实现保护，过电流继电器在过载时动作。在选择快熔时应考虑电压等级应根据快熔熔断后实际承受的电压来确定。电流容量应按照其在主电路中的接入方式和主电路连接形式确定。快熔般与电力半导体体器件串联连接，在小容量装置中也可串接于阀侧交流母线或直流母线中。快熔的值应小于被保护器件的允许值。为保证熔体在正常过载情况下不熔化，应考虑其时间电流特性。快熔对器件的保护方式分为全保护和短保护两种。全保护是指无论过载还是短路均由快熔进行保护，此方式只适用于小功率装置或器件使用裕量较大的场合。短路保护方式是指快熔只要短路电流较大的区域内起保护作用，此方式需与其他过电流保护措施相配合。熔断器是最简单的过电流保护元件，但最普通的熔断器由于熔断特性不合适，很可能在晶闸管烧坏后熔断器还没有熔断，快速熔断器有较好的快速熔断特性，旦发生过电流可及时熔断起到保护作用。最好的办法是晶闸管元件上直接串快熔，因流过快熔电流和晶闸管的电流相同，所以对元件的保护作用最好。电流上升率电压上升率的抑制保护电流上升率的抑制晶闸管初开通时电流集中在靠近门极的阴极表面较小的区域，局部电流密度很大，然后以的扩展速度将电流扩展到整个阴极面，若晶闸管开通时电流上升率过大，会导致结击穿，必须限制晶闸管的电流上升率使其在合适的范围内。其有效办法是在晶闸管的阳极回路串联入电感。如下图所示图串联电感抑制回路电压上升率的抑制加在晶闸管上的正向电压上升率也应有所限制,如果过大，由于晶闸管结电容的存在而产生较大的位移电流，该电流可以实际上起到触发电流的作用，使晶闸管正向阻断能力下降，严重时引起晶闸管误导通。为抑制的作用，可以在晶闸管两端并联阻容吸收回路。如图所示图并联阻容吸收回第五章元器件和电路参数计算晶闸管的基本特性静态特性静态特性又称伏安特性，指的是器件端电压与电流的关系。这里介绍阳极伏安特性和门极伏安特性。阳极伏安特性晶闸管的阳极伏安特性表示晶闸管阳极与阴极之间的电压与阳极电流之间的关系曲线，如图所示。图晶闸管阳极伏安特性正向阻断高阻区负阻区正向导通低阻区④反向阻断高阻区阳极伏安特性可以划分为两个区域第Ⅰ象限为正向特性区，第Ⅲ象限为反向特性区。第Ⅰ象限的正向特性又可分为正向阻断状态及正向导通状态。门极伏安特性晶闸管的门极与阴极间存在着个结，门极伏安特性就是指这个结上正向门极电压与门极电流间的关系。由于这个结的伏安特性很分散，无法找到条典型的代表曲线，只能用条极限高阻门极特性和条极限低阻门极特性之间的片区域来代表所有元件的门极伏安特性，如图阴影区域所示。图晶时间与上升时间之和为晶闸管的开通时间，普通晶闸管的延迟时间为，上升时间为。延迟时间随门极电流的增大而减少，延迟时间和上升时间随阳极电压上升而下降。图晶闸管的开关特性关断特性通常采用外加反压的方法将已导通的晶闸管关断。反压可利用电源负载和辅助换流电路来提供。要关断已导通的晶闸管，通常给晶闸管加反向阳极电压。晶闸管的关断，就是要使各层区内载流子消失，使元件对正向阳极电压恢复阻断能力闸管门极伏安特性动态特性晶闸管常应用于低频的相控电力电子电路时，有时也在高频电力电子电路中得到应用，如逆变器等。在高频电路应用时，需要严格地考虑晶闸管的开关特性，即开通特性和关断特性。开通特性晶闸管由截止转为导通的过程为开通过程。图给出了晶闸管的开关特性。在晶闸管处在正向阻断的条件下突加门极触发电流，由于晶闸管内部正反馈过程及外电路当时，晶闸管额定电流考虑倍裕量取所以在本次设计中我选用个的晶闸管。变压器的选取根据参数计算可知变压器应选变比为,容量至少为。性能指标分析整流电路的性能常用两个技术指标来衡量个是反映转换关系的用整流输出电压的平均值表示另个是反映输出直流电压平滑程度的，称为纹波系数。整流输出电压平均值纹波系数纹波系数用来表示直流输出电压中相对纹波电压的大小，即元器件清单元器件备注数量整流变压器变比为，容量至少为个晶闸管个电阻其中主电路负载电阻最大为个电感主电路负载个第六章系统仿真带电阻电感性负载的仿真启动，进入后建文档，绘制单相桥式全控整流电路模型，如图，双击各模块，在出现的对话框内设置模块。设置好各模块参数，单击工具栏菜单下的命令进行仿真。双击各模块，得到仿真结果。控制角控制角第七章设计总结这次课程设计让我明白了很多关于电力电子技术方面的知识，尤其是在课本中没有完全介绍的。要完成这次课程设计，关靠书本知识是远远不够的，所以我查阅了很多关于电力电子的书籍，并且也通过网络查到了很多相关的知识，为这次课程设计做了很多帮助。对于课程设计的内容，首先要做的应是对设计内容的理论理解，在理论充分理解的基础上，才能做好课程设计，才能设计出性能良好的电路。整流电路中，基本元件的选择是最关键的，开关器件和触发电路选择的好，对整流电路的性能指标影响很大。设计过程中，我明白了整流电路，尤其是单相全控桥式整流电路的重要性以及整流电路设计方法的多样性。这次的课程设计是我设计时间最长的次，也是收获最大的次。虽然设计过程中遇到很多问题，尤其是保护电路的设计，因为课上没有讲到保护电路的内容，保护电路的理解不够全面，设计的时候是头雾水，但还是在老师的帮助下，我解决了。另外通过这次课程设计，我对文档的编排也有了定的掌握，这对于以后的毕业设计及工作需要都有很大的帮助，在完成课程设计的同时我也在复习遍电力电子这门课程，把以前些没弄懂的问题这次弄明白了部分，当然没有全部。整个课程设计过程中，由于理论知识的缺乏，以及对课程设计的不熟悉，课程设计还有很多不足之处，在以后的课程设计中，希望能有所改善。感的影响，阳极电流的增长需要定的时间。从突加门极电流时刻到阳极电流上升到稳定值的所需的时间称为延迟时间，而阳极电流从上升到所需的时间称为上升时间，延迟用几种过电压保护措施，怪提高保护的可靠性和合理性。在选择各种保护措施时应注意相互协调。通常，电子电路作为第保护措施，快速熔断器只作为短路时的部分区断的保护，直流快速断路器在电子电力动作之后。突的效果。三导体教学模式的效果评价及可能存在的问题教育改革能否成功很大程度上取决于评价体系是否科学。如果教育教学评价的导向出现了偏差，那么教学改革就很难真正推进。三导体教学模式的设计是科学的合理的符合学生实际和新课程改革基本精神的，也是卓越课堂文化建设的有益探索，这种教学模式的开展，必然要对传统的英语课堂教学的教学效果评价机制进行变革，不再单纯以考试成绩作为衡量英语课教学的唯标准，而是把整个效果纳入到学生整个的人生发展规划中来考核。在英语课教学的评价机制上，我们可以大但借鉴西方国家教育的经验，把英语课的目的转变到实现人的自由全面发展上来。三导体课堂教学模式在运用过程中，当然也可能还会遇到些问题，我们必须要想方设法去避免。是学生积极参与，成为课堂的主体，如何保证在有限的时间内完成教学任务，是老师必须思考和合理安排的问题二是构建生活化的课堂，让学生接近生活实际，在体验中学习，会不会冲淡对基本活动偏离了教学的主题，教学目标武大正常完成，浪费了宝贵的课堂时间。在新课改背景下，要充分发挥教师自身的知识优势，借助于多媒体的手段，适时的引导学生掌握知识培养情感完善人格和提升素养与能力。教师和学生的负担都很重，教学效率低下。新课程改革的目标设计和教材的变革都试图减轻老师和学生的负担，把师生真正从考试题海压力中解放出来。但是在考试的作用下，学生的成绩依旧是教学评价和衡量教学成效的最重要指标，应试教育和素质教育之间的矛盾依旧存在。当前的课教学中，老师几乎代替学生想好了切，做好了切，学生知识被动的接受者，为了考试成绩，我们又深深的陷入了题海之中，学生的课业负担很重，老师的工作量也很大，教学的效果质量很差，重复性劳动普遍存在，造成了大量的时间和资源浪费。因此，按照课堂文化建设和新课程改革的要求，如果真正减轻学生的负担，让学生轻松学习快乐学习，把应付考试的短期目标和实现学生的自由全面发展的终极目标统起来显得非常重要，也是我们线英语教师和教育工作者必须面对和深思的问题。二多媒体辅助三导体教学模式探究多媒体辅助三导体教学模式是借助多媒体的应作，充分发挥老师的主导作用和学生的主体作用。在纵深推进新课程改革和大力倡导课堂文化建设的背景下，三导体教学模式具有无可比拟的优势和价值，在推进素质教育的过程中，这种教学模式是可行的，是便于操作和实践的种新的教学模式。三导体教学模式的理念创新和实践价值不同的教学模式和课堂设计会产生不同的教学效果，三导体教学模式与传统的英语课教学有本质区别，教学理念发生了根本变化，具有极强的实践价值，具体体现在以下几个方面第，三导体教学模式体现了以人为本的根本理念。从学生的实际出发去设计教学，充分发据学生学习的程度差异，对不同的学生提出不同的要求，所有同学都要掌握家庭成员的相关单词成绩较好同学完成写作练习有兴趣的同学完成练习册问答题部分。最后，让学有余力，对本节内容特别感兴趣的同学参照课件的提示完成相关的内容。参考文献陆宗琳，英语教学中多媒体技术运用的思考琚珍，运用实现保护，过电流继电器在过载时动作。在选择快熔时应考虑电压等级应根据快熔熔断后实际承受的电压来确定。电流容量应按照其在主电路中的接入方式和主电路连接形式确定。快熔般与电力半导体体器件串联连接，在小容量装置中也可串接于阀侧交流母线或直流母线中。快熔的值应小于被保护器件的允许值。为保证熔体在正常过载情况下不熔化，应考虑其时间电流特性。快熔对器件的保护方式分为全保护和短保护两种。全保护是指无论过载还是短路均由快熔进行保护，此方式只适用于小功率装置或器件使用裕量较大的场合。短路保护方式是指快熔只要短路电流较大的区域内起保护作用，此方式需与其他过电流保护措施相配合。熔断器是最简单的过电流保护元件，但最普通的熔断器由于熔断特性不合适，很可能在晶闸管烧坏后熔断器还没有熔断，快速熔断器有较好的快速熔断特性，旦发生过电流可及时熔断起到保护作用。最好的办法是晶闸管元件上直接串快熔，因流过快熔电流和晶闸管的电流相同，所以对元件的保护作用最好。电流上升率电压上升率的抑制保护电流上升率的抑制晶闸管初开通时电流集中在靠近门极的阴极表面较小的区域，局部电流密度很大，然后以的扩展速度将电流扩展到整个阴极面，若晶闸管开通时电流上升率过大，会导致结击穿，必须限制晶闸管的电流上升率使其在合适的范围内。其有效办法是在晶闸管的阳极回路串联入电感。如下图所示图串联电感抑制回路电压上升率的抑制加在晶闸管上的正向电压上升率也应有所限制,如果过大，由于晶闸管结电容的存在而产生较大的位移电流，该电流可以实际上起到触发电流的作用，使晶闸管正向阻断能力下降，严重时引起晶闸管误导通。为抑制的作用，可以在晶闸管两端并联阻容吸收回路。如图所示图并联阻容吸收回第五章元器件和电路参数计算晶闸管的基本特性静态特性静态特性又称伏安特性，指的是器件端电压与电流的关系。这里介绍阳极伏安特性和门极伏安特性。阳极伏安特性晶闸管的阳极伏安特性表示晶闸管阳极与阴极之间的电压与阳极电流之间的关系曲线，如图所示。图晶闸管阳极伏安特性正向阻断高阻区负阻区正向导通低阻区④反向阻断高阻区阳极伏安特性可以划分为两个区域第Ⅰ象限为正向特性区，第Ⅲ象限为反向特性区。第Ⅰ象限的正向特性又可分为正向阻断状态及正向导通状态。门极伏安特性晶闸管的门极与阴极间存在着个结，门极伏安特性就是指这个结上正向门极电压与门极电流间的关系。由于这个结的伏安特性很分散，无法找到条典型的代表曲线，只能用条极限高阻门极特性和条极限低阻门极特性之间的片区域来代表所有元件的门极伏安特性，如图阴影区域所示。图晶时间与上升时间之和为晶闸管的开通时间，普通晶闸管的延迟时间为，上升时间为。延迟时间随门极电流的增大而减少，延迟时间和上升时间随阳极电压上升而下降。图晶闸管的开关特性关断特性通常采用外加反压的方法将已导通的晶闸管关断。反压可利用电源负载和辅助换流电路来提供。要关断已导通的晶闸管，通常给晶闸管加反向阳极电压。晶闸管的关断，就是要使各层区内载流子消失，使元件对正向阳极电压恢复阻断能力