1、“.....简玮,余云鹏,个平衡系统将具有最低的自由能。假如个系统的自由能高于最低值,它将设法降低以达到平衡状态。因此,我们可以将视为结晶过程的驱动力。在固液平衡温度,两相之间自由能的差值为零。流体力学直拉硅生长系统中流体运动只存在于质样都属于结晶体。当结晶物质的原子排列之周期性延续定的大小时,即称之为单晶。晶体生长学认为熔体长晶的般原理,包括结晶驱动力溶质分凝界面稳定性等。在熔体长晶的过程中,借着熔体温度的下降,将产生由长界面均匀分布。直拉硅单晶生长过程建模与控制研究综述原稿。晶体生长过程中影响微缺陷的因素有很多,包括热屏形状和位臵炉体内气体压力气流速度晶体的冷却速度和生长速度等。数学模型建立的理论基础晶体生长学固体依据原子的排列直拉硅单晶生长过程建模与控制研究综述原稿的变化过程。因此,我们很难将其看成个模型,进行建模......”。

2、“.....我们的科学技术在快速发展,传统的控制器已经不能都满足我们的要求,所以,模型预测控制开始广泛应用在工业之中,的优势在于可以更好的对多变动力溶质分凝界面稳定性等。在熔体长晶的过程中,借着熔体温度的下降,将产生由液态转换为固态的相变化。为什么温度的下降,会导致相变化的产生呢这个问题的答案可由热力学观点来解释。对于发生在等温等压的相变化,不同相之间的相对但又由于硅单晶生长的工艺要求限制,提拉速度不能频繁和剧烈改变,所以需要调整晶体生长的热场温度来保持晶体直径。模型预测控制直拉硅单晶在生长的过程中,定要明确其特性,般来说,这个生长的过程是没有什么确定性的,属于非线性时变的冷却速度和生长速度等。数学模型建立的理论基础晶体生长学固体依据原子的排列情况,般可分为结晶物质及非晶质两种。结晶物质是指原子在视为结晶过程的驱动力。在固液平衡温度......”。

3、“.....流体力学直拉硅生长系统中流体运动只存在于惰性气体和熔体中,硅单晶拉制所需要的柑祸直径增大到英寸英寸,甚至更大,此时硅熔体在浮力重力增锅转动晶体转动空间呈周期性的规则排列。反之,非晶质的原子结构则没有规则性。硅和大部分的物质样都属于结晶体。当结晶物质的原子排列之周期性延续定的大小时,即称之为单晶。晶体生长学认为熔体长晶的般原理,包括结晶驱结束语综上所述,可以说,直拉硅单晶生长过程是个比较复杂的过程,研究也比较的复杂,本文基于直拉硅单晶生长过程的模型,并对其些缺陷进行简述,提出了些简单的控制方法,希望可以起到抛砖引玉的作用。参考文献崔东庆,简玮,余云鹏,和剧烈改变,所以需要调整晶体生长的热场温度来保持晶体直径。模型预测控制直拉硅单晶在生长的过程中,定要明确其特性,般来说,这个生长的过程是没有什么确定性的......”。

4、“.....因此,我们很难将其看成个模型,进行建模异。直拉单晶硅主要用于制作集成电路的衬底材料。直拉硅单晶质量和缺陷控制工程的发展带来了制造业的进步。例如晶体纯度的提高解决了许多与过渡金属污染有关的问题沙数载流子寿命金属沉积堆垛层错等。今天硅单晶技术主要面临两个缺定性,可由自由能来决定其中焓,为嫡,为绝对温度。个平衡系统将具有最低的自由能。对于后个因素,主要通过调整工艺参数和增加辅助设备来实现控制。般来说,晶体转动可以改善热场的径向对称性,并使溶质沿生空间呈周期性的规则排列。反之,非晶质的原子结构则没有规则性。硅和大部分的物质样都属于结晶体。当结晶物质的原子排列之周期性延续定的大小时,即称之为单晶。晶体生长学认为熔体长晶的般原理,包括结晶驱的变化过程。因此,我们很难将其看成个模型,进行建模,在这样的情况下......”。

5、“.....传统的控制器已经不能都满足我们的要求,所以,模型预测控制开始广泛应用在工业之中,的优势在于可以更好的对多变控制变量,包括了加热功率和提拉速度,这两个变量是不样的,般来说,它们会有不样的系统时间常数。因为提拉速度依靠的是伺服电机的控制,它最好的优势就是响应速度比较的快,因此,晶体直径也是能够依靠提拉速度来进行比较有效的调节。直拉硅单晶生长过程建模与控制研究综述原稿,在这样的情况下,我们的科学技术在快速发展,传统的控制器已经不能都满足我们的要求,所以,模型预测控制开始广泛应用在工业之中,的优势在于可以更好的对多变控制进行分析,在处理的过程中,也能够有约束类型的需的变化过程。因此,我们很难将其看成个模型,进行建模,在这样的情况下,我们的科学技术在快速发展,传统的控制器已经不能都满足我们的要求,所以......”。

6、“.....的优势在于可以更好的对多变不样的,般来说,它们会有不样的系统时间常数。因为提拉速度依靠的是伺服电机的控制,它最好的优势就是响应速度比较的快,因此,晶体直径也是能够依靠提拉速度来进行比较有效的调节。但又由于硅单晶生长的工艺要求限制,提拉速度不能频建模与控制研究综述原稿。结束语综上所述,可以说,直拉硅单晶生长过程是个比较复杂的过程,研究也比较的复杂,本文基于直拉硅单晶生长过程的模型,并对其些缺陷进行简述,提出了些简单的控制方法,希望可以起到抛砖引玉的作用。参问题的挑战,其来自原生的点缺陷晶格空位和自间隙原子,另方面是硅生长过程中采用石英不可避免引入的氧杂质造成的点缺陷。控制方法研究基于光学测径的控制控制系统有两个主要的控制变量,包括了加热功率和提拉速度,这两个变量是空间呈周期性的规则排列。反之,非晶质的原子结构则没有规则性......”。

7、“.....当结晶物质的原子排列之周期性延续定的大小时,即称之为单晶。晶体生长学认为熔体长晶的般原理,包括结晶驱制进行分析,在处理的过程中,也能够有约束类型的需求。单晶硅材料发展现状硅直被视为半导体工业最重要的材料,微电子产业发展和硅单晶材料制造技术关系密切。硅单晶制造技术有区熔法和直拉法,区熔硅单晶和直拉硅单晶者在用途上存在差但又由于硅单晶生长的工艺要求限制,提拉速度不能频繁和剧烈改变,所以需要调整晶体生长的热场温度来保持晶体直径。模型预测控制直拉硅单晶在生长的过程中,定要明确其特性,般来说,这个生长的过程是没有什么确定性的,属于非线性时变,林舜辉,王江涌铜镍诱导非晶硅晶化机制研究功能材料,杨启鸣,杨雯,段良飞,姚朝辉,杨培志单晶硅外延生长晶化硅薄膜的研究人工晶体学报,。假如个系统的自由能高于最低值......”。

8、“.....因此,我们可以将考文献崔东庆,简玮,余云鹏,林舜辉,王江涌铜镍诱导非晶硅晶化机制研究功能材料,杨启鸣,杨雯,段良飞,姚朝辉,杨培志单晶硅外延生长晶化硅薄膜的研究人工晶体学报,。控制方法研究基于光学测径的控制控制系统有两个主要直拉硅单晶生长过程建模与控制研究综述原稿的变化过程。因此,我们很难将其看成个模型,进行建模,在这样的情况下,我们的科学技术在快速发展,传统的控制器已经不能都满足我们的要求,所以,模型预测控制开始广泛应用在工业之中,的优势在于可以更好的对多变惰性气体和熔体中,硅单晶拉制所需要的柑祸直径增大到英寸英寸,甚至更大,此时硅熔体在浮力重力增锅转动晶体转动等的影响下,湍流成为其主要运动形式,目前主要采用低雷诺数湍流模型和大涡模拟来计算硅熔体湍流。直拉硅单晶生长过但又由于硅单晶生长的工艺要求限制......”。

9、“.....所以需要调整晶体生长的热场温度来保持晶体直径。模型预测控制直拉硅单晶在生长的过程中,定要明确其特性,般来说,这个生长的过程是没有什么确定性的,属于非线性时变液态转换为固态的相变化。为什么温度的下降,会导致相变化的产生呢这个问题的答案可由热力学观点来解释。对于发生在等温等压的相变化,不同相之间的相对稳定性,可由自由能来决定其中焓,为嫡,为绝对温度情况,般可分为结晶物质及非晶质两种。结晶物质是指原子在维空间呈周期性的规则排列。反之,非晶质的原子结构则没有规则性。硅和大部分的定性,可由自由能来决定其中焓,为嫡,为绝对温度。个平衡系统将具有最低的自由能。对于后个因素,主要通过调整工艺参数和增加辅助设备来实现控制。般来说,晶体转动可以改善热场的径向对称性,并使溶质沿生空间呈周期性的规则排列。反之,非晶质的原子结构则没有规则性......”。