1、“.....图聚焦离子枪控制系统主要构成说明图离子束修补法激光气化法通常用来修孤立最终造成集成电路短路异常,使芯片良率降低。掩模制作是整个芯片流程中制造最昂贵的部分,例如块可供使用的相移掩模价格高至两万美元。块光掩模从曝光到成品周期较长,普通的元掩模从曝光到成品需小时以上,相移掩模工序更复杂,所需生产时间更长,如果不修补,报废处理,不但增加生产成本,而且影响产品交期。掩模是集成电路的母版,经光刻等工造成缺陷很难修补。本文介绍了掩模在制作过程中缺陷形成的原因,对掩模缺陷进行分类,阐述了光掩模缺陷修补的重要性和掩模修补原理及方法。比较详细的介绍了激光气化法局部曝光法离子束修补。对光掩模缺陷修补方法做了探讨研究。关键词光掩模缺陷修补离子束修补掩模是种统称,又名光掩模或是光罩掩模是在个石,清洗机采用硫酸与过氧化氢混合液......”。

2、“.....很多缺陷都能避免。本文主要介绍在掩模制作过程中产生的缺陷,针对透明缺陷与不透明缺陷的几种修补方法的探讨研究。激光气化法在掩模缺陷所有类型中,多余金属铬缺陷占总缺陷数半以上,激光气化光掩模缺陷及修补方法探讨研究原稿响,容易造成局部灼伤,影响掩模透光率。局部曝光法对于直径超过的金属铬残留,采用激光气化法容易将基板打伤,影响透光率,此时需采用局部曝光法。在检测机台查找出要修复的缺陷之后,通过涂胶机涂层光刻胶,光刻胶覆盖在金属残留上,然后到曝光机台上进行次曝光,显影之后,已曝光的部位上光刻胶被去掉,而没曝光图形被光至晶圆上。在掩模生产制造过程中,缺陷修补是道重要工序,尤其是当集成电路工艺发展到纳米技术节点时,随着图形特征尺寸越来越小,图形复杂多样,对缺陷要求越来越高,若掩模版上存在缺陷,晶圆厂经曝光等工艺流程处理,缺陷就被复刻到圆片上,最终造成集成电路短路异常......”。

3、“.....例如块可供不透明及透明两种缺陷,就是台典型的离子束修补机。光掩模缺陷及修补方法探讨研究原稿。由于受激光束聚焦的影响,修补只能用来修孤立的不透明缺陷,对于图形边缘的缺陷则不适用,容易把图形上的铬打掉,产生新的缺陷。也不能用于修补直径大于的金属铬残留,缺陷太大,激光需要打很多次,由于受能量均匀性陷针孔,透明区扩展,透明区桥连铬线条断裂,丢失图形等。通常把多余金属铬缺陷称为不透明缺陷,缺少金属铬缺陷称为透明缺陷,常见缺陷类型如图所示。摘要当集成电路工艺发展到纳米技术节点时,随着图形特征尺寸越来越小,图形越来越密集,势必造成缺陷很难修补。本文介绍了掩模在制作过程中缺陷形成的原因,对掩模缺陷进行分类,阐述了光掩模缺,经光刻等工艺流程后图形复刻到晶圆表面上,最终导致集成电路异常,使电路出现短路短路等现象。般有种由掩模缺陷引起的缺陷,第种是脏污......”。

4、“.....在进行光刻时会影响透光率,图形中不透光区域也会在晶圆上留下黑影。第种是原材料基板中的刮伤,也会影响透光率,或者使光线发生散射,导致晶圆上图形。第种是在掩模制修补的重要性和掩模修补原理及方法。比较详细的介绍了激光气化法局部曝光法离子束修补。对光掩模缺陷修补方法做了探讨研究。关键词光掩模缺陷修补离子束修补掩模是种统称,又名光掩模或是光罩掩模是在个石英基材上以铬膜所构成之集成电路设计图案,其目的是为了将设计出的集成电路图案利用掩模投影微缩转找出缺陷涂胶局部曝光显影蚀刻去胶图局部曝光修复金属铬残留局部曝光法可以用来修补较大的不透明缺陷,不会对基板产生任何影响,且能将多余的金属铬残留去除干净,此方法由于工序较多,速度慢,需要占用曝光机时,对产品周期产生定影响。图聚焦离子枪控制系统主要构成说明图离子束修补法激光气化法通常用来修孤立不透明缺陷,对于图形边缘的缺陷则不适用......”。

5、“.....产生新的缺陷。也不能用于修补直径大于的金属铬残留,缺陷太大,激光需要打很多次,由于受能量均匀性影响,容易造成局部灼伤,影响掩模透光率。局部曝光法对于直径超过的金属铬残留,采用激光气化法容易将基板打伤,影响透光率,此时需采用局部曝光法。在检测机台光罩缺陷修补包含蚀刻与沉积。蚀刻用来修不透明缺陷,利用镓离子撞击金属铬,同时金属铬与辅助气体发生化学反应生成水合溴化铬,水合溴化铬在真空状态下成气态,在粗抽泵的作用下排出腔体外。缺少铬缺陷修复比较简单,利用聚焦的离子束结合辅助沉积的方法将不透光材料用的相移掩模价格高至两万美元。块光掩模从曝光到成品周期较长,普通的元掩模从曝光到成品需小时以上,相移掩模工序更复杂,所需生产时间更长,如果不修补,报废处理,不但增加生产成本,而且影响产品交期。掩模缺陷修补方法研究在掩模缺陷修补中,通常采用的方法有激光气化法局部曝光法激光束修补离子束修补等......”。

6、“.....比较详细的介绍了激光气化法局部曝光法离子束修补。对光掩模缺陷修补方法做了探讨研究。关键词光掩模缺陷修补离子束修补掩模是种统称,又名光掩模或是光罩掩模是在个石英基材上以铬膜所构成之集成电路设计图案,其目的是为了将设计出的集成电路图案利用掩模投影微缩转响,容易造成局部灼伤,影响掩模透光率。局部曝光法对于直径超过的金属铬残留,采用激光气化法容易将基板打伤,影响透光率,此时需采用局部曝光法。在检测机台查找出要修复的缺陷之后,通过涂胶机涂层光刻胶,光刻胶覆盖在金属残留上,然后到曝光机台上进行次曝光,显影之后,已曝光的部位上光刻胶被去掉,而没曝光图形被光要占用曝光机时,对产品周期产生定影响。图聚焦离子枪控制系统主要构成说明图离子束修补法激光气化法通常用来修孤立的缺陷,般不用来修补边缘缺陷,且透明缺陷修补要比不透明缺陷修补难得多......”。

7、“.....覆盖住透明的小孔,边缘缺陷采用精度更高的离子束技术修补技术。离子束修补系统可以用来光掩模缺陷及修补方法探讨研究原稿找出要修复的缺陷之后,通过涂胶机涂层光刻胶,光刻胶覆盖在金属残留上,然后到曝光机台上进行次曝光,显影之后,已曝光的部位上光刻胶被去掉,而没曝光图形被光刻胶保护起来,缺陷裸露出来,然后,进行蚀刻,将多余的铬蚀刻掉,最后通过去胶机将其余的保护胶去除干净。局部曝光修复流程如图所示。光掩模缺陷及修补方法探讨研究原稿响,容易造成局部灼伤,影响掩模透光率。局部曝光法对于直径超过的金属铬残留,采用激光气化法容易将基板打伤,影响透光率,此时需采用局部曝光法。在检测机台查找出要修复的缺陷之后,通过涂胶机涂层光刻胶,光刻胶覆盖在金属残留上,然后到曝光机台上进行次曝光,显影之后,已曝光的部位上光刻胶被去掉,而没曝光图形被光修补。但离子束修补机价格贵,整套离子束修补系统大概在万美元左右......”。

8、“.....效率没有激光束修补高,同样大小为的不透明缺陷,离子束个小时可以修片产品,激光束个小时可以修片产品,由于激光束修补效率较高,所以还是被很多掩模厂同时具备离子束和激光束缺陷修补机。由于受激光束聚焦的影响,修补只能用来修孤立常,包括金属铬残留金属铬缺失小岛桥连小孔等。光掩模缺陷类型掩模缺陷根据其成因不同,可以分为多种,包括软缺陷和硬缺陷,其中硬缺陷又包含基板缺陷缺少金属铬缺陷和多余金属铬缺陷。软缺陷指纹,颗粒,水渍,残胶等。基板缺陷气泡,粒子,夹杂物,裂纹,小坑,划痕等。多余金属铬缺陷小岛,桥连,铬外延,多余铬图形。缺少金属铬缺陷针孔,透积到缺陷所在位臵上。沉积材料为,利用离子束撞击碳氢化合物,在离子束的撞击下环形分子键被击段,碳沉积在缺陷位臵处,覆盖住透明的小孔。由于离子束经过于静电透镜及角聚焦镜形成束很小的束斑,在节点以下掩模的修复中起了重要作用......”。

9、“.....广泛用于各种缺陷修补的重要性和掩模修补原理及方法。比较详细的介绍了激光气化法局部曝光法离子束修补。对光掩模缺陷修补方法做了探讨研究。关键词光掩模缺陷修补离子束修补掩模是种统称,又名光掩模或是光罩掩模是在个石英基材上以铬膜所构成之集成电路设计图案,其目的是为了将设计出的集成电路图案利用掩模投影微缩转胶保护起来,缺陷裸露出来,然后,进行蚀刻,将多余的铬蚀刻掉,最后通过去胶机将其余的保护胶去除干净。局部曝光修复流程如图所示。图离子束缺陷修补机工作原理示意图离子束缺陷修补系统主要是用于光罩缺陷修补,机台使用金属镓作为离子源,结合辅助反应气体等对缺陷进行修补不透明及透明两种缺陷,就是台典型的离子束修补机。光掩模缺陷及修补方法探讨研究原稿。由于受激光束聚焦的影响,修补只能用来修孤立的不透明缺陷,对于图形边缘的缺陷则不适用,容易把图形上的铬打掉,产生新的缺陷......”。