，使切。经过加工，制作模式是有选择性化学蚀刻，光阻已被删除的地区。三维结构，以及各种线条图案，可以制作成功由过程。制作模式的尺寸取决于探头尖大小，厚度的抵制，抵制加工过程中的应用负载。例如，利用原子力显微镜在几十纳米尺度的加工能力，同时提供几十微米或更大的模式可以使用轴精密驱动器的个尖锐的触笔结合的工具类型捏造。虽然几十微米和数百个纳米的沟槽图案宽度可以达到使用过程，在毫米范围内的模式不能制造足够的可靠性。应用于硅工件制作的微米大小的图案当过程，小丘往往形成，而不是沟槽。遇到这种现象时，光阻层是薄和正常负载是比较高的，因为刀尖可以很容易地穿透抵抗层之间的锐利尖端和硅衬底，但不那么容易在溶液中，硅反之亦然。此外，的是耐和氢氧化钾腐蚀剂控制蚀刻条件下几分钟。图显示了利用作为次要抵制层的的修改过程制备硅格局。图所示硅工件表面涂上后，机械加工和化学蚀刻前与的和。可以看出，的表面加工线深度小于。因此，它是最有可能的尖端没有穿透的光阻层。然而，即使在尖端穿透抵抗层的情况下，尖端和硅衬底之间的机械相互作用弱，不会造成岗形成。图。和，很显然，氢氧化钾蚀刻后，在毫米范围内槽的宽度模式可以成功制作没有任何小丘形成。表显示了从两个不同的应用的正常负载获得的沟槽图案的宽度和深度。小丘的形成是可以预防的工具和硅衬底之间的直接接触，因为可以在机械加工过程中避免。也就是说，磨料互动仅限于二氧化矽的主抵抗为目的层内。当蚀刻被用来去除二氧化硅抵制层暴露在硅衬底，层担任作为抵制对蚀刻层和周边地区成功地保护了被腐蚀。此外，当溶液被用来格局的硅衬底，连同二氧化硅抵制保护其余地区领先的硅槽模式的成功制造。在加工应用中使用修改的进程为了证明修改过程的优点，号码不同的线宽毫米和毫米，是制造硅工件如图图案数字可以通过编程工具的路径。此外，通过控制施加的机械加工过程中的正常负荷，图案的宽度可以在所需的位置变化。应用的正常建,刘明灯五轴联动数控机床的结构和应用机械制造与自动化,丛凤廷等组合机床设计北京机械工业出版社刘潭玉，黄素华，熊逸珍画法几何及机械制图长沙湖南大学出版社戴曙金属切削机床北京机械工业出版社温松明主编互换性与测量技术基础长沙湖南大学出版社使用和二氧化硅涂料预防小丘形成二氧化硅和薄膜硅片的加工特性采用双涂层系统的可行性进行了研究，目的是消除不良的山丘。最外层的涂层被用来作为牺牲层膜，这反过来又服务模式硅。选择性地去除微加工涂层，和化学蚀刻工艺去除层建立在硅衬底上的模式。这个过程中，可以成功地制备槽的宽度约的模式，在硅片上，没有形成不良的山丘。介绍已制定相关的微机电系统温度的各种技术，在硅基材料制作的微型模式和结构。然而，这些技术，需要大量的设备和成本高，在参与设立制造工厂。此外，它通常是必要的面具，使各种沟槽宽度约毫米的模式。图结论当正常的百万或更高负荷传统过程中用来制造硅工件的范围在毫米宽的沟模式，容易形成不良山丘。岗形成的机制是由于工具和硅衬底导致接触区域被转化为溶液，具有很高的耐硅相之间负载和由此产生的图案宽度之间的关系是建立在套独立的实验。这种关系是相当非线性是很难预测理论。然而，相当贯宽度可以得到下个给定的应用负载。宽度为毫米的正常负荷万被应用于如前。宽度为毫米的正常负荷万应用。在图像显示，交界处的数字和应用负载改变工具的方向增加至百万到制作较厚的线宽是相当完整。这表明的修改过程的能力，通过刀具路径编程和正常负荷控制的硅表面上制作实际出发，多动点手去做，把前人的只是经验变成自己的力量。摸着石头过河是我们初学者必须要的精神，只有自己动手了，的会改正，正确的继续发扬，这样才符合毕业设计的要求。老师是我们做毕业设计的最好导航，无论在做设计数据筛选，加工工艺遇上的种种问题我们自己不能解决都需要老师的帮助。老师具备专业的知识和过硬的事迹操作经验，是我们在机械制造业中航行的指明灯，老师不会什么都亲手的帮我们做好，他主要的工作是指引我们，启发我们。授之以鱼不入授之以渔，以老师的话来说亲手帮你做好了次，下次遇到同样的问题，你们还是不会解决，那不是等于没有教，出去外面没有人帮你的忙岂不是不会做了，你们要学会独立思考，提高自己的学习能力。毕业设计毕竟是个较为漫长的过程，其中有苦有乐，每当我们灰心意志消沉时得到老师的鼓励，我们都会信心大增，每当做出的成绩能换来老师个微笑，我们都会感到心满意足，彼此的交流让我们师生的感情更融洽。人们说美好景色在顶峰，人克服困难换来成功的喜悦才是最幸福的事。毕业设计做完了，画上个完美的句号，也尝到成功的味道，但漫漫的人生路还需要继续努力。面对日趋激烈的就业形势，我们相信只要学好知识技术，以种刻苦勤劳的精神对待工作，我们定会活出不平凡的人生。致谢首先，我要特别感谢我的指导老师，他对我毕业设计给予了很多的指导，花费了很多的心血，使我最后圆满完成了毕业设计。在张老师的悉心教导下的这段时间里，他严谨的治学态度，渊博的知识，正直的人格，给我留下了极深的印象，为我今后的工作生活树立了良好的榜样。其次，我还要感谢我的同学，在毕业设计过程给予我很大的帮助，在我不懂的时候，他们总是耐心的给我讲解，同样使我受益匪浅。最后，我要感谢所有帮助过我的人，在这里真诚的说声谢谢参考文献濮良贵,纪名刚机械设计北京高等教育出版社，成大先机械设计手册版卷北京化学工业出版社雷天觉新编液压工程手册北京北京理工大学出版社孙桓，陈作模，葛文杰机械原理北京高等教育出版社第七版明仁雄液压传动与气压传动北京国防工业出版社杜玉湘,陆启每个光的过程，增加了全过程的成本和时间。虽然技术，具有批量生产强的优点，它是不适合微型模具和微型系统原型制造所需要的柔性加工。为了实现无成本效益和灵活的加工，使用口罩，许多技术已经开发出来。在化工机械扫描探针光刻的过程以前开发的，薄薄的光阻层选择性去除探针尖端的原子力显微镜的化学蚀刻硅或金属表面上制作微沟槽模式。作为抵抗层，已利用的材料，如二氧化硅和自组装膜为抵御化学腐蚀的能力。光阻去除尖端的切削作用下不断施加负荷。负载调整就可以实现所需的深度的直主是层状化合物脱去层间自由水第步，在左右有个平台，是层状化合物脱去了层间第步，在左右显示的是在水滑石层板间残留的。图的图催化活性不同的酸醇摩尔比对酯化率的影响用做为酯化反应的催化剂，设定其质量占反应原料总质量的，催化反应的要原因是正丁醇的用量太多，使冰醋酸在酯化反应体系中的相对浓度有所降低，这样就降低了反应物的分子之间的碰撞几率，当酸醇摩尔比达到定的值后酯化率就会有所降低。因此我们通过实验探究得出了反应最佳的酸醇摩尔比为∶。不同的反应时间对产品酯化率的影响用做为酯化反应的催化剂，设定其质量占反应原料总质量的，反应最佳的酸醇摩尔比为∶，催化反应的温度设为，通过实验探究不同的反应时间对产品酯化率的影响，得出的实验的结果如表所示。表反应时间对产品酯化率的影响反应时间酯化率由表中得出的数据可知，在上面给出的条件下进行反应，随着酯化反应时间的逐渐增长，产品的酯化率逐渐增高，但是当酯化反应时间大于后产品的酯化率就有所降低了。因此我们通过实验探究得出了最为适宜的反应时间为。不同的催化剂用量对产品酯化率的影响用做为酯化反应的催化剂，最为适宜的酯化反应时间为，反应最佳的酸醇摩尔比为∶，催化反应的温度设为，通过实验探究不同的催化剂用量对产品酯化率的影响，得出的实验的结果如表所示。表催化剂用量对产品酯化率的影响催化剂用量酯化率由表中得出的数据可知，在上面给出的条件下进行反应，随着加入的催化剂的用量的逐渐增加，产品乙酸正丁酯的酯化率也逐渐有所提高,但当催化剂用量超过时，得到的产品的酯化率不再继续升高，反而有所下降。这是因为随着加入的催化剂用量的增大，能够增加活化中心的数目，但是，当催化剂的用量超过定范围时，冰醋酸的转化趋势就会有所减弱。因此我们通过实验探究得出了最为适宜的反应催化剂占反应原料总量的。不同的反应温度对产品酯化率的影响用做为酯化反应的催化剂,酯化反应最佳的催化剂用量占反应原料总量的，反应最佳的酸醇摩尔比为∶，最佳的反应时间为，通过实验探究不同的反应温度对产品的酯化率的影响，得出的实验的结果如表所示。表反应温度对产品酯化率的影响反应温度酯化率由表得出的实验数据可知，在上述的反应条件下进行反应，在较低的反应温度下，酯化反应不能进行完全，随着反应温度的逐渐升高，产品酯化率逐渐升高，当反层柱水滑石的合成表征及其催化性能应用化学，杜亚丽，谢鲜梅，吴旭等技术在类水滑石化合物热分解研究中的应用应用化学致谢时光榜样。在此，谨向单秋杰老师致以衷心的感谢和崇高的敬意,此外，本论文的顺利完成也离不开化工学院其他老师和同学的关心和帮助，在此并致以深深的敬意和诚挚的感谢。最后，衷心地感谢所有老师在百忙之中对论文进行评阅。温度超过时，产品的酯化率却有所降低，因此我们通过实验探究得出了状化合物中完全消失，表明产物中几乎不存在离子。另外，将图与图进行对比，在图中仍然出现结构的四个特征峰，表明杂多酸盐已经嵌入到粘土中并且保持结构。射线粉末衍射粘土的射线粉末衍射图是合成的粘土的射线粉末衍射图谱，从，使切。经过加工，制作模式是有选择性化学蚀刻，光阻已被删除的地区。三维结构，以及各种线条图案，可以制作成功由过程。制作模式的尺寸取决于探头尖大小，厚度的抵制，抵制加工过程中的应用负载。例如，利用原子力显微镜在几十纳米尺度的加工能力，同时提供几十微米或更大的模式可以使用轴精密驱动器的个尖锐的触笔结合的工具类型捏造。虽然几十微米和数百个纳米的沟槽图案宽度可以达到使用过程，在毫米范围内的模式不能制造足够的可靠性。应用于硅工件制作的微米大小的图案当过程，小丘往往形成，而不是沟槽。遇到这种现象时，光阻层是薄和正常负载是比较高的，因为刀尖可以很容易地穿透抵抗层之间的锐利尖端和硅衬底，但不那么容易在溶液中，硅反之亦然。此外，的是耐和氢氧化钾腐蚀剂控制蚀刻条件下几分钟。图显示了利用作为次要抵制层的的修改过程制备硅格局。图所示硅工件表面涂上后，机械加工和化学蚀刻前与的和。可以看出，的表面加工线深度小于。因此，它是最有可能的尖端没有穿透的光阻层。然而，即使在尖端穿透抵抗层的情况下，尖端和硅衬底之间的机械相互作用弱，不会造成岗形成。图。和，很显然，氢氧化钾蚀刻后，在毫米范围内槽的宽度模式可以成功制作没有任何小丘形成。表显示了从两个不同的应用的正常负载获得的沟槽图案的宽度和深度。小丘的形成是可以预防的工具和硅衬底之间的直接接触，因为可以在机械加工过程中避免。也就是说，磨料互动仅限于二氧化矽的主抵抗为目的层内。当蚀刻被用来去除二氧化硅抵制层暴露在硅衬底，层担任作为抵制对蚀刻层和周边地区成功地保护了被腐蚀。此外，当溶液被用来格局的硅衬底，连同二氧化硅抵制保护其余地区领先的硅槽模式的成功制造。在加工应用中使用修改的进程为了证明修改过程的优点，号码不同的线宽毫米和毫米，是制造硅工件如图图案数字可以通过编程工具的路径。此外，通过控制施加的机械加工过程中的正常负荷，图案的宽度可以在所需的位置变化。应用的正常建,刘明灯五轴联动数控机床的结构和应用机械制造与自动化,丛凤廷等组合机床设计北京机械工业出版社刘潭玉，黄素华，熊逸珍画法几何及机械制图长沙湖南大学出版社戴曙金属切削机床北京机械工业出版社温松明主编互换性与测量技术基础长沙湖南大学出版社使用和二氧化硅涂料预防小丘形成二氧化硅和薄膜硅片的加工特性采用双涂层系统的可行性进行了研究，目的是消除不良的山丘。最外层的涂层被用来作为牺牲层膜，这反过来又服务模式硅。选择性地去除微加工涂层，和化学蚀刻工艺去除层建立在硅衬底上的模式。这个过程中，可以成功地制备槽的宽度约的模式，在硅片上，没有形成不良的山丘。介绍已制定相关的微机电系统温度的各种技术，在硅基材料制作的微型模式和结构。然而，这些技术，需要大量的设备和成本高，在参与设立制造工厂。此外，它通常是必要的面具，使各种沟槽宽度约毫米的模式。图结论当正常的百万或更高负荷传统过程中用来制造硅工件的范围在毫米宽的沟模式，容易形成不良山丘。岗形成的机制是由于工具和硅衬底导致接触区域被转化为溶液，具有很高的耐硅相之间