1、“.....所以普遍情况下结和结的雪崩击穿电压相等。的大小取决于长基区电阻率的高低，但是，由于工艺等方面原因，结的击穿特性可晶闸管高温转折电压下降原因分析论文原稿亦发生变化。当制造工艺比较正常，漏电流比较小。伏安特性在击穿时有明显的拐弯，这种情况称为雪崩型硬击穿特性。在这种情况下，随着温度的升高，晶体内原子核振动加速，导致载流子在其运动中的正向转折电压，虽然它的值明显低于正向转折电压......”。

2、“.....器件本身的温度就要升高。晶闸管高温转折电压下降原因分析论文原稿功率损耗也大。管芯中间部位的热量不易散发，因此结的温度升高。温度升高引起硅的特性参数也发生变化。随之，结和晶闸管的特性参数亦发生变化。关键词晶闸管高温转折电压下降引言当晶闸管通当制造工艺比较正常，漏电流比较小。伏安特性在击穿时有明显的拐弯，这种情况称为雪崩型硬击穿特性。在这种情况下......”。

3、“.....晶体内原子核振动加速，导致载流子在其运动中的自由程变小，阜新市天琪电子有限责任公司辽宁省阜新市。是晶闸管器件的结或结单独存在时的雪崩击穿电压，般来讲，次扩散是对称性扩散，且共用个长基区，所以普遍情况下结和结的雪崩击穿电压表读数应不变，保持欧姆左右。符合以上规律，说明被测双向晶闸管未损坏且个引脚极性判断正确......”。

4、“.....阻值为无穷大。再用短接线将极瞬间短接，给极加上正向触发电压，间阻值约为欧姆左右。随后断开极短接线，万用表读数应保持欧姆左右。互换红黑表笔接线，红表笔向晶闸管的检测用万用表电阻档，用红黑两表笔分别测任意两引脚正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。若组为数十欧姆时，该组红黑表笔所接的两引脚为第阳极和控制极，另空脚即为第阳极晶闸管高温转折电压下降原因分析论文原稿相等......”。

5、“.....但是，由于工艺等方面原因，结的击穿特性可以分成硬特性和软特性两类，它们随着温度的变化是不样的。晶闸管高温转折电压下降原因分析论文原稿线路，保证晶闸管器件能够正常的工作。参考文献尹育新，戎宏娜浅谈种全新的网络技术物联网信息系统工程，胡清，詹宜巨，黄小虎基于企业物联网及中间件技术研究微计算机信息，作者单测任意两引脚间正反向电阻，直至找出读数为数十欧姆的对引脚，此时黑笔接的引脚为控制极......”。

6、“.....另空脚为阳极。此时将黑表笔接已判断了的阳极，红表笔仍接阴极。此时万试剂及使用硼磷吸收的方法，可以使结呈现雪崩型硬击穿特性，可以有效解决晶闸管高温转折电压下降的问题，通过简单的万用表的操作，可以判定高温使用后晶闸管是否被击穿，可以调整散热条件和第阳极，黑表笔接第阳极。同样万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。用短接线将极间再次瞬间短接，给极加上负向的触发电压，间阻值也是欧姆左右......”。

7、“.....万用确定极后，再仔细测量极间正反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第阳极，红表笔所接引脚为控制极。将黑表笔接已确定了的第阳极，红表笔接第阳极，此时万用表表指针应不动。用短接线瞬间短接阳极和控制极，此时万用表指针应向右偏转，阻值读数为欧姆左右。如阳极接黑表笔，阴极接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向晶闸管已击穿损坏。双晶闸管高温转折电压下降原因分析论文原稿参数......”。

8、“.....尤其在高温使用后，可以简单的使用万用表来判别晶闸管是否可以继续正常使用，还是已经在高温时损坏，需要更换器件。单向晶闸管的检测万用表选用电阻档，用红黑两表笔分别空气中暴露的时间，避免不合格的水和化学试剂的沾污，以避免有害杂质扩散到硅片中去。如果可能的话，采用硼磷吸收的办法，把金属杂质从体内吸收出来。同时还要注意斜边造型和保护，在方片的玻璃分成硬特性和软特性两类，它们随着温度的变化是不样的......”。

9、“.....即使在室温下，由于漏电流的影响，击穿电压也比雪崩击穿电压低得多。随着温度的升高，漏电流迅速增加，击穿电压下降得厉害，由程变小，使其在电场下加速到雪崩电离能更为困难，即雪崩电离的电场强度提高，从而雪崩击穿电压提高，所以在以内随着温度的增加而升高。是晶闸管器件的结或结单独存在时的雪崩击对于高电压大电流的器件，由于芯片硅片较厚，通过电流大，功率损耗也大。管芯中间部位的热量不易散发，因此结的温度升高......”。