1、“.....研究方向为机械工程。刘佳佳,年月,男,汉族,就读于郑州大学,研究方向为机械工程为使得晶体直径达到制备要求的尺寸,进行放肩。引晶完成后,将拉速降低,同时降低功率开始放肩。放肩角般控制在至之也很大。通过采用大尺寸的石英坩埚,采取精细的工艺,改进晶体生长工艺和生长热场来获得预测最佳的氧碳含量及其分布,进而提高单晶硅的成品率。参考文献加万里,王勇,袁振邦单晶硅性能能的实验研究价值工程,黄有志直拉单晶硅工部分从熔体表面挥发,碳则留在熔硅中,最终进入晶体硅。直拉单晶生长时,熔体中碳含量逐渐增加,晶体中沿轴向长度碳是不均匀分布的,头部低,尾部高。与氧浓度的分布相反,碳浓度在晶体头部很低,而在晶体尾部则很高。结论本文介绍了单浅析单晶硅的生产现状原稿晶硅属于立方晶系,具有类似金刚石的结构,硬度大,在较宽的温度范围内,都能够稳定地工作,其热稳定性和电学性能非常好......”。

2、“.....因此,单晶硅制备工艺发展表现为头部高尾部低,在收尾处氧浓度有所上升,同时,氧浓度从单晶硅的中心部位到边缘是逐渐降低的。这是受晶体生长工艺变化的影响。单晶中的碳杂质碳的污染途径主要有第,原始多晶中的碳第,化硅过程中石墨坩埚托和石英坩埚之间的反也随之迅猛发展。到目前为止,太阳能光电工业基本上是建立在硅材料基础之上的,以硅材料为主的半导体专用材料在国民经济军事工业中的地位非常重要,全世界的半导体器件中有以上是用硅材料制成。其中单晶硅则是半导体器件的核心材料,单对它的生长进行控制,通过提高拉晶速度进行转肩,使肩近似直角,进入等直径的纵向生长。浅析单晶硅的生产现状原稿。单晶硅中的氧杂质在法生长中,氧是直拉单晶硅中的主要杂质,氧不可避免地掺入硅单晶。其途径是在硅的熔点附要的是保持晶体的无错位生长......”。

3、“.....生长速度再次加快,同时升高硅熔体的温度,使得晶体的直径不断缩小,形成个圆锥形,最终晶体离开液面,单晶硅生长完成。收尾的作用是防止位错反延。为使得晶体直径达到制备要求的尺近,熔硅与石英坩埚作用,生成进入硅熔体,溶解的氧经由熔体的对流和扩散传输到晶体和熔体的界面或自由表面。熔体中的部分氧在熔体自由表面蒸发,而余下的氧则通过晶体和熔体界面分凝而渗入晶体内。在实际直拉单晶硅中,氧浓度的区熔法在整个制备单晶硅的过程中,不需要使用石英坩埚支撑,高温的硅并没有和任何其它物质接触,因而很容易保持高纯度。这种方法制备的单晶硅氧含量低,但是不容易生长出较大直径的硅单晶。直拉法也被简称为法,现已成为制备单晶硅,其热稳定性和电学性能非常好。硅材料的优点及用途决定了它是目前最重要产量最大发展最快用途最广泛的种半导体材料。因此,单晶硅制备工艺发展迅速,产量大幅增加......”。

4、“.....根据晶体生长方式不同要应用于微电子集成电路和太阳能电池方面,是单晶硅的主体。浅析单晶硅的生产现状原稿。将单晶炉内的空气抽出,真空合格后充入保护气体氩气。打开功率进行加热,使炉体上升到左右。熔硅时,应注意炉内真空度的变化,般来说,在流以及高温石英坩埚与石墨加热器件之间的反应,生成的进入晶体生长区第,密闭性差而漏气导致石墨氧化成进入熔硅第,在直拉单晶硅生长时,其中的气体不易挥发,大多进入硅熔体与熔硅反应,产生单质碳和,而大近,熔硅与石英坩埚作用,生成进入硅熔体,溶解的氧经由熔体的对流和扩散传输到晶体和熔体的界面或自由表面。熔体中的部分氧在熔体自由表面蒸发,而余下的氧则通过晶体和熔体界面分凝而渗入晶体内。在实际直拉单晶硅中,氧浓度的晶硅属于立方晶系,具有类似金刚石的结构,硬度大,在较宽的温度范围内,都能够稳定地工作......”。

5、“.....硅材料的优点及用途决定了它是目前最重要产量最大发展最快用途最广泛的种半导体材料。因此,单晶硅制备工艺发展其它物质接触,因而很容易保持高纯度。这种方法制备的单晶硅氧含量低,但是不容易生长出较大直径的硅单晶。直拉法也被简称为法,现已成为制备单晶硅材料最为重要的方法之。随着电子通讯行业和太阳能光伏产业的快速发展,半导体工业浅析单晶硅的生产现状原稿,可分为悬浮区熔法和直拉法。这两种方法制备的单晶硅具有不同的特性和不同的器件应用领域,区熔单晶硅主要应用于大功率器件方面,而直拉单晶硅主要应用于微电子集成电路和太阳能电池方面,是单晶硅的主体。浅析单晶硅的生产现状原稿晶硅属于立方晶系,具有类似金刚石的结构,硬度大,在较宽的温度范围内,都能够稳定地工作,其热稳定性和电学性能非常好。硅材料的优点及用途决定了它是目前最重要产量最大发展最快用途最广泛的种半导体材料。因此......”。

6、“.....全世界的半导体器件中有以上是用硅材料制成。其中单晶硅则是半导体器件的核心材料,单晶硅属于立方晶系,具有类似金刚石的结构,硬度大,在较宽的温度范围内,都能够稳定地工作以对其直径进行等径控制,以确保单晶棒直径的上下致。等径过程在整个拉晶工艺中占用时间最多也是最重的阶段,这个阶段的工艺直接决定了单晶硅棒的质量。不仅要控制好晶体的直径,更为重要的是保持晶体的无错位生长。在晶体生长接近尾声动气氛下或在减压下熔硅比较稳定。熔硅温度升到时应转动坩埚,使坩埚各部受热均匀。随着电子通讯行业和太阳能光伏产业的快速发展,半导体工业也随之迅猛发展。到目前为止,太阳能光电工业基本上是建立在硅材料基础之上的,以硅材料为近,熔硅与石英坩埚作用,生成进入硅熔体,溶解的氧经由熔体的对流和扩散传输到晶体和熔体的界面或自由表面......”。

7、“.....而余下的氧则通过晶体和熔体界面分凝而渗入晶体内。在实际直拉单晶硅中,氧浓度的速,产量大幅增加。单晶硅生产工艺当前制备单晶硅主要有两种技术,根据晶体生长方式不同,可分为悬浮区熔法和直拉法。这两种方法制备的单晶硅具有不同的特性和不同的器件应用领域,区熔单晶硅主要应用于大功率器件方面,而直拉单晶硅主也随之迅猛发展。到目前为止,太阳能光电工业基本上是建立在硅材料基础之上的,以硅材料为主的半导体专用材料在国民经济军事工业中的地位非常重要,全世界的半导体器件中有以上是用硅材料制成。其中单晶硅则是半导体器件的核心材料,单硅材料最为重要的方法之。当晶棒长到定长度,就可以对其直径进行等径控制,以确保单晶棒直径的上下致。等径过程在整个拉晶工艺中占用时间最多也是最重的阶段,这个阶段的工艺直接决定了单晶硅棒的质量。不仅要控制好晶体的直径,更为重时,生长速度再次加快......”。

8、“.....使得晶体的直径不断缩小,形成个圆锥形,最终晶体离开液面,单晶硅生长完成。收尾的作用是防止位错反延。区熔法在整个制备单晶硅的过程中,不需要使用石英坩埚支撑,高温的硅并没有和任何浅析单晶硅的生产现状原稿晶硅属于立方晶系,具有类似金刚石的结构,硬度大,在较宽的温度范围内,都能够稳定地工作,其热稳定性和电学性能非常好。硅材料的优点及用途决定了它是目前最重要产量最大发展最快用途最广泛的种半导体材料。因此,单晶硅制备工艺发展,需适当调整放肩速度,保持圆滑光亮的放肩表面。放肩过程可通过降低拉速或者降低温度实现。当放肩过程达到目标直径时,要对它的生长进行控制,通过提高拉晶速度进行转肩,使肩近似直角,进入等直径的纵向生长。当晶棒长到定长度,就可也随之迅猛发展。到目前为止,太阳能光电工业基本上是建立在硅材料基础之上的......”。

9、“.....全世界的半导体器件中有以上是用硅材料制成。其中单晶硅则是半导体器件的核心材料,单艺技术北京化学工业出版社,康自卫,王丽硅片加工技术北京化学工业出版社,王泽来高阻单晶硅太阳电池关键工艺研究渤海大学,刘寄声单晶硅与多晶硅生产技术问答北京化学工业出版社,作者简介高磊,年月,男,汉族,就读于郑州大晶硅的发展现状,分析了直拉法单晶生长工艺及其存在的主要杂质。对于太阳能电池来说,单晶中的碳使其漏电性能变坏,还会促使氧的沉淀,过量的氧沉淀会引起大的应力,将导致硅片翘曲,诱生位错层错等缺陷,对硅光电池的光电转换效果影响以及高温石英坩埚与石墨加热器件之间的反应,生成的进入晶体生长区第,密闭性差而漏气导致石墨氧化成进入熔硅第,在直拉单晶硅生长时,其中的气体不易挥发,大多进入硅熔体与熔硅反应,产生单质碳和,而大近,熔硅与石英坩埚作用,生成进入硅熔体......”。