1、“.....构的更准确特性。表面近似设置中的目标面可能是平面柱面锥面环面球面或螺旋形。称最初的模型表面为真实表面。为了产生个有限元网格，首先将所有的真实表面剖分为三角形。由于用系列的直线段来表示曲面或平面，因此称这些三角形表面为多面体表面。平面中的三角形的纵横比为三角形的外接圆半径与三角形内切圆半径之比。可以在个或多个表面上修改表面偏差允许的最大偏差和三角形的最大纵横比，这些量在对话框中给出点击。表面近似设置将用于初始剖分。对于初始网格，三角形所有的顶点都位于真实表面上。在自适应剖分过程中，顶点增加到剖分表面，而不是真实表面。很难做到三角形的纵横比接近于，这是因为只有等边三角形可以被填充到网格中。因此，限制平面物体的纵横比为，曲面物体为。引线的剖分处理引线是连接金属布线和芯片之间的细金属线。可以选择创建标准的四点引线，如图所示。图四点引线示意图图中焊接点与弯折顶点之间的高度导引线和焊接点之间的高度。也可以选择创建标准的五点引线，如图所示。图五点引线示意图图中水平面和线在焊接点处的夹角水平面和线在导引点处的夹角。在创建引线时，首先要选择个焊接点，三维空间中的点定义为水平面的焊接点......”。

2、“.....其指定水平面上引线跨接的距离。将使用焊接点和导引线之间的距离来计算两者之间的高度或在对话框中输入。在研究对象结构内部进行全波电磁场仿真计算之前，必须在每个端口处求解场模式。计算与端口具有相同横截面的传输结构所能存在的场模式，求得的场模式作为整体问题的边界条件。衰减器设计结构形式衰减器对电压波形有定的影响，过渡段的变化趋势对场波形也有定的影响。在衰减器结构设计时，先确定是直线过渡还是凸或凹形效果比较好。在图，结构为凹过渡，结构为直线形过渡，结构为凸形过渡。图过渡段的设置图输出波形对于过渡段结构，通过对直线型凸型或凹型过渡形状的仿真计算得到采取直线过渡，输出端波形比较光滑凹型结构会由于在结构不连续处发生突变形成小型的负脉冲，匹配效果不明显凸型结构的波形突变情况和凹型相似。外考虑到实际加工中，直线过渡要比弧线过渡简单的多，为此选定直线过渡结构。仿真模型建立通过对衰减器结构形式的研究确定，采用两端直线过渡的结构，用建立模型如图。图衰减器的模型结构仿真仿真中激励主要是选用高斯脉冲，可以得出宽频带内的驻波比。高斯脉冲波形如图所示。图高斯脉冲波形高斯脉冲激励，其中表示脉冲信号幅度，为时间......”。

3、“.....它不仅决定了脉冲宽度，还决定了信号频谱的中心频率和带宽。尺寸参数优化的过程为选定个需要优化的尺寸，设置尺寸的变化范围，用扫频的方法计算衰减器在以下的驻波比特性，得到在宽频带内整体较优的特性曲线，整体较优指在宽频带内的驻波比值都比较小，该曲线对应的结构尺寸值即为优化后的尺寸。不改变套筒电阻，只改变电阻，当时驻波比对比如图中所示。图不同直径驻波比当时差损曲线对比如图中所示。图不同直径差损曲线不改变电阻，只改变套筒电阻，当时驻波比对比如图中所示。图不同直径驻波比当时差损曲线对比如图中所示。图不同直径差损曲线经过各部分得结构尺寸优化后，直径为，直径为，最终得到的驻波比曲线如图所示，其中横坐标为频率，纵坐标为驻波比。图衰减器驻波比仿真中，通过增益看衰减器的性能，增益与插损相反，在仿真输出结果中，为插损，插入损耗是指发射机与接收机之间，插入电缆或元件产生的信号损耗，通常指衰减，插入损耗以接收信号电平的对应分贝来表示。输出插损结果，取单位，曲线如图。图衰减器的差损曲线样机制作电阻材料的选择通过以上仿真分析，确定了纳秒脉冲测量所用衰减器的结构尺寸，在衰减器制作过程中......”。

4、“.....其性能直接影响衰减器的性能。现有的电阻元件的种类很多，实验中常用的有以下几种合成碳膜电阻器金属膜电阻器金属氧化膜电阻器和线绕电阻器等，为了研制出达到测量准确度的衰减器，磊，田应伟，曾兴亮功率放大电路设计今日科苑薛春荣，汪洁，吴文娟光纤型光可变衰减器的探索激光与红外赵仲钢光纤通信与光纤传感上海科学技术文献出版社王平，郭宏福电磁波传输辐射传播西安西安电子科技大学出版社朱君豪高频衰减器的设计与制作军事通信技术,蒋铁珍，石振华，吴世才等数控衰减器的设计武汉大学学报理学版袁德昌电阻型组合衰减器大有发展前途集成电路李效白砷化镓微波功率场效应晶体管及其集成电路北京北京科学出版社周争鸣匹配衰减器的设计上海应用技术学院学报安捷伦推出衰减控制器业内动态梁杰衰减器元件参数设计电子制作梁杰衰减器元件参数设计二电子制作盛剑霓工程电磁场数值分析西安西安交通大学出版社金建铭电磁场有限元法西安西安电子科技大学出版社曾余庚，徐国华，宋国乡电磁场有限单元法北京科学出版社胡玉生传输室和传输室的数值分析博士学位论文南京东南大学机械系蔡二平千兆赫兹横电磁波室的数值模拟硕士学位论文南京东南大学机械系霍哲，张建得......”。

5、“.....须对这些电阻的各项参数进行对比分析，选择出合适的电阻器。为使电阻衰减器达到准确度要求，所选电阻元件必须具有较小的温度系数和电压系数。同时衰减器还要满足定的耐高压冲击的要求，考虑到减小衰减器体积，电阻串联的个数不宜多，故需要采用高阻值高电压的电阻。常规用于电阻衰减器的电阻主要有碳膜电阻器金属膜电阻器和线绕电阻。对这几种电阻器进行分析和比较如下碳膜电阻器是种薄膜电阻器，它是通过真空高温热分解的结晶碳沉积在柱形的或管形的陶瓷骨架上制成的，并通过控制膜的厚度和刻槽来控制电阻值，因其制作容易，成本低廉，得到广泛应用。合成碳膜电阻器是将碳黑填料和有机粘合剂配成悬浮液，涂覆在绝缘骨架上，经加热聚合而成，这种电阻器主要适于制成高压高阻用的电阻器，但不足之处在于抗湿性差，电压稳定性低，频率特性不好，噪声大。合成碳膜电阻器或碳膜电阻器统称碳质电阻器用于初始精度和随温度变化的稳定性认为不重要的普通电路。典型应用包括晶体管或场效应管偏置电路中集电极或发射极的负载电阻，充电电容器的放电电阻以及数字逻辑电路中的上拉电阻或下拉电阻......”。

6、“.....的平均收缩率为制品的公差系数，可随制品精度变化，般取之间模具的制造公差，般取手机后盖的长度宽度的最大尺寸分别为，，因为塑件精度选为级精度，查标准公差表得，型芯径向的工作尺寸单件制品式中型芯外径尺寸制品内径最小尺寸其余符号含义同型腔工作尺寸的计算公式。手机后盖长度宽度的最小尺寸分别为，查标准公差表得，型腔深度的工作尺寸模具型腔深度尺寸是由制品的高度尺寸所决定的，设制品名义高度尺寸为最大尺寸，公差负偏差。型腔深度名义尺寸为最小尺寸，其公差为正偏差。由于型腔底部或型芯端面的磨损很小，可以略去磨损量，在计算中取，另外制造公差为式中型腔的深度尺寸制品高度不包括卡扣手机后盖高度，查标准公差表得型芯高度的工作尺寸型芯高度的工作尺寸是由制品的深度尺寸所决定的，设制品高度名义尺寸为最大尺寸，公差为正偏差，型芯高度尺寸的最大尺寸，其公差为负偏差，根据有关的经验公式式中型芯高度尺寸制品深度最小尺寸手机后盖深度最小尺寸，查标准公差表得气槽设计不合理，将会给注射加工带来如下问题由于排气不顺而增加了熔体流动阻力，使型腔无法充满......”。

7、“.....使塑件的力学性能下降滞留的气体会在塑件的表面留下银文气孔剥层等缺陷型腔内气体受压压缩后产生局部高温，使熔体降解甚至烧焦当排气不良时，降低了注射速度，不能实现快速充模。该注射模为小型模具，在推杆的间隙和分型面上都有排气效果，故无需另外开排气槽。顶出与导向机构的设计顶出机构的设计顶出机构定义制品在模具中冷却固化后，制品紧紧包裹在后模上，需切实可靠将其从模具中推顶出来，这机构称之为顶出机构。同时必须保证，当模具闭合时，它不会与模具其他零部件发生干涉，并回到初始位置，以便开始下循环。顶出机构设计要点使顶出制品脱离模具，对于大型深桶类制品而言，也可使顶出行程为制品深度的，当产品上有骨位柱位等结构时，定要使其完全脱离模具。正确的顶出位置，应设在制品脱模困难的地方，制品的骨位柱位以及对内模有包紧力的地方均应考虑设置顶出机构。同时，还应考虑顶出机构应设置在不影响外观的部位，并且不能与其他零件如撑头螺丝等发生干涉。设计中尽量选用大的顶针，大模不用小顶针，特别是要尽可能地避免采用的有托顶针。当早产品有相互配合的地方设置顶针时，顶针应高出后模面。设置顶出机构时，应注意顶出产品的均衡性......”。

8、“.....此手机后盖内表面有倒扣，如果用滑块结构会很复杂，采用斜顶会比较简单有效。斜顶系统般有斜顶斜顶座耐磨块组成。本设计中采用的为后模斜顶系统，它般由斜顶座定位块斜顶三部分组成。由于机械加工条件的限制，斜顶角度般为，大小视其行程及顶出空间而定。般情况下，斜顶厚度必须大于，如果太薄，顶出时其强度不够容易折断。大多数情况下，可适当加大到。同时，斜顶应加定位块以保证其精确定位。斜顶座采用形定位斜顶座，其结构简单，加工方便，为最常用的形式。考虑手机后盖的结构，构的更准确特性。表面近似设置中的目标面可能是平面柱面锥面环面球面或螺旋形。称最初的模型表面为真实表面。为了产生个有限元网格，首先将所有的真实表面剖分为三角形。由于用系列的直线段来表示曲面或平面，因此称这些三角形表面为多面体表面。平面中的三角形的纵横比为三角形的外接圆半径与三角形内切圆半径之比。可以在个或多个表面上修改表面偏差允许的最大偏差和三角形的最大纵横比，这些量在对话框中给出点击。表面近似设置将用于初始剖分。对于初始网格，三角形所有的顶点都位于真实表面上。在自适应剖分过程中......”。

9、“.....而不是真实表面。很难做到三角形的纵横比接近于，这是因为只有等边三角形可以被填充到网格中。因此，限制平面物体的纵横比为，曲面物体为。引线的剖分处理引线是连接金属布线和芯片之间的细金属线。可以选择创建标准的四点引线，如图所示。图四点引线示意图图中焊接点与弯折顶点之间的高度导引线和焊接点之间的高度。也可以选择创建标准的五点引线，如图所示。图五点引线示意图图中水平面和线在焊接点处的夹角水平面和线在导引点处的夹角。在创建引线时，首先要选择个焊接点，三维空间中的点定义为水平面的焊接点。然后选择导引点，其指定水平面上引线跨接的距离。将使用焊接点和导引线之间的距离来计算两者之间的高度或在对话框中输入。在研究对象结构内部进行全波电磁场仿真计算之前，必须在每个端口处求解场模式。计算与端口具有相同横截面的传输结构所能存在的场模式，求得的场模式作为整体问题的边界条件。衰减器设计结构形式衰减器对电压波形有定的影响，过渡段的变化趋势对场波形也有定的影响。在衰减器结构设计时，先确定是直线过渡还是凸或凹形效果比较好。在图，结构为凹过渡，结构为直线形过渡，结构为凸形过渡。图过渡段的设置图输出波形对于过渡段结构......”。