调整电阻的阻值,改变整个电路的阻抗,最终也可使相位的改变通常用于展示交流电流和电压的相位关系的方法是通过叫相位计的线来描述这些参数个相位计的线的长度常常用来展示这种值,而他的方向用来表示相位关系。,,