1、“.....设计和搭建超分辨光学光刻实验系统,开展相关关键单元技术和实验系统集成技术研究,包括超分辨成像器件与投影光学系统的体化设计技术照明光路设计实现纳米精度调平调焦的工件台机构和控制技术等。光刻分辨力增强技术研究。研究分析不同掩模版加工参数对光刻图形质量的影响,以及各种图形点阵折线不同占空比的线条任意图形等不同线宽光刻图形效果研究线条偏置法添加辅助线条法灰阶掩模法等超分辨成像光刻邻近效应校正优化设计方法各种相移掩模技术用于成像光刻的理论模型和分析方法研究四极照明环形照明二元光栅照明等离轴照明技术引入后光学光刻分辨力焦深对比度等变化情况和优化设计方法研究不同偏振态的光在光学光刻中起到的作用。研究基于超分辨光刻的配套光刻工艺和方法,建立从光刻胶处理到曝光显影的光刻工艺,用于提高光刻质量的关键辅助工艺,获得宽工艺窗口的光刻工艺标准。料特性对光刻质量的影响......”。
2、“.....研提交长焦深成像器件的设计软件和详细说明。利用杨顾算法等优化设计算法进行成像器件的设计,实现焦深的有效延伸。提出有效提高单个视场的理论和方法。维二维平面超分辨缩小成像器件设计,实现线宽,缩放倍率,视场。完善感光物理模型感光材料特性影响光刻质量的规律,完善建立感光显影数理模型计算分析软件方法。获得金属纳米颗粒的浓度尺寸形状种类等参数对光刻胶性能的影响规律,综合实验结果,分析得出通过加入纳米金属颗粒改善光刻胶相关性能的方案。实现复合光刻介质的三阶非线性系数,实现高灵敏光刻胶,厚度,伽马值。初步掌握利用人工控制半导体或相关有源材料辐射复合能量耦合到模式的物理机理。研究内容预期目标究径向偏振光高效最优激发过程及特性对成像光刻空间分辨力及局域场增强效应的影响。研究非线性等效应对光刻介质中局域光场分布,以及焦距能量集中度形状的调控。研究金属纳米颗粒的浓度尺寸形状等参数对光刻胶相关参数的影响。理论研究金属介质结构及参数对模式态密度的影响机制和规律......”。
3、“.....研究渗透区域的膜层光学特性和评价分析方法。实验研究多层金属介质结构的制备工艺和方法实验研究在多层金属介质结构中有效激励波长为的模式的方法实验研究多层金属介质结构中模式的传输损耗特性与结构参数的关系。研究光刻材料处理工艺对光刻质量的影响,搭建用于检测光刻材料处理工艺结果的实验系统。研究光刻对图形传递工艺的特殊要求及相互作用影响,利用光刻实验系统与超分辨成像器件进行投影光刻,开展提高光刻图形质量的实验研究。研究超分辨成像的像质分析方法像差理论模型和像差补偿技术依据超分制备出多层金属介质纳米薄膜,有效薄膜区域尺寸,金属薄膜厚度,薄膜厚度,总厚度。制备出高质量介质纳米薄膜层和金属介质混合材料薄膜,有效薄膜区域尺寸,厚度为,最大起伏小于,空洞缺陷少尺度范围缺陷数目个。搭建针对光刻材料处理工艺的检测系统厚度表面等,实验研究光刻材料处理工艺评价对光刻质量的影响。建立光刻图形传递工艺操作流程及评价标准,完成高深宽比大于的深刻蚀工艺实验......”。
4、“.....实现线宽的的光刻实验,深宽比达到以上。搭建缩小投影式超分辨成像光刻系统,在线波长条件下获得初步的线宽分辨力光刻验证结果,得到维二维光栅线条图形,提供超分辨成研究内容预期目标辨成像的成像理论和像差理论,改进和线宽超分辨成像器件设计。进行超分辨成像器件的光刻实验。根据光刻实验结果,优化超分辨成像器件制备工艺。像器件光刻设计和制备工艺的改进方案。发表论文篇,申请发明专利项。第四年拓展超分辨成像焦深和工作距的方法和实验研究,分析非线性光刻介质性能对光刻质量的影响,开展径向偏振光光刻的实验研究工作,研究分析有源增益材料结构模式传输损耗特性,设计并制备增益补偿的低损耗的传输耦合结构,理论研究调控模式波长色散能量分布耦合特性的物理机理,实验研究增益补偿的传输耦合结构,新型光刻介质的光刻工艺实验研究,研究线宽的光刻工艺及提高光刻图形质量的方法,完善传统光学和超衍射成像系统的对接设计方案。设计超分辨成像器件,研究及以下像差特性和实验分析。利用成像原理模型......”。
5、“.....扩展成像焦深,改进工作距离。研发种焦深检测的系统方案并实验验证。研究基片上金属纳米薄膜或阵列及薄膜厚度和阵列参数对光刻灵敏度和分辨力的影响。实现计算仿真软件与光学设计软件的衔接和数据接口和详细说明。实现利用传统光学波前工程进行光刻成像质量的提高,完成焦深检测系统方案的实验验证。进步完善感光显影数理模型和计算分析软件方法,获得金属超薄膜厚度,表面粗糙度或金属纳米阵列对光刻灵敏度和分辨力的影响规律。实现光刻胶厚度,伽马值,非线性感光材料线宽分辨力提高倍以上。掌握有源增益材料及结构对模式传输损耗的补偿特性,优化设计增益补偿的低损耗传输耦合结构并制备出样品。制备出高质量多层金属介质纳米薄膜,有效薄膜区域尺研究内容预期目标继续研究介质的非线性系数薄膜厚度与光刻介质的间距薄膜界面质量等材料与结构参数对光刻线条宽度及光刻质量的影响,给出优化的理论与实验结果。对比研究线偏振光轴对称偏振光在激发方面的不同特性以及与光刻介质相互作用的特点。开展径向偏振光光刻的实验研究工作......”。
6、“.....设计并制备增益补偿的低损耗的传输耦合,设计传输耦合等结构。优化多层金属介质结构参数,摸索在和工作波长有效降低模式传输损耗的方法实验研究增益补偿的传输耦合结构,研究模式增益的可行性理论研究调控模式波长色散能量分布耦合特性的物理机理,实现利用热光效应电光效应实现调控的结构。开展新型光刻介质的光刻工艺研究,实验验证提高线宽分辨力光刻质量的可行性利用搭建的超分辨投影光刻系统以及新型光刻胶,研究线宽的光刻工艺及提高光刻图形质量的方法。理论和实验探索研究与辐射电子转换光刻的方法可行性。研究提高光寸,金属薄膜厚度,薄膜厚度,总厚度。制备出多层薄膜结构,传输与耦合损耗小于。综合应用新型光刻胶光刻新方法和新技术以及优化工艺流程等,实现深宽比达到的线宽的光刻维二维线条和字符图形。提出超分辨成像器件的设计方案,制备出改进设计和制备工艺的超分辨成像器件。实现线宽特征尺寸的典型集成电路光刻图形的制作,得到任意字符线条图形,提供及以下超分辨成像器件的像差特性的实验检测结果......”。
7、“.....申请发明专利项。研究内容预期目标刻质量的新方法新技术。完善及以下超分辨成像器件的像差特性及理论模型。完善传统光学和超衍射成像系统的对接设计方案。设计超分辨成像器件,研究及以下超分辨成像器件的像差特性的实验验证方法及实现技术途径。利用改进制备的超分辨器件,进行线宽的光刻实验验证。第五年内容主要涉及完善超分辨成像仿真和设计平台,研究成像光刻分辨力理论极限,开展长焦深成像光刻实验研究,进步提高轴对称偏振光非线性光刻的线宽分辨力,研究金属纳米团簇对提高光刻分辨力和质量的影响作用,设计和制备低损的传输耦合结构,实验研究光刻胶感光波长下增益补偿传输耦合多层金属介质薄膜结构,完善并优化金属介质多层膜的制备工艺,总结介电常数与材料和组分的关系,系统研究高质量光刻图形制备的工艺,探索研究深紫外频段下,提高光刻分辨力和图形质量的方法先是通过波与光刻介质相互作用,进行电磁能量转换......”。
8、“.....二维任意光刻图形的邻近效应校正技术相移掩模技术离轴照明技术等波前工程技术对提高光刻分辨力是否依然有效,与其对应的理论模型设计方法和指导原则也是提高光刻分辨力必需解决的关键科学技术问题。在光刻工艺方面,如何实现纳米量级尺度上高深宽比金属微纳结构的原理和技术方法减小制备工艺偏差保证工艺稳定性和兼容性,降低工艺影响因子等问题,也是提高实际光刻分辨力必须面对的关键科学技术问题和难点。超衍射材料和超分辨器件制备中的关键科学技术问题超衍射材料和器件的主要制作手段目前仍是微细加工技术和化学自组装技术。但自组装技术存在不可避免的缺陷,不可能按照器件的要求人为在特殊地方引入纳米级的缺陷。此外,纳米级微粒的尺寸大小及均匀程度的控制仍然是大难关。因此如何合成具有特定尺寸,并且粒度均匀分布无团聚的纳米金属材料,以及缺陷的人为引入直是科研工作者努力解决的问题......”。
9、“.....而亚波长金属微纳结构成型过程除涉及光刻分辨力外,还涉及到大面积三维多层组合以及金属复合材料变形等基础科学问题,此外微细加工成本也是制约亚波长金属微纳结构光学性质研究的关键因素。基于超分辨成像的高质量光刻工艺和方法获得高质量的超分辨光刻图形是决定光刻技术走向应用的重要条件。目前,超分辨成像和光刻大多关注于如何提高分辨力,对于光刻图形质量问题研究甚少。由于光刻的独特物理特性,尽管于传统光刻材料和工艺兼容,也需要针对其光刻掩模照明方式曝光显影工艺光刻材料处理工艺图形传递等因素开展针对性研究,寻求适合光刻的最佳设计和工艺参数,实现高深宽比高质量的光刻图形演示,形成光刻技术标准草案,为光刻技术应用奠定重要技术基础。主要研究内容超衍射光学行为的物理本质规律和操纵方法研究研究在亚波长金属结构材料中,电磁波与金属表面自由电子相互作用形成的各种局域耦合波模式分布,研究波模式之间的相互激发转换规律,揭示亚波长金属结构中......”。
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