（定稿）模拟电子技术基础备课笔记第1-2章（最终定稿）

结的反向击穿特性当结的反向电压增大到定值时，反向电流随电压数值的增加而急剧增大。

结的反向击穿有两类齐纳击穿和雪崩击穿。

无论发生哪种击穿，若对其电流不加以限制，都可能造成结的永久性损坏。

结温度特性当温度升高时，结的反向电流增大，正向导通电压减小。

这也是半导体器件热稳定性差的主要原因。

结电容效应结具有定的电容效应，它由两方面的因素决定是势垒电容，二是扩散电容，它们均为非线性电容。

势垒电容是耗尽层变化所等效的电容。

势垒电容与结的面积空间电荷区的宽度和外加电压等因素有关。

扩散电容是扩散区内电荷的积累和释放所等效的电容。

扩散电容与结正向电流和温度等因素有关。

结电容由势垒电容和扩散电容组成。

结正向偏置时，以扩散电容为主反向偏置时以势垒电容为主。

只有在信号频率较高时，才考虑结电容的作用。

半导体二极管本讲重点二极管的伏安特性单向导电性及等效电路三个常用模型稳压管稳压原理及简单稳压电路二极管的箝位限幅和小信号应用举例本讲难点二极管在电路中导通与否的判断方法，共阴极或共阳极二极管的优先导通问题稳压管稳压原理教学组织过程本讲以教师讲授为主。

用多媒体演示二极管的结构伏安特性以及温度对二极管特性的影响等，便于学生理解和掌握。

二极管的箝位限幅和小信号应用举例可以启发讨论。

主要内容半导体二极管的几种常见结构及其应用场合在结上加上引线和封，稳压效果愈好。

温度系数温度的变化将使改变，在稳压管中，当时，具有正温度系数，反向击穿是雪崩击穿当时，具有负温度系数，反向击穿是齐纳击穿当时，稳压管可以获得接近零的温度系数。

这样的稳压二极管可以作为标准稳压管使用。

稳压管稳压电路稳压二极管在工作时应反接，并串入只电阻。

电阻有两个作用是起限流作用，以保护稳压管二是当输入电压或负载电流变化时，通过该电阻上电压降的变化，取出误差信号以调节稳压管的工作电流，从而起到稳压作用。

如图所示。

特殊二极管与普通二极管样，特殊二极管两种载流子带负电的自由电子和带正电的空穴本征半导体中，自由电子和空穴总是成对出现，称为电子空穴对。

本征半导体中自由电子和空穴的浓度用和表示，显然。

由于物质的运动，自由电子和空穴不断的产生又不断的复合。

在定的温度下，产生与复合运动会达到平衡，载流子的浓度就定了。

载流子的浓度与温度密切相关，它随着温度的升高，基本按指数规律增加。

杂质半导体掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。

杂质半导体是半导体器件的基本材料。

在本征半导体中掺入五价元素如磷，就形成型电子型半导体掺入三价元素如硼镓铟等就形成型空穴型半导体。

杂质半导体的导电性能与其掺杂浓度和温度有关，掺杂浓度越大温度越高，其导电能力越强。

在型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子。

多子自由电子的数量正离子数少子空穴的数量在型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。

多子空穴的数量负离子数少子自由电子的数量型半导体主要靠空穴导电，掺入杂质越多，空穴浓度越高，导电性越强，多数载流子为空穴。

型半导体主要靠自由电子导电。

掺入杂质越多，多子浓度自由电子越高，导电性越强，实现导电性可控。

多数载流子为自由电子结的形成及其单向导电性半导体中的载流子有两种有序运动载流子在浓度差作用下的扩散运动和电场作用下的漂移运动。

同块半导体单晶上形成型和型半导体区域，在这两个区域的交界处，当多子扩散与少子漂移达到动态平衡时，空间电荷区亦称为耗尽层或势垒区的宽度基本上稳定下来，结就形成了。

当区的电位高于区的电位时，称为加正向电压或称为正向偏置，此时，结导通，呈现低电阻，流过级电流，相当于开关闭合当区的电位高于区的电位时，称为加反向电压或称为反向偏置，此时，结截止，呈现高电阻，流过级电流，相当于开关断开。

结是半导体的基本结构单元，其基本特性是单向导电性即当外加电压极性不同时，结表现出截然不同的导电性能。

结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移，试判断管脚管型。

解电流判断法