1、光电特性的影响规律。随光照强度和温度的升高，异质结光电流迅速增加，说明异质结易受到光照强度和温度的影响。另外，异质结随工作频率变化，电容也发生改变，高工作频率会抑制异质结特性。研究结果表明，异质结可用于制作光探测器温度传感器及其他光电子器件。参考文献唐国钢，李长生，唐华纳米棒的合成及其摩擦学性能无机化学学，取出部分样品进行测试分析。图和薄膜的图利用分别对和薄膜的晶体结构进行了分析，如图所示，图中为衍射角。在处有明显的的衍射峰，与标准卡的衍射峰进行对比，该峰对应的晶面。晶面的衍射峰强度远大于其他峰，说明在晶面方向具有取向生长的优势。另外，该衍射峰呈垂直的线状，半高宽很窄，表明该薄膜结晶度较好实验本文采用分析纯的和粉末为。

2、增加斜率略微不同，下电容随电压线性增加斜率最大，而下斜率最小。说明异质结在不同工作频率下电容与电压均呈良好的线性关系，使其可用于制作超薄的电子器件和集成电路芯片。图不同工作频率下异质结的特性曲线结论本文采用化学气相沉积法制备异质结。采用型片作为衬底，使用和粉末，通过载运气体氩气携带进行沉积。研究了进步增大。曲线斜率正好对应样品的电导。本征载流子浓度为式中为导带底的有效能态密度为价带顶的有效能态密度为禁带宽度为玻尔兹曼常数为温度。禁带宽度越小或温度越高，越大。随温度增加，样品中的电导显著增大，说明异质结的特性会随温度的改变而变化，可应用于热敏电阻和热探测器等新型热敏传感器。图不同加热温度下异质的光电流也显著增加。另外，。

3、质结的制备及其光电特性材料科学论文酸配臵成溶液倒入锥形瓶内，锥形瓶臵于水浴加热箱中，设定恒温。设定反应温度并加热反应室，打开真空泵将高温炉内抽压至。通过控制变量法优化实验条件，薄膜较理想的实验条件为反应温度﹑反应时间。程序到达设定温度时，打开控制阀通入氩气。氩气携带饱和蒸气分子进入石英管，在片上沉积生长为纳米尺度的薄膜。待样品冷却至室温，取出部分样品进行测试分。图和薄膜的谱薄膜谱包含个锐利的衍射峰，分别位于和，与标准卡的衍射峰进行对比，分别对应的和晶面。其中晶面对应衍射峰最高，说明薄膜在该方向有很强的优先生长趋势。探讨硫化钨硫化钼薄膜异质结的制备及其光电特性材料科学论文。实验本文采用分析纯的和强度温度和工作频率对异质。

4、的特性曲线图为温度对异质结特性的影响。分别对异质结样品加热至和，测量异质结的特性，发现时，电流随电压增加十分缓慢，说明温度较低时，对样品中载流子浓度的影响很小。当温度增加至时，电流随电压变化率显著增大。最后，将温度增加至时，曲线斜率进步学报，孙维祎，李攀，陶占良，等尺寸效应对硫化钼量子点光学性能的影响无机化学学报，顾伟霞，马锡英异质结的接触和伏安特性的研究苏州科技学院学报自然科学版，田石，刘国辉宽禁带半导体的本征载流子浓度科技创新与应用，丁馨，朱静怡，马锡英异质结的制备与光电特性微纳电子技术，基金国家自然科学基金资助项目江苏省十重点学科资助项目苏州市科技计划资探讨硫化钨硫化钼薄膜异质结的制备及其光电特性材料科学论文但。

5、至室温可用于制备高效率的太阳电池光探测器和温度传感器等光电子器件，在光电子领域具有广阔的应用前景。将制备好的薄膜样品依然臵于反应室中央。将用稀硫酸配臵成溶液，臵于锥形瓶，放入水浴箱中，设定升温程序后抽真空加热。当石英管中加热到时通入氩气，氩气携带饱和蒸气分子进入石英管，分子在上沉积形成异质结。待石英管内温度降至室温时，取出样品待测。目苏州科技大学科研基金资助项目江苏省研究生科研创新计划资助项目。摘要主要研究了硫化钨硫化钼薄膜异质结的制备及其光电特性。首先以粉末为原料，采用化学气相沉积法在衬底上沉积薄膜，然后以粉末为原料在薄膜表面沉积薄膜形成异质结。利用原子力显微镜观察发现制备的和薄膜大面积均匀，探讨硫化钨硫化钼薄膜异。

6、原料，以为衬底，在其上先沉积薄膜，之后再沉积薄膜形成异质结。系统由真空抽气系统﹑气体输运系统温控加热装臵﹑气体流量计及水浴箱组成。首先准备实验所用的衬底，切割成固定大小后，放入稀氢氟酸中浸泡去除表面依次采用丙酮乙醇超声清洗机清洗去除表面的有机物，最后去离子水冲洗，吹干备用。然表面分布密集的纳米粒子，高度分别约为和。异质结对可见光有良好的吸收特性，并随光功率的增加，流过异质结的光电流也显著增加。另外，还发现异质结在温度和工作频率改变时曲线也出现明显变化。随温度升高，流过异质结的电流显著增加，而随工作频率的增加，异质结的电容迅速减小。以上研究结果表明，异质结容易受到光照强度温度和工作频率的影响，使，孙维祎，李攀，陶占良，。

7、发现异质结在温度和工作频率改变时曲线也出现明显变化。随温度升高，流过异质结的电流显著增加，而随工作频率的增加，异质结的电容迅速减小。以上研究结果表明，异质结容易受到光照强度温度和工作频率的影响，使其可用于制备高效率的太阳电池光探测器和温度传感器等光电子器件，在光电子领域具有广阔的应用前景。该结果说明，将制备好的薄膜样品依然臵于反应室中央。将用稀硫酸配臵成溶液，臵于锥形瓶，放入水浴箱中，设定升温程序后抽真空加热。当石英管中加热到时通入氩气，氩气携带饱和蒸气分子进入石英管，分子在上沉积形成异质结。待石英管内温度降至室温时，取出样品待测。探讨硫化钨硫化钼薄膜异质结的制备及其光电特性材料科学论文。摘要主要研究了硫化钨硫化粉末。

8、明，异光照强度温度和工作频率对异质结光电特性的影响规律。随光照强度和温度的升高，异质结光电流迅速增加，说明异质结易受到光照强度和温度的影响。另外，异质结随工作频率变化，电容也发生改变，高工作频率会抑制异质结特性。研究结果表明，异质结可用于制作光探测器温度传感器及其他光电子器件。参考文献唐国钢，李长生，唐华纳米棒的合成及其摩擦学性能无机化的特性曲线最后，本文还研究了工作频率对异质结的特性的影响，如图所示。发现工作频率对异质结的电容产生较大的影响。当工作频率为时，相同电压下异质结具有最高的电容，而时具有最小的电容。可能是高工作频率时耗尽区载流子浓度跟不上工作频率的变化，使载流子浓度显著减小，从而引起电容快速变小。另外，不。

9、为原料，以为衬底，在其上先沉积薄膜，之后再沉积薄膜形成异质结。系统由真空抽气系统﹑气体输运系统温控加热装臵﹑气体流量计及水浴箱组成。首先准备实验所用的衬底，切割成固定大小后，放入稀氢氟酸中浸泡去除表面依次采用丙酮乙醇超声清洗机清洗去除表面的有机物，最后去离子水冲洗，吹干备用。然后准备反应原材料。将用稀硫准备反应原材料。将用稀硫酸配臵成溶液倒入锥形瓶内，锥形瓶臵于水浴加热箱中，设定恒温。设定反应温度并加热反应室，打开真空泵将高温炉内抽压至。通过控制变量法优化实验条件，薄膜较理想的实验条件为反应温度﹑反应时间。程序到达设定温度时，打开控制阀通入氩气。氩气携带饱和蒸气分子进入石英管，在片上沉积生长为纳米尺度的薄膜。待样品冷。

10、载运气体氩气携带进行沉积。研究了光照增大。曲线斜率正好对应样品的电导。本征载流子浓度为式中为导带底的有效能态密度为价带顶的有效能态密度为禁带宽度为玻尔兹曼常数为温度。禁带宽度越小或温度越高，越大。随温度增加，样品中的电导显著增大，说明异质结的特性会随温度的改变而变化，可应用于热敏电阻和热探测器等新型热敏传感器。图不同加热温度下异质结的助项目苏州科技大学科研基金资助项目江苏省研究生科研创新计划资助项目。等人研究的新型薄层异质结具有良好的光催化活性。此外，还可应用于太阳电池场效应晶体管和传感器等领域。作为材料的典型代表，广泛应用于电极能量存储和催化等领域，。探讨硫化钨硫化钼薄膜异质结的制备及其光电特性材料科学论文。该结果。

11、同工作频率下电容均随电压缓慢线性增加异质结对光照强度具有良好的敏感性，可用于制备光电探测器。图不同光功率下异质结的特性曲线图为温度对异质结特性的影响。分别对异质结样品加热至和，测量异质结的特性，发现时，电流随电压增加十分缓慢，说明温度较低时，对样品中载流子浓度的影响很小。当温度增加至时，电流随电压变化率显著增大。最后，将温度增加至时，曲线斜率化钼薄膜异质结的制备及其光电特性。首先以粉末为原料，采用化学气相沉积法在衬底上沉积薄膜，然后以粉末为原料在薄膜表面沉积薄膜形成异质结。利用原子力显微镜观察发现制备的和薄膜大面积均匀，表面分布密集的纳米粒子，高度分别约为和。异质结对可见光有良好的吸收特性，并随光功率的增加，流过异质。

12、尺寸效应对硫化钼量子点光学性能的影响无机化学学报，顾伟霞，马锡英异质结的接触和伏安特性的研究苏州科技学院学报自然科学版，田石，刘国辉宽禁带半导体的本征载流子浓度科技创新与应用，丁馨，朱静怡，马锡英异质结的制备与光电特性微纳电子技术，基金国家自然科学基金资助项目江苏省十重点学科资助项目苏州市科技计划资助项探讨硫化钨硫化钼薄膜异质结的制备及其光电特性材料科学论文加斜率略微不同，下电容随电压线性增加斜率最大，而下斜率最小。说明异质结在不同工作频率下电容与电压均呈良好的线性关系，使其可用于制作超薄的电子器件和集成电路芯片。图不同工作频率下异质结的特性曲线结论本文采用化学气相沉积法制备异质结。采用型片作为衬底，使用和粉末，通过。

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