1、“.....氧对直拉单晶硅的影响氧在度波动,和氧浓度在铸锭和熔融随坩埚旋转速度的增加。在单晶硅的些生长条件下,合适的晶体和坩埚的转速是非常重要的。在实际生产和分配常用的高速低速水晶坩埚,以控制氧的均匀性,还可以采用变速和晶体坩埚提拉技术来实现氧气的分配。磁拉法法长,生产效率低,初始坩埚位置过高或过低都不利于晶体生长。直拉单晶硅的晶体生长,晶体在定的角速度旋转时,在相反方向的坩埚旋转,他们又强迫对流的直接作用,搅拌均匀熔体熔融硅,硅氧杂质,旋转的影子在单晶硅晶体和坩埚年轮生长过程是多方面的,不,单晶硅的氧浓度会严重影响单晶硅产品的性能,也是单晶硅生长过程中较难控制的环节。本文介绍了直拉单晶法中氧杂质的来源对单晶硅的影响以及氧浓度的控制方法。关于单晶炉热场温度梯度方面的研究原稿。当初始位置在低石英坩埚坩埚位置,中间位置是关于单晶炉热场温度梯度方面的研究原稿器,加热功率熔化炉时低......”。

2、“.....不熔氧在硅中的浓度同时,坩埚的位置低的温度梯度也使得纵向进行,进入氧浓度在熔体也小,可以降低氧含量。但初始坩埚位置减小,加热器功率降低,晶体温度梯度下降,晶体生长速率下降,熔体消耗时间长,随着硅单晶的生长方法的的氧含量是最著名的热施主效应,浮区晶体氧含量热施主效应不明显,除了长时间的热处理,将有个新的供体的效果,现在,只有较高的氧含量,单晶立方厘米氧含量。氧的沉淀性质,设计内吸杂工艺,可以达到吸除直拉单晶硅中的金属杂质,提高集成电路产品成品率的作用,因此,人们对直拉单晶硅中的氧开始了有控制的利用。关于单晶炉热场温度梯度方面的研究原稿。当初始位置在低石英坩埚坩埚位置,中间位置是靠近加内氩气除去。另目的是同时以气体避免重新融化,导致晶棒的碳污染。用氩气还原单晶硅炉中的钴和的分压,并从炉中取出和,以减少溶解到熔融硅中的量。减压提拉法可使结晶炉保持低压,提高的蒸发率,使氩气炉快速交换......”。

3、“.....浮区晶体氧含量热施主效应不明显,除了长时间的热处理,将有个新的供体的效果,现在,只有较高的氧含量,单晶立方厘米氧含量。由于热施主的存在,样品的电阻率降低,型样品的电阻率增大。这些特性改变量。关于单晶炉热场温度梯度方面的研究原稿。氧对直拉单晶硅的影响氧在硅中大部分处于间隙位置,它的振动所形成的硅在产生红外吸收带的键,这也符合空缺产生红外吸收带。在直拉硅单晶是热处理几十个小时的治疗,效果会产生热施主。摘要在电子半导体器件制造中,单晶硅的氧浓度会严重影响单晶硅产品的性能,也是单晶硅生长过程中较难控制的环节。本文介绍了直拉单晶法中氧杂质的来源对单晶硅的影响以及氧浓度的控制方法。可能与硅的电阻率变化有类似的机制。氧对直拉单晶硅的影响氧在方法可以生产大直径硅单晶,氧含量低可控。早期的法可分为两种加轴向磁场和外加横向磁场。参考文献刘兵直拉单晶炉热场控制系统的研究浙江大学......”。

4、“.....韩栋梁多晶硅和坏的。般认为,当晶体转速增大时,径向氧浓度分布趋于均匀。但速度过快会产生湍流,不利于位错的自由生长,也不利于杂质的均匀分布。坩埚的旋转可以使杂质均匀分布在整个熔化,而是由坩埚旋转引起的对流和热对流的方向是致的,这使在熔体中的温度波动于热施主的存在,样品的电阻率降低,型样品的电阻率增大。这些特性改变了硅片径向电阻率的均匀性,导致电阻率的热稳定性降低,成品率下降。氧对硅中少数载流子寿命的影响也是非常复杂的。可能与硅的电阻率变化有类似的机制。摘要在电子半导体器件制造量。关于单晶炉热场温度梯度方面的研究原稿。氧对直拉单晶硅的影响氧在硅中大部分处于间隙位置,它的振动所形成的硅在产生红外吸收带的键,这也符合空缺产生红外吸收带。在直拉硅单晶是热处理几十个小时的治疗,效果会产生热施主。器,加热功率熔化炉时低,与石英坩埚壁温底低......”。

5、“.....坩埚的位置低的温度梯度也使得纵向进行,进入氧浓度在熔体也小,可以降低氧含量。但初始坩埚位置减小,加热器功率降低,晶体温度梯度下降,晶体生长速率下降,熔体消耗时间长,州大学,。直拉单晶硅的氧杂质直拉单晶硅存在杂质中氧是主要杂质,石英坩埚的晶体生长过程是种轻微的污染,直拉硅中的元素杂质是不可避免的氧空位结合,形成微缺陷也可以聚集形成具有电性质的氧簇,可能是氧沉淀的形式,引入诱导缺陷。研究发现,利关于单晶炉热场温度梯度方面的研究原稿锭炉热场可视化分析及其关键技术研究太原理工大学,陈德伟基于有限元法的单晶炉热场数值模拟研究西安理工大学,王海龙模型预测控制在复杂工业过程中的应用研究兰州大学,魏耀华系统辨识结合模型预测控制在前馈控制轨迹规划中的应用研究兰州大学器,加热功率熔化炉时低,与石英坩埚壁温底低,不熔氧在硅中的浓度同时,坩埚的位置低的温度梯度也使得纵向进行,进入氧浓度在熔体也小......”。

6、“.....但初始坩埚位置减小,加热器功率降低,晶体温度梯度下降,晶体生长速率下降,熔体消耗时间长,较大的电导率,磁场可以控制熔体的运动,所以个磁场直拉法,即法。其主要优点有杂质的微观控制,特别是氧的可控性。通过减少坩埚的污染来提高坩埚的浓度。由于边界层的增加,杂质的有效分离系数增大,杂质分布的宏观和微观均匀性得到改善。因此,此,方法可以生产大直径硅单晶,氧含量低可控。早期的法可分为两种加轴向磁场和外加横向磁场。参考文献刘兵直拉单晶炉热场控制系统的研究浙江大学,王可直拉单晶炉热场模型参数辨识及模型预测控制兰州大学,韩栋梁,和氧浓度在铸锭和熔融随坩埚旋转速度的增加。在单晶硅的些生长条件下,合适的晶体和坩埚的转速是非常重要的。在实际生产和分配常用的高速低速水晶坩埚,以控制氧的均匀性,还可以采用变速和晶体坩埚提拉技术来实现氧气的分配。磁拉法法由于熔量。关于单晶炉热场温度梯度方面的研究原稿......”。

7、“.....它的振动所形成的硅在产生红外吸收带的键,这也符合空缺产生红外吸收带。在直拉硅单晶是热处理几十个小时的治疗,效果会产生热施主。产效率低,初始坩埚位置过高或过低都不利于晶体生长。直拉单晶硅的晶体生长,晶体在定的角速度旋转时,在相反方向的坩埚旋转,他们又强迫对流的直接作用,搅拌均匀熔体熔融硅,硅氧杂质,旋转的影子在单晶硅晶体和坩埚年轮生长过程是多方面的,不只有好氧的沉淀性质,设计内吸杂工艺,可以达到吸除直拉单晶硅中的金属杂质,提高集成电路产品成品率的作用,因此,人们对直拉单晶硅中的氧开始了有控制的利用。关于单晶炉热场温度梯度方面的研究原稿。当初始位置在低石英坩埚坩埚位置,中间位置是靠近加在硅中大部分处于间隙位置,它的振动所形成的硅在产生红外吸收带的键,这也符合空缺产生红外吸收带。在直拉硅单晶是热处理几十个小时的治疗,效果会产生热施主......”。

8、“.....陈德伟基于有限元法的单晶炉热场数值模拟研究西安理工大学,王海龙模型预测控制在复杂工业过程中的应用研究兰州大学,魏耀华系统辨识结合模型预测控制在前馈控制轨迹规划中的应用研究兰关于单晶炉热场温度梯度方面的研究原稿器,加热功率熔化炉时低,与石英坩埚壁温底低,不熔氧在硅中的浓度同时,坩埚的位置低的温度梯度也使得纵向进行,进入氧浓度在熔体也小,可以降低氧含量。但初始坩埚位置减小,加热器功率降低,晶体温度梯度下降,晶体生长速率下降,熔体消耗时间长,于熔硅较大的电导率,磁场可以控制熔体的运动,所以个磁场直拉法,即法。其主要优点有杂质的微观控制,特别是氧的可控性。通过减少坩埚的污染来提高坩埚的浓度。由于边界层的增加,杂质的有效分离系数增大,杂质分布的宏观和微观均匀性得到改善。氧的沉淀性质,设计内吸杂工艺,可以达到吸除直拉单晶硅中的金属杂质......”。

9、“.....因此,人们对直拉单晶硅中的氧开始了有控制的利用。关于单晶炉热场温度梯度方面的研究原稿。当初始位置在低石英坩埚坩埚位置,中间位置是靠近加只有好的和坏的。般认为,当晶体转速增大时,径向氧浓度分布趋于均匀。但速度过快会产生湍流,不利于位错的自由生长,也不利于杂质的均匀分布。坩埚的旋转可以使杂质均匀分布在整个熔化,而是由坩埚旋转引起的对流和热对流的方向是致的,这使在熔体中的近加热器,加热功率熔化炉时低,与石英坩埚壁温底低,不熔氧在硅中的浓度同时,坩埚的位置低的温度梯度也使得纵向进行,进入氧浓度在熔体也小,可以降低氧含量。但初始坩埚位置减小,加热器功率降低,晶体温度梯度下降,晶体生长速率下降,熔体消耗时于热施主的存在,样品的电阻率降低,型样品的电阻率增大。这些特性改变了硅片径向电阻率的均匀性,导致电阻率的热稳定性降低,成品率下降。氧对硅中少数载流子寿命的影响也是非常复杂的......”。