1、“.....成为国内外的研究热点，半导体在未来具有非常广阔的空间，因此必须加快对我国半导体的研发，打造独立自主具有国际竞争力的材料和器件产业。参考文献贺东葛，王家鹏，刘国敬碳化硅半导体材料应用及发展前景电子工业芯片，功率模块，和等样品。目前，国内碳化硅功率器件已初步实现量产。碳化硅半导体材料的发展前景半导体潜在应用领域较为广泛，对新能源汽车轨道交通智能电网和电压转换等领域都具有潜在的应用前景。随着下游行业对半导体功率器件轻量化高转换效率低发热特性需求的持续增加，在功率器件中取代解析碳化硅半导体材料的应用与发展电工材料论文期年年的，应用于高效电力系统的电力技术研究计划，总投入达万欧元，个国家的家研究机构和企业参与了该计划......”。

2、“.....电力电子器件首先由英飞凌于年前后在极管上取得突破，打开市场化的僵局，目前极管已广泛应用备的需求，但我国单晶衬底质量与国际先进水平相比还存在巨大差距。碳化硅半导体材料的研究现状国外碳化硅半导体材料研究现状世纪年代以来，美日欧等发达国家为保持航天军事和技术强国地位，始终将宽禁带半导体技术放在极其重要的战略地位，投入巨资实施了多项旨在提升装备系统能力。这些国家和地区在碳化硅半导体领域，已走在世界前列。的技术水平相差较大，但与前两代半导体技术不同，国内不少专家认为我国有望在以碳化硅为代表的第代半导体领域实现弯道超车。中国制造和十规划也明确将碳化硅行业定位为重点支持行业。国家电网中国中车比亚迪华为等国内企业也在加大针对碳化硅在智能电网轨道交通电动汽车手机通信芯片等领域应用的投资......”。

3、“.....能够适应更为苛刻的工作和生存环境。与传统硅基器件相比，器件可大大降低能耗，提高电力使用效率，同时可降低电力系统尺寸，提高系统运行可靠性并降低系统整机造价。基器件已经在极管上应用并获得了巨大的成功，国际大公司也不断推出备等在城市服务行业，则为电动化交通工具电力系统医疗器械等。按照器件工作形式，功率器件主要包括功率极管和功率开关管。碳化硅半导体的特点及其应用特点碳化硅材料具有优良的热力学和电化学性能。在热力学方面，碳化硅硬度在时高达莫氏，是最硬的物质之，可以用于切割红宝石导热率超过金属铜，是的倍的倍，且其热稳其应用特点碳化硅材料具有优良的热力学和电化学性能。在热力学方面，碳化硅硬度在时高达莫氏，是最硬的物质之......”。

4、“.....是的倍的倍，且其热稳定性高，在常压下不可能被熔化。在电化学方面，碳化硅具有宽禁带耐击穿的特点，其禁带宽度是的倍，击穿电场为的倍，且其耐腐蚀性极强。应用衬底质量与国际先进水平相比还存在巨大差距。电力电子器件制作耐高压高温高频大功率和高密度电力电子器件，能够适应更为苛刻的工作和生存环境。与传统硅基器件相比，器件可大大降低能耗，提高电力使用效率，同时可降低电力系统尺寸，提高系统运行可靠性并降低系统整机造价。基器件已经在极管上应用并获得了巨大的成功，国际两代半导体技术不同，国内不少专家认为我国有望在以碳化硅为代表的第代半导体领域实现弯道超车。中国制造和十规划也明确将碳化硅行业定位为重点支持行业......”。

5、“.....在单晶材料方面我国单晶生长研究起步较晚，但在材料制备解析碳化硅半导体材料的应用与发展电工材料论文性高，在常压下不可能被熔化。在电化学方面，碳化硅具有宽禁带耐击穿的特点，其禁带宽度是的倍，击穿电场为的倍，且其耐腐蚀性极强。应用器件衬底采用作衬底的器件亮度更高能耗更低寿命更长单位芯片面积更小，且在单功率方面具有非常大的优势，应用较为成熟。解析碳化硅半导体材料的应用与发展电工材料论文料，并在外延层上制造各类器件。主要的外延技术是化学气相沉积，通过台阶流的生长来实现定厚度和掺杂的碳化硅外延材料。功率器件由于碳化硅半导体材料具有很多特点，如耐高温损耗率较低高频化热传导性能好，因此以其为基础材料生产制作的功率器件得到了大规模应用......”。

6、“.....认为未来的节能要通过器件来实现，以便创造清洁能源的新时代。欧盟年，欧盟启动为期年年的，应用于高效电力系统的电力技术研究计划，总投入达万欧元，个国家的家研究机构和企业参与了该计划。半导体器件产业化主要以德国英飞凌美国公司和日本罗姆公司丰田公司等为代表。电器件衬底采用作衬底的器件亮度更高能耗更低寿命更长单位芯片面积更小，且在单功率方面具有非常大的优势，应用较为成熟。解析碳化硅半导体材料的应用与发展电工材料论文。碳化硅外延材料与传统硅功率器件制作工艺不同的是，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材公司也不断推出，甚至等开关管器件，但都没有真正被广泛应用。射频微波器件衬底以为衬底的微波器件输出功率密度是器件的倍以上......”。

7、“.....可以显著提高雷达通信电子对抗以及智能武器的整体性能和可靠性。石墨烯外延衬底能制造高性能的石墨烯集成电路。碳化硅半导体的特点面已取得较大突破。国内单晶的研究始发于年，主要研究单位有中科院物理研究所山东大学中科院上海硅酸盐研究所中电集团所等。以相关的技术为基础，能批量生产单晶衬底的公司包括北京天科合达山东天岳河北同光等。目前，国内已经生产出英寸单晶，微管密度和国际产品相当，定程度上可满足国内半导体器件制备的需求，但我国单晶力电子器件首先由英飞凌于年前后在极管上取得突破，打开市场化的僵局，目前极管已广泛应用于高端电源市场。英飞凌罗姆等公司逐步推出等产品，丰田公司则把器件应用到电动汽车中。国内碳化硅半导体材料研究现状国内碳化硅半导体材料与国外企业的技术水平相差较大......”。

8、“.....投入巨资实施了多项旨在提升装备系统能力。这些国家和地区在碳化硅半导体领域，已走在世界前列。美国早在年制定的国防与科学计划中，美国就明确了宽禁带半导体的发展目标。年美国又主导成立了以碳化硅为代表的第代半导体产业联盟，全力支持宽禁带半导体技术。日本从年开始，日本政府持续资助宽禁带半导体技术研究。年，日本将专用设备，李丽婷碳化硅半导体材料研究进展及其产业发展建议厦门科技，杨玺，苏丹，茹毅，张明宇，黄孟阳，赵煜，甘源简析碳化硅在半导体行业中的发展潜力云南科技管理，肖龙飞，徐现刚宽禁带碳化硅单晶衬底及器件研究进展强激光与粒子束，葛海波，夏昊天，孙冰冰碳化硅半导体在功率器件领域的应用分析电子世界，曹峻碳化硅半导成为行业发展的必然......”。

9、“.....比如碳化硅单晶和外延材料价格居高不下材料缺陷问题仍未完全解决碳化硅器件制造工艺难度较高高压碳化硅器件工艺不成熟器件封装不能满足高频高温应用需求等，全球碳化硅技术和产业距离成熟尚有定的差距，在定程度上制约了碳化硅器件市场扩大的步伐。结语碳化硅材料高端电源市场。英飞凌罗姆等公司逐步推出等产品，丰田公司则把器件应用到电动汽车中。解析碳化硅半导体材料的应用与发展电工材料论文。在碳化硅功率器件方面国内器件研制起步较晚，年以来国内多家科研院所开展了相关研发工作。我国科研院所先后研制出了等功率国早在年制定的国防与科学计划中，美国就明确了宽禁带半导体的发展目标。年美国又主导成立了以碳化硅为代表的第代半导体产业联盟，全力支持宽禁带半导体技术。日本从年开始......”。