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基于伏安特性方程的CMOS数字电路电压传输特性研究(论文原稿) 基于伏安特性方程的CMOS数字电路电压传输特性研究(论文原稿)

格式:word 上传:2022-08-17 09:22:10

《基于伏安特性方程的CMOS数字电路电压传输特性研究(论文原稿)》修改意见稿

1、“.....集成电路的应用领域近年来也更是快速地融入到人工智能云计算和物联网等领中,输入电压的变化范围为。在横坐标上,可以确定个点,即,及,而分别对应图中段曲线,从曲线曲线。下面运用管伏安特性来分析对应每段曲线的函数关系。曲线段对应曲线段,的变化范围为曲线段如图所示,随着输入电压基于伏安特性方程的数字电路电压传输特性研究论文原稿作状态的转换的定性判断,可初步得出曲线的大致形态。如图所示。图的电压传输特性曲线中,输入电压的变化范围为。考虑到的电流电压方向与参考方向致后,其对应在反相器中的表达如图所示......”

2、“.....到上述式,可得反相器解电路的工作过程,电路的高电平低电平的数值变化和电路单元器件的版图设计等均有重要的现实意义。在横坐标上,可以确定个点,即,及,而分别对应图中段曲线,从曲线曲线。下面运用管伏安特性来分析对应每段曲线的函数关系。曲线,即互补金属氧化物半导体。在该型电路中,利用沟道晶体管和沟道晶体管的互补关系,使这类集成电路具备了功耗低开关速度快抗干扰能力强电源电压适应范围宽等系列独特的优点。因此,被广泛用于制摘要本文从晶体管的伏安特性方程出发,以反相器为例......”

3、“.....详细研究了电路的电压传输特性,并以分段函数的形式给出了该传输特性曲线的函数表达式,其数值模拟结果与实际测量结果相当吻合。关键词集成电路曲线的分段函数表达式对于匹配设计数字电路的驱动管和负载管的沟道宽长比,并由此获得良好的电路高低电平噪声容限等都具有重要的参考价值。参考文献刘树林,商世广,柴常春,等半导体器件物理北京电子工业出版社,陈星弼,张庆中,著晶体管原理与设计源电压则满足因此,导通。同样地根据分压原理,此时输出电平为。基于伏安特性方程的数字电路电压传输特性研究论文原稿。曲线段当时......”

4、“.....这时反相器的负载管的状态将继续维持在饱和态,但则进入到线性区状态。这时,有如下方电路系统与设计周润德,译北京电子工业出版社,张红升,杨虹,周前能反相器电压传输特性的维建模及教学方法研究科教导刊,。电路导通态当接高电平且时,即有,则有下式成立式中,的阈值电压,满足。此时,输入管导通反相器电路进行实际测量,取电源电压,得结果如图所示。如图所示结果表明,实测曲线与理论分析结果相当吻合。上述电压传输特性曲线的分段函数表达式对于匹配设计数字电路的驱动管和负载管的沟道宽长比......”

5、“.....著半导体物理与器件赵毅强,姚素英,等,译北京电子工业出版社等著数字集成电路电路系统与设计周润德,译北京电子工业出版社,张红升,杨虹,周前能反相器电压传输特性的维建模及教学方法研究科教导刊,。为抛物线。现设,同时令,利用数值模拟,可得到上述函数式对应如下曲线,如图所示。利用系列反相器电路进行实际测量,取电源电压,得结果如图所示。如图所示结果表明,实测曲线与理论分析结果相当吻合。上述电压传输特论文原稿。曲线段当时,曲线进入段区域......”

6、“.....但则进入到线性区状态。这时,有如下方程组解此方程组,得到描述曲线段的函数式,如式所示曲线段当,此时,处于线性区且充分导通,而则由于而截止,这时输组解此方程组,得到描述曲线段的函数式,如式所示曲线段当,此时,处于线性区且充分导通,而则由于而截止,这时输出电压满足讨论和结论综合上述讨论,由式式式式和式,可得到反相器电压传输特性曲线的分段函数表达式为上式中,有其中,曲线和曲线段分另方面,作为负载管的,满足式中,管的阈值电压根据串联电路分压原理,此时输出端电平,即,反相器输出低电平近似为......”

7、“.....仍存在定的漏电流。电路截止态当输入低电平且时,则有下式成立此时,截止。而与此同时,负载管的声容限等都具有重要的参考价值。参考文献刘树林,商世广,柴常春,等半导体器件物理北京电子工业出版社,陈星弼,张庆中,著晶体管原理与设计北京电子工业出版社,著半导体物理与器件赵毅强,姚素英,等,译北京电子工业出版社等著数字集成电电压满足讨论和结论综合上述讨论,由式式式式和式,可得到反相器电压传输特性曲线的分段函数表达式为上式中,有其中,曲线和曲线段分别为抛物线。现设,同时令,利用数值模拟......”

8、“.....如图所示。利用系基于伏安特性方程的数字电路电压传输特性研究论文原稿仍没有改变。而基于器件伏安特性方程且能定量地给出电路的电压传输特性的函数表达式,对于正确理解电路的工作过程,电路的高电平低电平的数值变化和电路单元器件的版图设计等均有重要的现实意义。基于伏安特性方程的数字电路电压传输特性研究。而在半导体集成电路的诸多类型中,尤以集成电路独占鳌头。的英文全称是,即互补金属氧化物半导体。在该型电路中,利用沟道晶体管和沟道晶体管的互补关系,使这的提高,即满足,此时逐步导通,其漏源电阻也相应减小......”

9、“.....摘要本文从晶体管的伏安特性方程出发,以反相器为例,以有别于传统定性或者半定量的分析方法,详细研究了电路的电压传输特性,并以分段函负载线方程,如式。基于伏安特性方程的数字电路电压传输特性研究论文原稿。针对反相器电路,假设在空载条件或是连接同类型的门的情形下,通过晶体管工作状态的转换的定性判断,可初步得出曲线的大致形态。如图所示。图的电压传输特性曲对应曲线段,的变化范围为曲线段如图所示,随着输入电压的提高,即满足,此时逐步导通,其漏源电阻也相应减小,反相器的输出电压也将逐步降低......”

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