1、“.....科学家提出异质结双极性晶体管来克服原有晶体管的问题。异质结双极性晶体管的电流放大系数大大提升，同时这电流放大系数基本不受发射结两边掺杂浓度的影响。半导体在双极性晶体管中的应用双极性晶体管介绍双极性晶体管指的是在源漏电极沟道内既可以通过电子传输也可以进行空穴传输的晶体管，通常而言，这类晶体管的功耗大且工作频率高噪声小，在高半导体在微电子技术发展中的重要作用论文原稿，同时，由于双极性晶体管在提高基区掺杂浓度以及基区宽度方面有很大的技术限制，使得基极电阻做不到极低的程度，这也使得达不到高频模拟电路关于低噪声的要求。这是因为本身具备与相似的电子亲和能......”。

2、“.....在器件工作时，基极电阻减小并且发射结势垒电容降低基区渡越时间也能够更好的控制，有效实现了超高频超高速以及低噪声的高频模拟电路工作要求。半导体在双极性晶体管中的应用双极性晶体管介绍双极性晶体管指的是在源漏电极沟道内既可以通过电子传输也可以进行沟道中可以适当的进行型或者型掺杂，达到想要的阈值电压调控。对于型即空穴传输的晶体管而言，构筑压应变的，该沟道在衬底上进行生长。为了提高双极性晶体管在高频模拟电路中的应用，科学家提出异质结双极性晶体管来克服原有晶体管的问题......”。

3、“.....其中当前应用最为广泛以及研究最为深入的属于应变异质结场效应晶体管。作为第代器件，能够充分利用能带工程来实现对带隙以及晶格常数的调控，实现了掺杂工程问题，主要集中在组分的分布形式以及基区中其他杂质如硼的外扩散控制。器件在大的注入电流下可能发生基区扩展效应，而这现象可以通过控制中的组分分布来有效控制，并且维持截止频率和最大震荡频率在最高水平。而对于外扩散现象需要进行注意，这现象的发生可能会导实现集成电路的关键，推动着电子产品的微型化以及高性能化发展。本文将对半导体在微电子技术发展中的应用进行探讨，研究其对于微电子行业的重要作用......”。

4、“.....由于硅材料和材料在晶格常数器件在大的注入电流下可能发生基区扩展效应，而这现象可以通过控制中的组分分布来有效控制，并且维持截止频率和最大震荡频率在最高水平。而对于外扩散现象需要进行注意，这现象的发生可能会导致结位臵的变化，这对于器件整体的迁移率或者开关比都会有较大的影响，异质结界面往往存在着很多晶格的失配位错，这样的失配位错难以应用到异质结晶体管以及谐振隧穿极管和超晶格器件中。在制备异质结时采用最多的技术为外延技术，这技术可以通过生长膜厚的控制实现和之间的弹性调节从而避免失配位错的出现......”。

5、“.....这对于器件整体的迁移率或者开关比都会有较大的影响，在制作器件时需要对基区结构加以优化，使得集电结处的本证在原有的基础上厚底适当增大并且掺杂硼基区厚度适当减小，这样就能控制集电结更多的分布于足跟较高的区域，保证器件性能。和之间的弹性调节从而避免失配位错的出现。但要注意在制备异质结时需要控制膜的厚度使得其在临界厚度之下，旦超过临界厚度就会发生晶格弛豫，导致生长出的膜为赝晶膜，基极电流因此增加，应用性降低。另外，还需要在制备过程中注意基区中可能出现的应变沟道，使得载流子迁移率大大提高，已经超过了......”。

6、“.....采用作为虚拟衬底生长应变沟道，这样就可以使得量子沟道深度通过组分的增加而进行调控，并且在沟道中可以适当的进行型或者型掺杂，达到想要的阈值电压调控。对方面存在较大的差异，因此在实际制作过程中难以制备出晶格完整的异质结，在异质结界面往往存在着很多晶格的失配位错，这样的失配位错难以应用到异质结晶体管以及谐振隧穿极管和超晶格器件中。在制备异质结时采用最多的技术为外延技术，这技术可以通过生长膜厚的控制实制作器件时需要对基区结构加以优化，使得集电结处的本证在原有的基础上厚底适当增大并且掺杂硼基区厚度适当减小，这样就能控制集电结更多的分布于足跟较高的区域......”。

7、“.....半导体在微电子技术发展中的重要作用论文原稿。摘要半导体技术的发展与进步异质结时需要控制膜的厚度使得其在临界厚度之下，旦超过临界厚度就会发生晶格弛豫，导致生长出的膜为赝晶膜，基极电流因此增加，应用性降低。另外，还需要在制备过程中注意基区中可能出现的问题，主要集中在组分的分布形式以及基区中其他杂质如硼的外扩散控制型即空穴传输的晶体管而言，构筑压应变的，该沟道在衬底上进行生长。型的制作异质发射结的制作是这类晶体管制作中首先需要关注的问题，由于硅材料和材料在晶格常数方面存在较大的差异，因此在实际制作过程中难以制备出晶格完整的异质结......”。

8、“.....其中当前应用最为广泛以及研究最为深入的属于应变异质结场效应晶体管。作为第代器件，能够充分利用能带工程来实现对带隙以及晶格常数的调控，实现了掺杂工程与应变工程的结合。这类场效应晶体管采用的沟道为维电子气和维空穴采用的半导体材料其禁带宽度通常较大，要在基区禁带宽度之上，因此在使用时可以采用异质结发射的方式工作。与相比，异质结的采用使得能够保持较高的发射结注射速率，并且在此前提下使得基区掺杂浓度提高，发射区掺杂浓度降低，如此便可实现对器件基区宽度的调整模拟电路中有着重要的应用价值。但是，双极性晶体管由于半导体材料的限制......”。

9、“.....很难保证信号传输的超高频和超高速，这是因为双极性晶体管本身就存在着很多固有的限制，同时，由于双极性晶体管在提高基区掺杂浓度以及基区宽度方面有很大的技术，在异质结中可以通过禁带宽度之间的差异构筑额外空穴势垒，这空穴势垒的存在使得空穴无法从传输到中，与此相反能够使得异质结注入电子的效率大大提升。因此，异质结可以有效应用到型异质结双极性晶体管的发射区，使得晶体穴传输的晶体管，通常而言，这类晶体管的功耗大且工作频率高噪声小，在高频模拟电路中有着重要的应用价值。但是，双极性晶体管由于半导体材料的限制......”。