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因为这个两个熔体的电阻分别是和。
是所以电阻中最小的两个。
随着电压的升高时,当产生相同的热量,电阻也可以相对应的升高。
所以,从表格中,可以看出增加了个了在后熔断的。
这个反应速度改变与材料成分和熔点有关系。
当电压增到,又出现了个可以熔断,原来的就变成了瞬间反应完成的。
所以,我可以看出,任何数据的改变体现在电压和电阻方面。
从电压上观察,固定个电阻改变电压大小看熔断时间的快慢。
图熔断时间与电压关系注测量时间限定范围是,所以没有熔断的熔体,其反应时间以来测量。
从上面的数据我们可以看出电压升高后,熔断的时间越短。
从公式上论文,如果电阻定后,电流越大提供的能量就越多,所以我们看出电压越大速度越快。
上图为能够熔断的含有玻璃粉杂质的银含量熔体。
但是无杂质的银含量熔体的熔断时间随电压的增大并没有发生改变。
图银含量在不同电压下的熔断时间图银含量在不痛电压下的熔断时间图银含量在不同电压下的熔断时间其实当和银含量的熔体接触电压时就瞬间熔断,仅凭肉眼是无法判断出来的。
所以我们为了表示器熔断速度之迅速,就毫秒级来假设它的熔断时间。
又因为的银含量多,电阻小于银含量的熔体,所以象征性的将的熔断时间设定略大于的熔断时间,以凸显两者在电阻方面的区别。
结论至此,所有的实验过程已经结束了,我们需要从头思考下本次实验的设计思路。
本次设计的题目是低电流电路熔断器研制。
我们可以知道我们要研制出的产品是个熔断器,而我们的熔断器的类型是属于低电流范围内,即在个很低的电流下就能够熔断。
而我们根据热量公式知道了如要产生很多热量就必须提高电流或者电阻的数值。
但是由于我们研究的类型的是低电流范围内,所以我们能控制的变量只有电阻。
我们提供的是稳定的直流电压,从另外个公式中得出如果电阻太大,有影响到热量产生。
所以我们要在两者之间知道平衡选择出合适,所以在折线图上显示的非常粗糙。
图熔体电阻和煅烧温度关系注对于的电阻,我们以作为封顶。
从玻璃粉含量分析对于本次分析,我们可以观察第二次实验结论和第三次实验结论。
我们可以看出,在第二次实验中,我们得到的电阻是,而在第三次试验中加了的时候,得到的电阻就直接飙升到。
我们不难发现,仅仅是的玻璃粉,就使得双方面的电阻差距如此之大。
所以我们提出合理的怀疑就是由于加入玻璃粉方面由于玻璃粉自己的颗粒很大,占了很大的空间,使得银粉的含量减少了,从而降低了电阻。
从另方面自己就是个电阻很高的绝缘体。
由于双方面的作用使得电阻降低了很多。
图玻璃粉含量比较从银粉含量分析图电阻与银粉含量的关系在分析银粉含量时,我们选取第二次实验数据第五次实验数据第六次实验数据。
我们看到这三次实验均无玻璃粉的加入,且变量只有银粉含量的改变。
我们可以很清楚的看到,变化最明显的是含银和含银的区别。
在含量是电阻是,含量时的电阻是,的含量时电阻是。
从图中我们可以看到,在含量就有明显的变化,而且是质变。
在到含量时的改变就不是特别大。
所以,我们可以提出怀疑是金属导电能力的强弱体现在自由电子的否的电阻大小。
我们从系列的实验,可以看到个满足以上条件的,就是银含量,玻璃粉含量,在温度下煅烧的熔体。
在电压的工作电流是,该电流属于低电流范围之内,且能够熔断,虽然不是快速反应。
但是能够完成了我们所设计的切指标。
由于时间水平和经验上不足和有限,在制作规格上尚有不足的地方,需要加强改进和大规模的提高规格的精确度。
同时时间上的限制使得设计的样本数不足,只能进行粗糙的验证,不能做到精确验证。
对于本次毕业设计,我将其当成对我四年来的学业知识和动手能力的综合检验。
通过本次毕业设计,我面的数据中,我们得到平均的。
如果我们按照平均的数据,得到的理论电阻为第三次实验各项数据本次使用的规格是所以的含量为表第二次测得各项数据含量有无玻璃粉温度煅烧时间平均值注包含陶瓷片高度,其中陶瓷片从上面的数据中,我们得到平均的。
如果我们按照平均的数据,得到的理论电阻为第四次实验各项数据本次使用的规格是所以的含量为表第二次测得各项数据含量有无玻璃粉温度煅烧时间有平均值注包含陶瓷片高度,其中陶瓷片玻璃粉含量极其稀少可以忽略不计。
由于电阻超过万用表的测量范围,故不再测的具体数值。
第五次实验各项数据本次使用的规格是所以的含量为表第五次测得各项数据含量有无玻璃粉温度煅烧时间无平均值注包含陶瓷片高度,其中陶瓷片从上面的数据中,我们得到平均的。
如果我们按照平均的数据,得到的理论电阻为第六次实验各项数据本次使用的规格是所以的含量为表第二次测得各项数据含量有无玻璃粉温度煅烧时间无平均值注包含陶瓷片高度,其中陶瓷片从上面的数据中,我们得到平均的。
如果我们按照平均的数据,得到的理论电阻为数据分析此次进行的实验所采用的数据方式是固定变量法,就是只设定个变量,而其他所有的变量均不改变。
此种比较方法更能得到客观的数据以及精确的判断。
我们分析数据的同时,可以提出合理的解释方案,这样可以使得数据更加具有说服力。
本次实验所设定的变量主要有煅烧温度是否加入玻璃粉以及银粉的含量从温度上分析我们在的银含量的标准时,选择了三个温度点,分别是。
然后我们可以从得到的结果中看到在时是在时加入了玻璃粉是在时大于。
从这些数据,温度升高,电阻不断的升高。
原因是银粉在加温过程中升华了,所以温度越高,升华的银粉量就越多。
银粉的含量越少就会使得电阻变大。
所以我们可以从得到的数据中,发现了这个规律。
由于本次只是探索性的课题,并不能做到十分的精确,所以我们只选取三个量,而不会选取个量以上有否无否无火花四溅,短路无火花四溅,短路有火花四溅,短路有从两端逐渐熔化到中间有否注我们此次测量以为限。
假如熔体熔断时间超过,我们就把这种熔体标注为不能熔断。
实验数据总结从上述图表中,我们可以得到随着电压上升,由原来的两个熔体增加到后面的四个熔体可以熔断。
在状态下,只有两个快速熔断。
原因是两个电阻只有几欧姆,电阻很小。
我们根据公式我们可以得到公式我们从公式中就可以直接得出当电压定时,我们产生的热量只和电阻成反比。
即电阻越小,产生的热量越大。
则我们可以从数据表格中,看出学到电阻串联而成,电阻的主要作用是保护单片机的并行口,四个三极管的级分别接单片机的,,,,端接正电压,端接数码管,减到时跳出秒的减循环,减到时跳出秒进行完次的循环即分钟后,分位减重新给秒位置,进入下次由到的循环使最后显示停留在计时完成,蜂鸣器报警临时存放的变量初始化端口,判断是否有按键按下消抖延时开始键的操作清零键的操作分十位加分个位加差就会对整个系统造成毁灭性的打击。
由于在设计及制作是没有太大的困难。
虽然在有了第次课程设计时对于焊接的经验,我们也很小心的制作着这次的电路板,并最终通过了验收,那刻看着自己的劳动获得了肯定真的很开心,而那种开心是在课本中无法获得的。
在老师的辛勤的指导下,最后我们顺利地完成了这次的课程设计看见到课本所学知识得以应用,心中满是欢喜,满是激动这次课程设计让我的实际动手能力得到了大大的锻炼,让我解决实际问题的能力得到了大大的提高,并对本专业的课程充满了浓厚的兴趣,及对以后的学习充满了信心,决定在以后的学习生活中加强练习,端正心态,迎接新的挑战参考文献参考以下格式写周明德微型计算机系统原理及应用清华大学出版社,求是科技单片机典型模块设计实例导航人民邮电出版社,课程设计评语课程设计成绩指导教师签字年月日秒十位加若与以上键码都不符,则认为是次抖动,跳出等待按键松开后,再进行下次操作软件与硬件结合调试硬件调试硬件调试是利用实验与开发系统基本测试仪器万用表示波器等,检查用户系统硬件中存在的故障。
硬件调试可分为静态调试与动态调试两步进行。
静态调试是在用户系统未工作时的种硬件检测。
第步目测。
检查外部的各种元件或者是电路是否有断点。
第二步用万用表测试。
先用万用表复核目测中有疑问的连接点,再检测各种电源线与地线之间是否有短路现象。
第三步加电检测。
给板加电,检测所有插座或是器件的电源端是否符合要求的值第四步联机检查。
因为只有用单片机开发系统才能完成对用户系统的调试。
动态调试是在用户系统工作的情况下发现和排除用户系统硬件中存在的器件内部故障器件连接逻辑等的种硬件检查。
动态调试的般方法是由近及远由分到合。
由分到合是指首先按逻辑功能将用户系统硬件电路分为若干块,当调试电路时,与该元件无关的器件全部从用户系统中去掉,这样可以将故障范围限定在个局部的电路上。
当各块电路无故障后,将各电路逐块加入系统中,在对各块电路功能及各电路间可能存在的相互联系进行调试。
由分到合的调试既告完成。
由近及远是将信号流经的各器件按照距离单片机的逻辑距离进行由近及远的分层,然后分层调试。
调试时,仍采用去掉无关元件的方法,逐层调试下去,就会定位故障元件了。
软件调试软件调试是通过对程序的汇编连接执行来发现程序中存在的语法与逻辑并加以排除纠正的过程。
设计心得两个星期的课程设计结束了,从中我学到了很多东西且感悟良多,体会到了课本联系实际,学以至用,设计思想,实际动手能力都有所提高初学单片机时觉,可我们并未气馁,我们坚持到了最后,虽然最后做出的电路板不太让人满意,但总算完成了,总算看到我们的成果在种类型的电压下,银含量的熔体均快速反应。
因为这个两个熔体的电阻分别是和。
是所以电阻中最小的两个。
随着电压的升高时,当产生相同的热量,电阻也可以相对应的升高。
所以,从表格中,可以看出增加了个了在后熔断的。
这个反应速度改变与材料成分和熔点有关系。
当电压增到,又出现了个可以熔断,原来的就变成了瞬间反应完成的。
所以,我可以看出,任何数据的改变体现在电压和电阻方面。
从电压上观察,固定个电阻改变电压大小看熔断时间的快慢。
图熔断时间与电压关系注测量时间限定范围是,所以没有熔断的熔体,其反应时间以来测量。
从上面的数据我们可以看出电压升高后,熔断的时间越短。
从公式上论文,如果电阻定后,电流越大提供的能量就越多,所以我们看出电压越大速度越快。
上图为能够熔断的含有玻璃粉杂质的银含量熔体。
但是无杂质的银含量熔体的熔断时间随电压的增大并没有发生改变。
图银含量在不同电压下的熔断时间图银含量在不痛电压下的熔断时间图银含量在不同电压下的熔断时间其实当和银含量的熔体接触电压时就瞬间熔断,仅凭肉眼是无法判断出来的。
所以我们为了表示器熔断速度之迅速,就毫秒级来假设它的熔断时间。
又因为的银含量多,电阻小于银含量的熔体,所以象征性的将的熔断时间设定略大于的熔断时间,以凸显两者在电阻方面的区别。
结论至此,所有的实验过程已经结束了,我们需要从头思考下本次实验的设计思路。
本次设计的题目是低电流电路熔断器研制。
我们可以知道我们要研制出的产品是个熔断器,而我们的熔断器的类型是属于低电流范围内,即在个很低的电流下就能够熔断。
而我们根据热量公式知道了如要产生很多热量就必须提高电流或者电阻的数值。
但是由于我们研究的类型的是低电流范围内,所以我们能控制的变量只有电阻。
我们提供的是稳定的直流电压,从另外个公式中得出如果电阻太大,有影响到热量产生。
所以我们要在两者之间知道平衡选择出合适,所以在折线图上显示的非常粗糙。
图熔体电阻和煅烧温度关系注对于的电阻,我们以作为封顶。
从玻璃粉含量分析对于本次分析,我们可以观察第二次实验结论和第三次实验结论。
我们可以看出,在第二次实验中,我们得到的电阻是,而在第三次试验中加了的时候,得到的电阻就直接飙升到。
我们不难发现,仅仅是的玻璃粉,就使得双方面的电阻差距如此之大。
所以我们提出合理的怀疑就是由于加入玻璃粉方面由于玻璃粉自己的颗粒很大,占了很大的空间,使得银粉的含量减少了,从而降低了电阻。
从另方面自己就是个电阻很高的绝缘体。
由于双方面的作用使得电阻降低了很多。
图玻璃粉含量比较从银粉含量分析图电阻与银粉含量的关系在分析银粉含量时,我们选取第二次实验数据第五次实验数据第六次实验数据。
我们看到这三次实验均无玻璃粉的加入,且变量只有银粉含量的改变。
我们可以很清楚的看到,变化最明显的是含银和含银的区别。
在含量是电阻是,含量时的电阻是,的含量时电阻是。
从图中我们可以看到,在含量就有明显的变化,而且是质变。
在到含量时的改变就不是特别大。
所以,我们可以提出怀疑是金属导电能力的强弱体现在自由电子的否
