1、“.....作为功能性材料,具有各项异性,所场设计减少氧的带入。根据氧带入的特点,通过优化加热部件的设计,从而达到改善熔体内热对流的目的,降低氧的带入。通过优化工艺条件减少氧的带入。有试验表明,直拉法拉制单晶硅时,通过炉内真空压力的调整,可以得到不同的氧含量。所以合适的炉内压力,将对氧含量的改善带来明显的好体材料需要将其制成硅单晶,并进步将其加工成为抛光片。这样才能将应用于器件的制造中,目前所生产的电子元件中以上的均使用硅单晶。单晶硅生长技术及氧缺陷控制方法原稿。直拉单晶硅中氧缺陷的控制方法单晶硅中的氧主要由石英坩埚带入。熔体硅液与石英温度梯度在界面附近有明显增加,且熔体纵向温度梯度有明显减少。而研究表明,增加加热屏后直拉炉平均拉速提升的主要原因有两点。首先直拉炉中晶体所受热量辐射受到热屏阻止有所减弱,且固液面热辐射也有所减小。其次,氩气流也会受到热屏的影响,能够得到良好的导流......”。

2、“.....而且还可以将位错密度控制在定范围内。无位错单晶的直径已达到规格化。单晶硅生长技术及氧缺陷控制方法原稿。直拉单晶硅中氧缺陷的控制方法单晶硅中的氧主要由石英坩埚带入。熔体硅液与石英坩埚发生化学反应,产生气体挥发物,其中的会以气原稿。热场构造分析。单晶硅在下游产业中的利用率逐年增加,而电子产业对硅片的依赖程度逐年加深,因而单晶硅生产要求不断提升,因此热场设计要求更加严格。设计优良的热场能够使炉内的温度分布达到最佳化,所以在长晶炉中会逐步的将特殊热场元件应用其中,以促进单晶硅生长单晶硅生长中的动量与热量输运影响的数值分折人工晶体学报,。单晶硅的概念半导体材料的电学性质和其他物理性质对晶格缺陷以及所含杂质的种类和数量非常敏感。制作各种半导体器件,尤其是集成电路和大规模集成电路的制作更需要均匀性好的大直径完善单晶。目前不仅能制造无位错的完善......”。

3、“.....所以在长晶炉中会逐步的将特殊热场元件应用其中,以促进单晶硅生长技术的发展。控制氧浓度。在单晶硅生长时,石英坩埚会溶解,因而单晶硅中会混杂如部分氧,而这些氧在硅晶格间隙浓度超过定范围,就会产生氧沉淀,该种缺陷会影响表明,拉晶速率提升了。同时针对单晶炉热场以及氩气流场采用有限元法进行试验,试验结果可以看出,通过上述改造,氩气流场得到了明显的改善,晶体纵向温度梯度在界面附近有明显增加,且熔体纵向温度梯度有明显减少。而研究表明,增加加热屏后直拉炉平均拉速提升的主要原因有两点。首先单晶硅质量性能。若不对氧沉淀进行控制,应用该种硅片加工集成电路,将会产生极大的危害。因此在单晶硅生长过程中,利用定工艺,令硅片内部氧沉淀密度增高,但在硅片表面定深度则为无氧沉淀的洁净区,从而对氧析出物进行控制,制备出高性能单晶硅材料......”。

4、“.....而作为此类技术的基础材料,硅发挥了重要作用。从些角度分析,硅影响了未来科技的发展,是高薪技术进步的基础,因此国家想要发展自身在能源领域以及高新技术领域实力,必须将作为战略资源。作为功能性材料,具有各项异性,所需求越来越强烈,太阳能发电的普及定为时不远,硅材料作为太阳能发电的主要材料,暂时还具有不可替代性。单晶硅作为电池材料中的高端产品,应用前景十分广阔。如何生产出成本低廉品质优良的单晶硅片,还需要行业工作者们不断努力。参考文献刘立新,罗平,李春,等单晶硅生长原理及工艺计,从而达到改善熔体内热对流的目的,降低氧的带入。通过优化工艺条件减少氧的带入。有试验表明,直拉法拉制单晶硅时,通过炉内真空压力的调整,可以得到不同的氧含量。所以合适的炉内压力,将对氧含量的改善带来明显的好处。改变晶埚转降低氧含量。单晶硅中的氧含量呈头高尾低分布,技术的发展......”。

5、“.....通过诸多的拉晶实验如图,复合式导流系统热屏双加热改造直拉炉热系统,结果表明,拉晶速率提升了。同时针对单晶炉热场以及氩气流场采用有限元法进行试验,试验结果可以看出,通过上述改造,氩气流场得到了明显的改善,晶体纵单晶硅质量性能。若不对氧沉淀进行控制,应用该种硅片加工集成电路,将会产生极大的危害。因此在单晶硅生长过程中,利用定工艺,令硅片内部氧沉淀密度增高,但在硅片表面定深度则为无氧沉淀的洁净区,从而对氧析出物进行控制,制备出高性能单晶硅材料。单晶硅生长技术及氧缺陷控制方法晶,而且还可以将位错密度控制在定范围内。无位错单晶的直径已达到规格化。单晶硅生长技术及氧缺陷控制方法原稿。直拉单晶硅中氧缺陷的控制方法单晶硅中的氧主要由石英坩埚带入。熔体硅液与石英坩埚发生化学反应,产生气体挥发物,其中的会以气努力。参考文献刘立新,罗平,李春,等单晶硅生长原理及工艺长春理工大学学报自然科学版......”。

6、“.....李彦林太阳能用直拉硅单晶生长速率研究半导体技术,魏奎先,戴永年,马文会,等太阳能电池硅转换材料现状及发展趋势轻金属,宇慧平,隋允康,安国平不同磁场对大直单晶硅生长技术及氧缺陷控制方法原稿长春理工大学学报自然科学版,任丙彦,羊建坤,李彦林太阳能用直拉硅单晶生长速率研究半导体技术,魏奎先,戴永年,马文会,等太阳能电池硅转换材料现状及发展趋势轻金属,宇慧平,隋允康,安国平不同磁场对大直径单晶硅生长中的动量与热量输运影响的数值分折人工晶体学报晶,而且还可以将位错密度控制在定范围内。无位错单晶的直径已达到规格化。单晶硅生长技术及氧缺陷控制方法原稿。直拉单晶硅中氧缺陷的控制方法单晶硅中的氧主要由石英坩埚带入。熔体硅液与石英坩埚发生化学反应,产生气体挥发物,其中的会以气发面积会减小,从而导致了石英坩埚中的不能及时挥发被氩气带走,更多的溶解在熔体之中,有研究表明......”。

7、“.....采取变埚转的方法,将埚转升高促使熔体对流加剧,从而达到挥发物被及时带走降低尾部氧含量的效果。总结随着人们对清洁能源的使用晶体尾部氧含量升高的原因是随着溶液液位的不断下降,溶液的蒸发面积会减小,从而导致了石英坩埚中的不能及时挥发被氩气带走,更多的溶解在熔体之中,有研究表明,可以采取在液位线降低到坩埚部以下的位臵时,采取变埚转的方法,将埚转升高促使熔体对流加剧,从而达到挥发物被但是尾部氧含量的反翘在实际生产中会比较严重,有左右的情况尾部的氧含量会比头部更高。单晶硅中的杂质分凝系数较小,杂质会向尾部富集,晶棒尾部的品质般较头部中部更差,故降低尾部杂质含量对提高单晶硅整体品质十分必要。晶体尾部氧含量升高的原因是随着溶液液位的不断下降,溶液的单晶硅质量性能。若不对氧沉淀进行控制,应用该种硅片加工集成电路,将会产生极大的危害。因此在单晶硅生长过程中,利用定工艺,令硅片内部氧沉淀密度增高......”。

8、“.....从而对氧析出物进行控制,制备出高性能单晶硅材料。单晶硅生长技术及氧缺陷控制方法体形式挥发,部分氧进入熔体中。氧作为单晶硅中的主要杂质,对单晶的品质有严重影响。氧在晶体冷却过程中会形成复合物,例如等,对单晶硅的电性能少子寿命等产生不良影响。直拉单晶硅中氧缺陷的控制方法通过优化热场设计减少氧的带入。根据氧带入的特点,通过优化加热部件的单晶硅生长中的动量与热量输运影响的数值分折人工晶体学报,。单晶硅的概念半导体材料的电学性质和其他物理性质对晶格缺陷以及所含杂质的种类和数量非常敏感。制作各种半导体器件,尤其是集成电路和大规模集成电路的制作更需要均匀性好的大直径完善单晶。目前不仅能制造无位错的完善所以将应用于半导体材料需要将其制成硅单晶,并进步将其加工成为抛光片。这样才能将应用于器件的制造中,目前所生产的电子元件中以上的均使用硅单晶......”。

9、“.....通过诸多的拉晶实验如图,复合式导流系统热屏双加热改造直拉炉热系统,结时带走降低尾部氧含量的效果。总结随着人们对清洁能源的使用需求越来越强烈,太阳能发电的普及定为时不远,硅材料作为太阳能发电的主要材料,暂时还具有不可替代性。单晶硅作为电池材料中的高端产品,应用前景十分广阔。如何生产出成本低廉品质优良的单晶硅片,还需要行业工作者们不断单晶硅生长技术及氧缺陷控制方法原稿晶,而且还可以将位错密度控制在定范围内。无位错单晶的直径已达到规格化。单晶硅生长技术及氧缺陷控制方法原稿。直拉单晶硅中氧缺陷的控制方法单晶硅中的氧主要由石英坩埚带入。熔体硅液与石英坩埚发生化学反应,产生气体挥发物,其中的会以气。改变晶埚转降低氧含量。单晶硅中的氧含量呈头高尾低分布,但是尾部氧含量的反翘在实际生产中会比较严重,有左右的情况尾部的氧含量会比头部更高。单晶硅中的杂质分凝系数较小,杂质会向尾部富集......”。