1、“.....应该选用导磁率较高的材料做屏远场时要大屏蔽效能低。这里对磁场辐射源的假设是纯磁场源,因此屏蔽效能与孔洞到辐射源的距离有关,距离越近,则泄漏越大。,屏蔽机箱上不同部分的结合处不可能完全接触,只能在些点接触上,这构成了个孔洞阵列。缝隙是造成屏蔽机箱屏蔽效能降级的主要原因之。在有关。距离辐射源较近时,波阻抗取决于辐射源的特性。式中为缝隙的长度,为缝隙的宽度,为入射电磁波的频率。这个公式是在远场区中,最坏情况下的屏蔽效能在近场区若辐射源是电场辐射源十若辐射源是磁场辐射源泄漏比远场时要大屏蔽效能低。这里对磁场辐射源的假设是纯磁场源,因此屏蔽效能与孔洞到辐射源的距离有关,距离越近,则泄漏越大。在解决电磁干扰问题的诸多手段中,电磁屏蔽是基本和有效的手段。同个屏蔽体对于不同性质的电磁波,其屏蔽性能不同。因此,在考虑电磁浅谈电子设备中的电磁屏蔽原稿有关,对于电场辐射源,距离越近......”。

2、“.....对于磁场辐射源,距离越近,则反射损耗越小。正确判断辐射源的性质,决定它应该靠近屏蔽体还是远离屏蔽体是结构设计的个重要内容。如果计算屏蔽效能时使用的是磁场强度,则称为磁场屏蔽效能,如果是电场强度,则称试验通信和教育教学问题。浅谈电子设备中的电磁屏蔽原稿。式中为缝隙的长度,为缝隙的宽度,为入射电磁波的频率。这个公式是在远场区中,最坏情况下的屏蔽效能在近场区若辐射源是电场辐射源十若辐射源是磁场是屏蔽效能的主要机理,要尽量提高反射损耗。反射损耗与辐射源的特性有关,对于电场辐射源,反射损耗很大对于磁场辐射源,反射损耗很小。因此,对于磁场辐射源的屏蔽主要依靠材料的吸收损耗,应该选用导磁率较高的材料做屏蔽材料。反射损耗与屏蔽体到辐射源的距离蚀等。影响电容成分的因素。根据电容器的原理两个表面之间的距离越近,对应的面积越大,则电容越大。解决缝隙泄漏的措施。增加接触面的重合面积......”。

3、“.....这也可以减小电阻增加电容保持接触面清洁,减小接触电阻保持接触全接触,只能在些点接触上,这构成了个孔洞阵列。缝隙是造成屏蔽机箱屏蔽效能降级的主要原因之。在实际工程中,常常用缝隙的阻抗来衡量缝隙的屏蔽效能。缝隙的阻抗越小,则电磁泄漏越小,屏蔽效能越高。缝隙处的阻抗。缝隙的阻抗可以用电阻和电容并联来等效,因为面较好的平整度,这可以减小电阻增加电容使用电磁密封衬垫,消除缝隙上的不接触点。参考文献王守,电磁兼容的实用技术技巧和工艺,机械工业出版社,邹逢兴,电磁兼容技术,国防工业出版社,安科,电磁兼容设计工程手册,作者王廷豪,副教授,研究方向频率较低的时候,吸收损耗很小,反射损耗是屏蔽效能的主要机理,要尽量提高反射损耗。反射损耗与辐射源的特性有关,对于电场辐射源,反射损耗很大对于磁场辐射源,反射损耗很小。因此,对于磁场辐射源的屏蔽主要依靠材料的吸收损耗......”。

4、“.....则称为磁场屏蔽效能,如果是电场强度,则称为电场屏蔽效能。般民用产品机箱的屏蔽效能在以下,军用设备机箱的屏蔽效能般要达到,屏蔽室或屏蔽舱等往往要达到在许多情况下,要求保护体不受外界电磁干扰,即屏蔽的越严密越好,但实际上屏蔽只能在屏蔽效能的因素。材料的导电性和导磁性越好,屏蔽效能越高。但实际的金属材料不可能兼顾这两方面,例如铜的导电性良好,但是导磁性很差,铁的导磁性很好,但导电性较差。应该使用什么材料,需根据具体情况选择。但在实际工程中,要达到以上的屏蔽效能也是十分困射源式中为辐射源电路的阻抗,为孔洞到辐射源的距离,为孔洞长宽,为电磁波的频率。在近场区,孔洞的泄漏与辐射源的特性有关。当辐射源是电场源时,孔洞的泄漏比远场时小屏蔽效能高,而当辐射源是磁场源时,孔洞的面较好的平整度,这可以减小电阻增加电容使用电磁密封衬垫,消除缝隙上的不接触点。参考文献王守......”。

5、“.....机械工业出版社,邹逢兴,电磁兼容技术,国防工业出版社,安科,电磁兼容设计工程手册,作者王廷豪,副教授,研究方向有关,对于电场辐射源,距离越近,则反射损耗越大,对于磁场辐射源,距离越近,则反射损耗越小。正确判断辐射源的性质,决定它应该靠近屏蔽体还是远离屏蔽体是结构设计的个重要内容。如果计算屏蔽效能时使用的是磁场强度,则称为磁场屏蔽效能,如果是电场强度,则称,电磁兼容的实用技术技巧和工艺,机械工业出版社,邹逢兴,电磁兼容技术,国防工业出版社,安科,电磁兼容设计工程手册,作者王廷豪,副教授,研究方向试验通信和教育教学问题。浅谈电子设备中的电磁屏蔽原稿。频率较低的时候,吸收损耗很小,反射损耗浅谈电子设备中的电磁屏蔽原稿定程度上解决问题,而很难从根本上解决,原因是有诸多影响屏蔽效能的因素。材料的导电性和导磁性越好,屏蔽效能越高。但实际的金属材料不可能兼顾这两方面,例如铜的导电性良好......”。

6、“.....铁的导磁性很好,但导电性较差。应该使用什么材料,需根据具体情况选有关,对于电场辐射源,距离越近,则反射损耗越大,对于磁场辐射源,距离越近,则反射损耗越小。正确判断辐射源的性质,决定它应该靠近屏蔽体还是远离屏蔽体是结构设计的个重要内容。如果计算屏蔽效能时使用的是磁场强度,则称为磁场屏蔽效能,如果是电场强度,则称在,如果在设计时没有考虑如何处理,屏蔽体的屏蔽效能往往很低,甚至没有屏蔽效能。不能有直接穿过屏蔽体的导体。个屏蔽效能再高的屏蔽机箱,旦有导线直接穿过屏蔽机箱,其屏蔽效能就会损失以上。浅谈电子设备中的电磁屏蔽原稿。如果计算屏蔽效能时使用的分量起主要作用高频时,电容分量起主要作用。影响电阻成分的因素。影响缝隙上电阻成分的因素主要有接触面积接触面的材料接触面的清洁程度接触面上的压力氧化腐蚀等。影响电容成分的因素。根据电容器的原理两个表面之间的距离越近,对应的面积越大,则电容越大......”。

7、“.....指的是整个屏蔽体必须是个完整的连续的导电体。这点实现起来十分困难。因为个完全封闭的屏蔽体是没有任何实用价值的。个实用的机箱上会有很多孔缝,不同部分结合的缝隙等。由于这些导致导电不连续的因素存面较好的平整度,这可以减小电阻增加电容使用电磁密封衬垫,消除缝隙上的不接触点。参考文献王守,电磁兼容的实用技术技巧和工艺,机械工业出版社,邹逢兴,电磁兼容技术,国防工业出版社,安科,电磁兼容设计工程手册,作者王廷豪,副教授,研究方向电场屏蔽效能。般民用产品机箱的屏蔽效能在以下,军用设备机箱的屏蔽效能般要达到,屏蔽室或屏蔽舱等往往要达到在许多情况下,要求保护体不受外界电磁干扰,即屏蔽的越严密越好,但实际上屏蔽只能在定程度上解决问题,而很难从根本上解决,原因是有诸多影响是屏蔽效能的主要机理,要尽量提高反射损耗。反射损耗与辐射源的特性有关,对于电场辐射源......”。

8、“.....反射损耗很小。因此,对于磁场辐射源的屏蔽主要依靠材料的吸收损耗,应该选用导磁率较高的材料做屏蔽材料。反射损耗与屏蔽体到辐射源的距离屏蔽材料。反射损耗与屏蔽体到辐射源的距离有关,对于电场辐射源,距离越近,则反射损耗越大,对于磁场辐射源,距离越近,则反射损耗越小。正确判断辐射源的性质,决定它应该靠近屏蔽体还是远离屏蔽体是结构设计的个重要内容。,屏蔽机箱上不同部分的结合处不可能完决缝隙泄漏的措施。增加接触面的重合面积,这可以减小电阻增加电容使用尽量多的紧固螺钉,这也可以减小电阻增加电容保持接触面清洁,减小接触电阻保持接触面较好的平整度,这可以减小电阻增加电容使用电磁密封衬垫,消除缝隙上的不接触点。参考文献王守浅谈电子设备中的电磁屏蔽原稿有关,对于电场辐射源,距离越近,则反射损耗越大,对于磁场辐射源,距离越近,则反射损耗越小。正确判断辐射源的性质......”。

9、“.....如果计算屏蔽效能时使用的是磁场强度,则称为磁场屏蔽效能,如果是电场强度,则称际工程中,常常用缝隙的阻抗来衡量缝隙的屏蔽效能。缝隙的阻抗越小,则电磁泄漏越小,屏蔽效能越高。缝隙处的阻抗。缝隙的阻抗可以用电阻和电容并联来等效,因为接触上的点相当于个电阻,没有接触的点相当于个电容,整个缝隙就是许多电阻和电容的并联。低频时,电阻是屏蔽效能的主要机理,要尽量提高反射损耗。反射损耗与辐射源的特性有关,对于电场辐射源,反射损耗很大对于磁场辐射源,反射损耗很小。因此,对于磁场辐射源的屏蔽主要依靠材料的吸收损耗,应该选用导磁率较高的材料做屏蔽材料。反射损耗与屏蔽体到辐射源的距离式中为辐射源电路的阻抗,为孔洞到辐射源的距离,为孔洞长宽,为电磁波的频率。在近场区,孔洞的泄漏与辐射源的特性有关。当辐射源是电场源时,孔洞的泄漏比远场时小屏蔽效能高,而当辐射源是磁场源时......”。