我面的数据中，我们得到平均的。如果我们按照平均的数据，得到的理论电阻为第三次实验各项数据本次使用的规格是所以的含量为表第二次测得各项数据含量有无玻璃粉温度煅烧时间平均值注包含陶瓷片高度，其中陶瓷片从上面的数据中，我们得到平均的。如果我们按照平均的数据，得到的理论电阻为第四次实验各项数据本次使用的规格是所以的含量为表第二次测得各项数据含量有无玻璃粉温度煅烧时间有平均值注包含陶瓷片高度，其中陶瓷片玻璃粉含量极其稀少可以忽略不计。由于电阻超过万用表的测量范围，故不再测的具体数值。第五次实验各项数据本次使用的规格是所以的含量为表第五次测得各项数据含量有无玻璃粉温度煅烧时间无平均值注包含陶瓷片高度，其中陶瓷片从上面的数据中，我们得到平均的。如果我们按照平均的数据，得到的理论电阻为第六次实验各项数据本次使用的规格是所以的含量为表第二次测得各项数据含量有无玻璃粉温度煅烧时间无平均值注包含陶瓷片高度，其中陶瓷片从上面的数据中，我们得到平均的。如果我们按照平均的数据，得到的理论电阻为数据分析此次进行的实验所采用的数据方式是固定变量法，就是只设定个变量，而其他所有的变量均不改变。此种比较方法更能得到客观的数据以及精确的判断。我们分析数据的同时，可以提出合理的解释方案，这样可以使得数据更加具有说服力。本次实验所设定的变量主要有煅烧温度是否加入玻璃粉以及银粉的含量从温度上分析我们在的银含量的标准时，选择了三个温度点，分别是。然后我们可以从得到的结果中看到在时是在时加入了玻璃粉是在时大于。从这些数据，温度升高，电阻不断的升高。原因是银粉在加温过程中升华了，所以温度越高，升华的银粉量就越多。银粉的含量越少就会使得电阻变大。所以我们可以从得到的数据中，发现了这个规律。由于本次只是探索性的课题，并不能做到十分的精确，所以我们只选取三个量，而不会选取个量以上，所以在折线图上显示的非常粗糙。图熔体电阻和煅烧温度关系注对于的电阻，我们以作为封顶。从玻璃粉含量分析对于本次分析，我们可以观察第二次实验结论和第三次实验结论。我们可以看出，在第二次实验中，我们得到的电阻是，而在第三次试验中加了的时候，得到的电阻就直接飙升到。我们不难发现，仅仅是的玻璃粉，就使得双方面的电阻差距如此之大。所以我们提出合理的怀疑就是由于加入玻璃粉方面由于玻璃粉自己的颗粒很大，占了很大的空间，使得银粉的含量减少了，从而降低了电阻。从另方面自己就是个电阻很高的绝缘体。由于双方面的作用使得电阻降低了很多。图玻璃粉含量比较从银粉含量分析图电阻与银粉含量的关系在分析银粉含量时，我们选取第二次实验数据第五次实验数据第六次实验数据。我们看到这三次实验均无玻璃粉的加入，且变量只有银粉含量的改变。我们可以很清楚的看到，变化最明显的是含银和含银的区别。在含量是电阻是，含量时的电阻是，的含量时电阻是。从图中我们可以看到，在含量就有明显的变化，而且是质变。在到含量时的改变就不是特别大。所以，我们可以提出怀疑是金属导电能力的强弱体现在自由电子的否有否无否无火花四溅，短路无火花四溅，短路有火花四溅，短路有从两端逐渐熔化到中间有否注我们此次测量以为限。假如熔体熔断时间超过，我们就把这种熔体标注为不能熔断。实验数据总结从上述图表中，我们可以得到随着电压上升，由原来的两个熔体增加到后面的四个熔体可以熔断。在状态下，只有两个快速熔断。原因是两个电阻只有几欧姆，电阻很小。我们根据公式我们可以得到公式我们从公式中就可以直接得出当电压定时，我们产生的热量只和电阻成反比。即电阻越小，产生的热量越大。则我们可以从数据表格中，看出在种类型的电压下，银含量的熔体均快速反应。因为这个两个熔体的电阻分别是和。是所以电阻中最小的两个。随着电压的升高时，当产生相同的热量，电阻也可以相对应的升高。所以，从表格中，可以看出增加了个了在后熔断的。这个反应速度改变与材料成分和熔点有关系。当电压增到，又出现了个可以熔断，原来的就变成了瞬间反应完成的。所以，我可以看出，任何数据的改变体现在电压和电阻方面。从电压上观察，固定个电阻改变电压大小看熔断时间的快慢。图熔断时间与电压关系注测量时间限定范围是，所以没有熔断的熔体，其反应时间以来测量。从上面的数据我们可以看出电压升高后，熔断的时间越短。从公式上论文，如果电阻定后，电流越大提供的能量就越多，所以我们看出电压越大速度越快。上图为能够熔断的含有玻璃粉杂质的银含量熔体。但是无杂质的银含量熔体的熔断时间随电压的增大并没有发生改变。图银含量在不同电压下的熔断时间图银含量在不痛电压下的熔断时间图银含量在不同电压下的熔断时间其实当和银含量的熔体接触电压时就瞬间熔断，仅凭肉眼是无法判断出来的。所以我们为了表示器熔断速度之迅速，就毫秒级来假设它的熔断时间。又因为的银含量多，电阻小于银含量的熔体，所以象征性的将的熔断时间设定略大于的熔断时间，以凸显两者在电阻方面的区别。结论至此，所有的实验过程已经结束了，我们需要从头思考下本次实验的设计思路。本次设计的题目是低电流电路熔断器研制。我们可以知道我们要研制出的产品是个熔断器，而我们的熔断器的类型是属于低电流范围内，即在个很低的电流下就能够熔断。而我们根据热量公式知道了如要产生很多热量就必须提高电流或者电阻的数值。但是由于我们研究的类型的是低电流范围内，所以我们能控制的变量只有电阻。我们提供的是稳定的直流电压，从另外个公式中得出如果电阻太大，有影响到热量产生。所以我们要在两者之间知道平衡选择出合适的电阻大小。我们从系列的实验，可以看到个满足以上条件的，就是银含量，玻璃粉含量，在温度下煅烧的熔体。在电压的工作电流是，该电流属于低电流范围之内，且能够熔断，虽然不是快速反应。但是能够完成了我们所设计的切指标。由于时间水平和经验上不足和有限，在制作规格上尚有不足的地方，需要加强改进和大规模的提高规格的精确度。同时时间上的限制使得设计的样本数不足，只能进行粗糙的验证，不能做到精确验证。对于本次毕业设计，我将其当成对我四年来的学业知识和动手能力的综合检验。通过本次毕业设计，学到的数字温度计的设计，虽然没有完全达到设计要求，但从心底里说，还是高兴的，毕竟这次设计把实物都做了出来，高兴之余不得不深思呀,在本次设计的过程中，我发现很多的问题，虽然以前还做过这样的设计但这次设计真的让我长进了很多，单片机课程设计重点就在于软件算法的设计，需要有很巧妙的程序算法，虽然以前写过几次程序，但我觉的写好个程序并不是件简单的事，举个例子，以前写的那几次，数据加减时，我用的都是码，这次，我全部用的都是进制的数直接加减，显示处理时在用除法去删分,感觉效果比较好，有好多的东西，只有我们去试着做了，才能真正的掌握，只学习理论有些东西是很难理解的，更谈不上掌握。从这次的温度传感器高温触发器低温触发器配置寄存器位发生器图字节定义由表可见，温度转换的时间比较长，而且分辨率越高，所需要的温度数据转换时间越长。因此，在实际应用中要将分辨率和转换时间权衡考虑。高速暂存的第字节保留未用，表现为全逻辑。第字节读出前面所有字节的码，可用来检验数据，从而保证通信数据的正确性。当接收到温度转换命令后，开始启动转换。转换完成后的温度值就以位带符号扩展的二进制补码形式存储在高速暂存存储器的第字节。单片机可以通过单线接口读出该数据，读数据时低位在先，高位在后，数据格式以形式表示。当符号位时，表示测得的温度值为正值，可以直接将二进制位转换为十进制当符号位时，表示测得的温度值为负值，要先将补码变成原码，再计算十进制数值。表是部分温度值对应的二进制温度数据。表温度转换时间表分辨率位温度最大转向时间完成温度转换后，就把测得的温度值与中的字节内容作比较。若或，则将该器件内的报警标志位置位，并对主机发出的报警搜索命令作出响应。因此，可用多只同时测量温度并进行报警搜索。在位的最高有效字节中存储有循环冗余检验码。主机另外，由于单线通信功能是分时完成的，它有严格的时隙概念，因此读写时序很重要。系统对的各种操作按协议进行。操作协议为初使化发复位脉冲发功能命令发存储器操作命令处理数据。单片机图与单片机的接口电路温度传感器与单片机的接口电路可以采用两种方式供电，种是采用电源供电方式，此时的脚接地，脚作为信号线，脚接电源。另种是寄生电源供电方式，如图所示单片机端口接单线总线，为保证在有效的时钟周期内提供足够的电流，可用个管来完成对总线的上拉。当处于写存储器操作和温度转换操作时，总线上必须有强的上拉，上拉开启时间最大为。采用寄生电源供电方式时端接地。由于单线制只有根线，因此发送接时数码管将没有被测温度值显示，这时可以调整报警上下限，从而测出被测的温度值。图中的按健复位电路是上电复位加手动复位，使用比较方便，在程序跑飞时，可以手动复位，这样就不用在重起单片机电源，就可以实现复位。显示电路显示电路是使用的串口显示，这种显示最大的优点就是使用口资源比较少，只用口的,和,串口的发送和接收，四只数码管采用右移寄存器驱动，显示比较清晰。图单片机主板电路图温度显示电路系统软件算法分析系统程序主要包括主程序，读出温度子程我面的数据中，我们得到平均的。如果我们按照平均的数据，得到的理论电阻为第三次实验各项数据本次使用的规格是所以的含量为表第二次测得各项数据含量有无玻璃粉温度煅烧时间平均值注包含陶瓷片高度，其中陶瓷片从上面的数据中，我们得到平均的。如果我们按照平均的数据，得到的理论电阻为第四次实验各项数据本次使用的规格是所以的含量为表第二次测得各项数据含量有无玻璃粉温度煅烧时间有平均值注包含陶瓷片高度，其中陶瓷片玻璃粉含量极其稀少可以忽略不计。由于电阻超过万用表的测量范围，故不再测的具体数值。第五次实验各项数据本次使用的规格是所以的含量为表第五次测得各项数据含量有无玻璃粉温度煅烧时间无平均值注包含陶瓷片高度，其中陶瓷片从上面的数据中，我们得到平均的。如果我们按照平均的数据，得到的理论电阻为第六次实验各项数据本次使用的规格是所以的含量为表第二次测得各项数据含量有无玻璃粉温度煅烧时间无平均值注包含陶瓷片高度，其中陶瓷片从上面的数据中，我们得到平均的。如果我们按照平均的数据，得到的理论电阻为数据分析此次进行的实验所采用的数据方式是固定变量法，就是只设定个变量，而其他所有的变量均不改变。此种比较方法更能得到客观的数据以及精确的判断。我们分析数据的同时，可以提出合理的解释方案，这样可以使得数据更加具有说服力。本次实验所设定的变量主要有煅烧温度是否加入玻璃粉以及银粉的含量从温度上分析我们在的银含量的标准时，选择了三个温度点，分别是。然后我们可以从得到的结果中看到在时是在时加入了玻璃粉是在时大于。从这些数据，温度升高，电阻不断的升高。原因是银粉在加温过程中升华了，所以温度越高，升华的银粉量就越多。银粉的含量越少就会使得电阻变大。所以我们可以从得到的数据中，发现了这个规律。由于本次只是探索性的课题，并不能做到十分的精确，所以我们只选取三个量，而不会选取个量以上，所以在折线图上显示的非常粗糙。图熔体电阻和煅烧温度关系注对于的电阻，我们以作为封顶。从玻璃粉含量分析对于本次分析，我们可以观察第二次实验结论和第三次实验结论。我们可以看出，在第二次实验中，我们得到的电阻是，而在第三次试验中加了的时候，得到的电阻就直接飙升到。我们不难发现，仅仅是的玻璃粉，就使得双方面的电阻差距如此之大。所以我们提出合理的怀疑就是由于加入玻璃粉方面由于玻璃粉自己的颗粒很大，占了很大的空间，使得银粉的含量减少了，从而降低了电阻。从另方面自己就是个电阻很高的绝缘体。由于双方面的作用使得电阻降低了很多。图玻璃粉含量比较从银粉含量分析图电阻与银粉含量的关系在分析银粉含量时，我们选取第二次实验数据第五次实验数据第六次实验数据。我们看到这三次实验均无玻璃粉的加入，且变量只有银粉含量的改变。我们可以很清楚的看到，变化最明显的是含银和含银的区别。在含量是电阻是，含量时的电阻是，的含量时电阻是。从图中我们可以看到，在含量就有明显的变化，而且是质变。在到含量时的改变就不是特别大。所以，我们可以提出怀疑是金属导电能力的强弱体现在自由电子的否