。模式，时，低频的电源抑制比达到，静态电流。关键词自偏臵带隙基准温度系数电源抑制比中图分类号文献标识码文章编号引言电压基准是当今模拟集成电路设计中种高精度自偏置的带隙基准源论文原稿流镜等结构中，周围增加管，减小工艺误差。在电阻串中，电阻采用交叉结构，提高匹配度，同时在两侧增加电阻。最终该部分版图如图所示。后仿真结果在全工艺角下，选取个温度点，该带隙基准的输系数数据如表所示。种高精度自偏置的带隙基准源论文原稿。版图设计与后仿真结果本文设计的带隙基准基于工艺进行设计。为提高带隙基准电路的精确度，本文中的全部采用深阱晶体管，在性。运算放大器需要偏臵电路提供个不同的电压，偏臵电路采用两个电流镜形成个偏臵电位为放大器提供合适的偏臵电压。基准核心电路采用了低压共源共栅结构，电流镜和差分对管均采用沟道长度较大的晶体管，减少了沟道长度调自偏臵电流源的电流表达式为，从该表达式中可以看出，输出电流与阈值电压和电阻有关，与电源电压无关。但该结论的得出，忽略了沟道调制效应，且该效应在深纳米工艺下更为明显。在实际的电路设计中，输出电流并非完全与电，与工作状态相对立的状态，处于零状态下的偏臵电路将失去价值。为了保证带隙基准模块可以直处于启动状态下，需要在支路电流为零时，为支出电流提供个额外的扰动，将工作点推离该状态，进入正常的工作状态，因此该电路需电路需要个启动电路。本文启动电路的主要实现方式是通过电容在电路使能信号或电源电压跳变时带来的抖动进行充放电过程，将偏臵电路推离零状态。在将偏臵电路推离零状态后，该自启动电容将不再工作，且不会带来任何功耗。大器基准核心模块缓冲器，同时还具有为下级模块提供基准电流的输出电流部分。该带隙基准模块采用了自偏臵的电路结构，当支路电流为零时，将出现基准核心模块无法启动的情况，称之为零状态。零状态是任何自偏臵电路结构都的输出连接到输出管的栅极构成负反馈，提高稳定性。运算放大器需要偏臵电路提供个不同的电压，偏臵电路采用两个电流镜形成个偏臵电位为放大器提供合适的偏臵电压。基准核心电路采用了低压共源共栅结构，种高精度自偏置的带隙基准源论文原稿要个启动电路。本文启动电路的主要实现方式是通过电容在电路使能信号或电源电压跳变时带来的抖动进行充放电过程，将偏臵电路推离零状态。在将偏臵电路推离零状态后，该自启动电容将不再工作，且不会带来任何功耗。核心模块缓冲器，同时还具有为下级模块提供基准电流的输出电流部分。该带隙基准模块采用了自偏臵的电路结构，当支路电流为零时，将出现基准核心模块无法启动的情况，称之为零状态。零状态是任何自偏臵电路结构都会遇到的进行仿真，仿真结果如图所示。全工艺角下的温度系数数据如表所示。自偏臵电流源的电流表达式为，从该表达式中可以看出，输出电流与阈值电压和电阻有关，与电源电压无关。但该结论的得出，忽略了沟道调制效应，且该效应在种高精度自偏置的带隙基准源论文原稿。全工艺角下的温度系数数据如表所示。模式，的电源电压下，该带隙基准的电源抑制比仿真结果如图所示。从左到右，该带隙基准模块主要包括启动电路自偏臵电路运算放大器基准遇到的，与工作状态相对立的状态，处于零状态下的偏臵电路将失去价值。为了保证带隙基准模块可以直处于启动状态下，需要在支路电流为零时，为支出电流提供个额外的扰动，将工作点推离该状态，进入正常的工作状态，因此该电流镜和差分对管均采用沟道长度较大的晶体管，减少了沟道长度调制效应导致的输出对电源的依赖性。在设计中，两个极管发射极面积比为，即两个极管的数量比为。从左到右，该带隙基准模块主要包括启动电路自偏臵电路运算放深纳米工艺下更为明显。在实际的电路设计中，输出电流并非完全与电源电压无关，只能采用长沟道的晶体管来抑制该效应。运算放大器采用折叠式共源共栅结构，以提高基准电压的精度以及对电源电压变化的抑制能力。缓冲器种高精度自偏置的带隙基准源论文原稿图如图所示。后仿真结果在全工艺角下，选取个温度点，该带隙基准的输出电压数据如表所示。种高精度自偏置的带隙基准源论文原稿。模式，的电源电压下，针对温度从到的范围内，对该带隙基准的温度系数。为提高带隙基准电路的精确度，本文中的全部采用深阱晶体管，在电阻电容所在的衬底区域增加深阱，防止噪声从衬底影响敏感电路。基准核心电路的极管采用布局，位于版图的左上角，通过共质心的结构，应用最为广泛的模块，广泛应用于，数模模数转换电路等电路。无论是哪种应用场景，均要求电压基准的输出电压具有不随电源电压变化，温度波动时输出电压变化小，输出电压不能受工艺影响的特点。带隙基准结构最早提出电压数据如表所示。摘要本文基于工艺，设计了款应用于低压差线性稳压器的高精度自偏臵带隙基准源。仿真结果表明，在的工作电压下，该带隙基准的输出电压接近。模式，温度范围到，该带电阻电容所在的衬底区域增加深阱，防止噪声从衬底影响敏感电路。基准核心电路的极管采用布局，位于版图的左上角，通过共质心的结构，减小工艺误差。运算放大器的输入对管采用共质心对称的结构，提高匹配度。在电制效应导致的输出对电源的依赖性。在设计中，两个极管发射极面积比为，即两个极管的数量比为。模式，的电源电压下，针对温度从到的范围内，对该带隙基准的温度系数进行仿真，仿真结果如图所示。全工艺角下的温度电源电压无关，只能采用长沟道的晶体管来抑制该效应。运算放大器采用折叠式共源共栅结构，以提高基准电压的精度以及对电源电压变化的抑制能力。缓冲器的输出连接到输出管的栅极构成负反馈，提高稳定