1、“.....对比图和图，可得到栅器件的抗辐射性能不及环栅器件，但由于前文提到的在环栅器件中，存在多种不可忽视的劣势，因而在应用于非超高辐射剂量的环境中，如非几十兆级的环境，栅器件具有很好的应用价值。器件的阈值电压参数的提取和分析利用中的工具，对新型抗总剂量效应版图的加固器件论文原稿证了栅器件能够有效减小由于总剂量效应引起的器件特性变化。所有仿真结构通过对器件进行维仿真得到。新型抗总剂量效应版图的加固器件论文原稿。此外，条形栅器件的开态电流也随着固定电荷密度的增大而小幅度的增大。可见效应对于条形栅器件这种非抗辐射结构的关态漏电流的影响是非常大的......”。

2、“.....由图可见，曲线几乎互相重合，基本上可电流，从这两个角度进行对比分析，更全面的说明了效应对栅器件的影响非常小，进步验证了该结构的抗辐射性能可达到辐射剂量为的加固水平，可以满足大多数航天任务要求。器件结构和仿真策略与条形栅器件相比，栅器件通过额外引入两条短栅，使无法与源漏同时相邻，继而无法形成完整的寄生漏电通路，实现了辐射加固的目的。器件沟道宽度定义为如图所示。种结构的关键参数相同，环栅器件的等效宽长器件抗辐射版图加固結构，如图。通过与条形栅器件和环栅器件的曲线的对比，说明了栅器件能有效减小由于效应引起的关态漏电流。此外......”。

3、“.....从这两个角度进行对比分析，更全面的说明了效应对栅器件的影响非常小，进步验证了该结构的抗辐射性能可达到辐射剂量为的加固水平，可以满足大多数航天任务要求。仿真结果与讨论辐射后的转移特本文设计了种新型的抗辐射栅器件版图结构。该结构同传统抗辐射结构环栅器件相比，具有较小的版图面，较小的栅电阻，并且对于器件沟道宽长比设计不受限。通过与非抗辐射结构条栅器件和抗辐射结构环栅器件的曲线进行对比，验证了栅器件的抗辐射性能，可达到辐射剂量为的加固水平，满足大多数对器件加固水平的要求。此外，对比了器件在辐射前后的阈值电压，进步验证了栅器件能够有效减小件的抗辐射性能......”。

4、“.....通过与非抗辐射条形栅器件和抗辐射环栅器件的对比，说明了效应对栅器件的转移特性曲线和阈值电压影响很小，验证了栅器件可达到辐射剂量为的加固水平。从抗辐射性能的角度来说，栅器件虽不及环栅器件，但由于栅器件具有较小的器件版图面积，较小栅电阻以及对于宽长比设计不受限的优势，使得栅存在多种不可忽视的劣势，因而在应用于非超高辐射剂量的环境中，如非几十兆级的环境，栅器件具有很好的应用价值。器件的阈值电压参数的提取和分析利用中的工具，对种器件在固定电荷密度为和的转移特性曲线提取了阈值电压，分别模拟辐射前后的辐射环境。对比种器件的两个参数在辐射前后的变化，表征其抗辐射性能的强弱......”。

5、“.....表给出了种器件辐电荷密度的增大而小幅度的增大。可见效应对于条形栅器件这种非抗辐射结构的关态漏电流的影响是非常大的。图为环栅器件在不同固定电荷密度下的转移特性曲线。由图可见，曲线几乎互相重合，基本上可以说在环栅器件中并没有产生由于效应引起的寄生漏电路径。这是因为环栅器件通过改变栅的形状，使得源漏间的电流都只能从栅下的超薄栅氧中流通，即通电路径与完全隔离，因而具有很强的抗辐射性能。图为栅新型抗总剂量效应版图的加固器件论文原稿，。器件在对于加固水平要求不是尤其高的情况下，例如辐射剂量为的加固水平，具有更好的应用价值......”。

6、“.....其中和分别表示辐射前后的阈值电压值。由表可见，条形栅器件在辐射前后阈值电压由减小为，下降了，阈值电压在辐射后下降了。可见效应对条形栅器件的阈值电压影响很大。相比之下，环栅器件由下降为，下降了栅器件由下降为，下降了，都相对很小。说明了栅器件能够有效减小效应对器件阈值电压的影响，验证了栅器器件在不同固定电荷密度下的转移特性曲线。由图可见，器件在固定电荷密度为下的关态漏电流相对于辐射前仅有小幅度上升，并且开态电流也未观察到随着固定电荷密度的增大而有明显的变化。说明栅器件能够有效减小效应引起的关态电流增大的影响，验证了栅器件的抗辐射性能可达到辐射剂量为的加固水平。对比图和图......”。

7、“.....但由于前文提到的在环栅器件中，。在条栅器件中，效应在沟道与交界面处产生寄生导电通路，如图中红线所示，产生寄生漏电流，并且随着剂量的增大而增大。新型抗总剂量效应版图的加固器件论文原稿。此外，条形栅器件的开态电流也随着固定新型抗总剂量效应版图的加固器件论文原稿证了栅器件可达到辐射剂量为的加固水平。从抗辐射性能的角度来说，栅器件虽不及环栅器件，但由于栅器件具有较小的器件版图面积，较小栅电阻以及对于宽长比设计不受限的优势，使得栅器件在对于加固水平要求不是尤其高的情况下，例如辐射剂量为的加固水平，具有更好的应用价值。参考文献......”。

8、“.....分别模拟辐射前后的辐射环境。对比种器件的两个参数在辐射前后的变化，表征其抗辐射性能的强弱。首先对阈值电压参数进行分析。表给出了种器件辐射前后的阈值电压及其辐射后阈值电压减小的百分比。其中和分别表示辐射前后的阈值电压值。由表可见，条形栅器件在辐射前后阈值电压由减小为，下降了，阈值电压在辐射后下降了。可见以说在环栅器件中并没有产生由于效应引起的寄生漏电路径。这是因为环栅器件通过改变栅的形状，使得源漏间的电流都只能从栅下的超薄栅氧中流通，即通电路径与完全隔离，因而具有很强的抗辐射性能。图为栅器件在不同固定电荷密度下的转移特性曲线。由图可见......”。

9、“.....并且开态电流也未观察到随着固定电荷密度的增大而有明显的变化。说明栅器件比为，其他两种结构的宽长比为。本文设计了种新型的抗辐射栅器件版图结构。该结构同传统抗辐射结构环栅器件相比，具有较小的版图面，较小的栅电阻，并且对于器件沟道宽长比设计不受限。通过与非抗辐射结构条栅器件和抗辐射结构环栅器件的曲线进行对比，验证了栅器件的抗辐射性能，可达到辐射剂量为的加固水平，满足大多数对器件加固水平的要求。此外，对比了器件在辐射前后的阈值电压，进步验性曲线在本节中，对比了种结构在不同固定电荷密度下的曲线。其中设置大小为的固定电荷密度来模拟辐射前的情况......”。