第三章中计算得的实验数据可获得不同掺杂浓度下晶体面生长的台阶上升自由能台阶棱边能，见表。表不同掺杂情况下晶体面生长主要参数从表可以看出，晶体面的台阶上升自由能台阶棱边能在没有掺杂的情况下都较掺杂时大的多，但在掺杂情况下都很接近。另外掺杂后这两个参数都有降低的趋势。前面已经提出，在本实验条件下晶体面是二维核生长机制。而在以二维成核为生长机制的晶体生长过程中，奇异面面上生长基元通过面扩散开成个二维胚团。系统旦出现了二维胚团，系统就会增加相应的台阶棱边能，所以台阶棱边能也就变成了二维成核的热力学位垒。所以，在晶体生长过程中，溶质分子会跃过这个热力学位垒而不断地向面上的二维胚团堆积，使二维胚团的尺寸达到临界尺寸，这样胚团就发展成能自发生长的二维晶核。结合表，由于掺杂后台阶棱边能减小，故溶质分子更易向面上的二维胚团集结而形成能自发生长的二维晶核，这就是掺杂在定程度上可以提高晶体面的生长速度的原因。重庆大学硕士学位论文不同双掺杂浓度下晶体生长及其动力学研究小结本章通过实验对在无旋转的情况时不同双掺杂浓度不同过饱和度下晶体面的法向生长速度进行了研究。分析了晶体面的生长速度与过饱和度及掺杂浓度的关系同时，结合结晶生长动力学理论知识确定了晶体面的生长机制为二维成核生长机制。重庆大学硕士学位论文掺杂对晶体位错的影响掺杂对晶体位错的影响在定的过饱和度范围内，晶体属于螺旋位错生长机制，位错的结构和分布决定着晶体的生长速率和生长形态，而且晶体中位错的密度也直接影响着晶体的质量，特别是影响到表征晶体质量好坏的抗激光损伤阈值。因此，研究不同生长条件下生长出的晶体的位错分布规律对实现晶体快速生长和提高晶体质量都有重要意义。本章应用化学腐蚀法对不同掺杂浓度下生长出的晶体的位错进行了光学观察，分析了晶体面上的位错蚀坑形貌分布，并分析了掺杂后溶液稳定性与位错蚀坑的关系。腐蚀剂的选择，分析了不同腐蚀剂对晶体面的腐蚀作用，得到了，较好的位错蚀坑腐蚀方法。中国科学院上海光学精密机械研究所的乔景文等人对晶体的质量及缺陷进行了研究，找到了和面的最佳化学腐蚀条件，他们发现片状籽晶生长出来的晶体位错线主要有三种走向，它们分别与方向成和。陈金长用化学腐蚀法射线形貌术对大截面晶体中的位错密度进行了检测，他将晶体用水线锯切割，经研磨抛光后再进行适当的化学腐蚀和光学观测，获得了对应的位错蚀坑。通过对相关文献资料的整理分析，并通过对点状籽晶法生长的晶体的腐蚀实验，最后，本章选择醋酸硫酸和蒸馏水按的比例混合作为腐蚀剂对晶体面进行腐蚀，并选用浓度大约为的磷酸作为消除机械损伤的腐蚀剂。位错观察位错实验所需要的样品按上章晶体生长步骤来制备，本实验需要七个不同条件下生长出来的晶体，分别是未掺杂时生长溶液过饱和度为生出来的晶体及生长溶液过饱和度为时三种不同掺杂情况下生长出来的晶体。需要注意的是，由于晶体生长周期短，生长出来的晶体比较小，所以本实验不对样品对行切割，但在选样品时要选取向厚度较小般为重庆大学硕斯自由能高的多，这就使得溶液中的溶质分子处在个非常活跃的状态，即亚稳定状态。因此，过饱和度越大，溶液相转变为晶体相更快，这也就使得晶体生长速度变得更快。在同过饱和度下，定浓度的双掺杂能提高晶体面的生长速度。众所周知，金属离子重庆大学硕士学位论文不同双掺杂浓度下晶体生长及其动力学研究会与生长基元表面上的结合，引起脱水反应，降低溶液的过饱和度，这就使得晶体的生长速度减小另外，这些金属离子易于在晶体柱面上发生选择性吸附，从而抑制柱面的生长，使晶体楔化。因此，添加剂加入可以定程度的络合溶液中的三价金属离子，使得溶液中的金属离子浓度降低，这样晶体的柱面生长速度也得到了提高。晶体面的生长动力学从图中可以看出，晶体面生长速度与过饱和度基本上成指数规律，实验数据拟合方程分别为实验中还发现，当过饱和度时，晶体由于生长速度太快而出现母液包夹现象，生长时间过长还会产生杂晶。同时发现，上述曲线拟合方程中过饱和度的指数均大于，这就说明晶体的生长机制在本实验条件下不应是位错生长机制。从其它角度分析可得，由于位错生长机制和粗糙面生长机制的临界过饱和度都很低，有的甚至没有，这也进说明了本实验条件下晶体的生长机制不是位错生长机制和粗糙面生长机制，而可能是二维成核生长机制。为了更好的了解晶体的二维生长机制，必须先计算晶体的些生长参数。根据的多二维成核生长公式，晶面法向生长速度与过饱和度之间的关系可表示为式中是二维核的台阶高度，是溶液的平衡浓度，晶体的分子体积，是晶面上相邻同种原子间距离，是溶质在晶面上的吸附密度，是单位面积台阶上升自由能，是台阶动力学系数，可以通过以下公式，求得式中是台阶移动速率，是热学振动频率，般取，是新原子离重庆大学硕士学位论文不同双掺杂浓度下晶体生长及其动力学研究子吸附到晶核上的活化能。将对作图，如图。图曲线图中分别是未掺杂及不同掺杂情况下晶体面的曲线。采用最小二乘法拟合图中曲线可得到以下关系式曲线曲线曲线曲线从图中及上述曲线拟合关系式可以看出，不管什么情况下的晶体面的与都成线性关系，这也证实了晶体面在生长溶液过饱和度为时的生长机制是二维成核生长机制。从式可知，求得直线的斜率即可求得台阶上升自由能，求得直线的截距就有可能得到晶面上溶质的吸附分子密度，见公式重庆大学硕士学位论文不同双掺杂浓度下晶体生长及其动力学研究式中分别为直线的斜率和截距。如果能够获得吸附分子密度，则可根据公式求得晶面上溶质分子的吸附能，这样就可以解到溶液中溶质分子进入晶格的难易程度。但是，由于实验条件的限制，无法获得晶面上台阶切向移动速率，也就无法获得台阶动力学系数，这样也就无法得到和。根据式可以求得台阶上升自由能，同时可进步求得台阶棱边能，见式其中取，，台阶高度取晶面的晶面距。根据上述公式及士学接的制作了，在开始之前必须在数据库中的数据表中输入些栏目数据，然后再返回到制作页面，在服务器行为面板中添加记录集，名称为,连接为，表格为,测试下，然后将字段放导航链接处，则会显示，然后选择,在服务器行为面板中添加重复区域，并选择所有记录单选按钮，然后在属性面板中的链接到选择文件,并在参数中添加动态参数，单击值后而后面的按钮，在动态数据对话框中打开记录集，从中选择,确定后表中的就会显示在导航条那儿了，并且已经加好了链接，最后再加上首页电影海报下载专区，这样导航链接就做好了。退出登录代码退出是连接个文件而成的，这个文件的用处是退出到首页，而不是全退，其代码如下共页第页图首页界面如图所示，左侧还有个用户资料的和日历表格，用户资料将在下面注册和登录那儿再介绍，日历是手动编辑代码，是从网上下的个代码来实现的，是个简单的日历样式。在首页版权的上方还有个重复区域的如果记录集不为空则显示区域命令，这是为了防止表中没有数据时程序出错。当然在此之前也要新建个记录集。首页显示发表文章的日期是由下面的语句实现的月日是为了网页下方的版权信息而写的，有了它，就可以不用张张的改版权信息了，只需用连接下，就可以随着的改变而改变了，的代码如下共页第页版权所有登录与注册的页面在做这个页面的之前先在表中输入了些数据，以用测试使用，然后在服务器行为面板中选择用户身份验证登录用户命令，在打开的对话框中选择相对应的字段内容，确定之后，如果用户登录成功则仍转到页面，否则转到页面，如下图所示图登录失败页面注册页面是由页面来实现的，当你点击了注册后就会转到此页面了，首先在页面上插入表单，并在表单中插入表格，在表格中插入相应的文本和文本域，并添加检查表单行为，用户登录代码名称密码共页第页图用户注册页面当你注册成功后则会显示下图图成功注册页面相关代码如下用户注册用户名必填共页第页请输入用户名。用户名长度最少为位用户名长度最多为位。密码必填请输入密码。密码长度最少为位。密码长度最多为位。格式无效。最小长度为位。最多为位数字。个人主页格式无效。邮件地址格式无效。发表文章的页面代码如下标题标题不能为空。类别请选择个项目。共页第页用户名回复内容不能为空。制作方法，插入个表单，并在里面写上相应的文字，插入个列表菜单控件，新建个记录集来显示类别的名称，并在下面的属性面板中做相应的动态设置完成动态设置后，选择插入记录命令，设置连接为，插入到表格表格中，插入后，转到页面，确定后，在下方加入两个按钮，发表和重写，并将视图转换为代码视图，修改两个按钮的代码，这样我们就完成了发表新文章的制作了，可以在浏览器中观看下效果，如下图共页第页图发表文章页面关于博客的页面用户登录以后不仅可以发表文章，还可以看到关于该博客的些说明，在这个页面中有相关的说明还有与管理员联系的方法在线聊天和发邮件，其中在线聊天的代码是发邮和过期的信息及时地进行更新和维护，以保证数据库的正常运行和信息的及时性，从而保证了访问者能够顺利地了解到最新的信息动态。第三章中计算得的实验数据可获得不同掺杂浓度下晶体面生长的台阶上升自由能台阶棱边能，见表。表不同掺杂情况下晶体面生长主要参数从表可以看出，晶体面的台阶上升自由能台阶棱边能在没有掺杂的情况下都较掺杂时大的多，但在掺杂情况下都很接近。另外掺杂后这两个参数都有降低的趋势。前面已经提出，在本实验条件下晶体面是二维核生长机制。而在以二维成核为生长机制的晶体生长过程中，奇异面面上生长基元通过面扩散开成个二维胚团。系统旦出现了二维胚团，系统就会增加相应的台阶棱边能，所以台阶棱边能也就变成了二维成核的热力学位垒。所以，在晶体生长过程中，溶质分子会跃过这个热力学位垒而不断地向面上的二维胚团堆积，使二维胚团的尺寸达到临界尺寸，这样胚团就发展成能自发生长的二维晶核。结合表，由于掺杂后台阶棱边能减小，故溶质分子更易向面上的二维胚团集结而形成能自发生长的二维晶核，这就是掺杂在定程度上可以提高晶体面的生长速度的原因。重庆大学硕士学位论文不同双掺杂浓度下晶体生长及其动力学研究小结本章通过实验对在无旋转的情况时不同双掺杂浓度不同过饱和度下晶体面的法向生长速度进行了研究。分析了晶体面的生长速度与过饱和度及掺杂浓度的关系同时，结合结晶生长动力学理论知识确定了晶体面的生长机制为二维成核生长机制。重庆大学硕士学位论文掺杂对晶体位错的影响掺杂对晶体位错的影响在定的过饱和度范围内，晶体属于螺旋位错生长机制，位错的结构和分布决定着晶体的生长速率和生长形态，而且晶体中位错的密度也直接影响着晶体的质量，特别是影响到表征晶体质量好坏的抗激光损伤阈值。因此，研究不同生长条件下生长出的晶体的位错分布规律对实现晶体快速生长和提高晶体质量都有重要意义。本章应用化学腐蚀法对不同掺杂浓度下生长出的晶体的位错进行了光学观察，分析了晶体面上的位错蚀坑形貌分布，并分析了掺杂后溶液稳定性与位错蚀坑的关系。腐蚀剂的选择，分析了不同腐蚀剂对晶体面的腐蚀作用，得到了，较好的位错蚀坑腐蚀方法。中国科学院上海光学精密机械研究所的乔景文等人对晶体的质量及缺陷进行了研究，找到了和面的最佳化学腐蚀条件，他们发现片状籽晶生长出来的晶体位错线主要有三种走向，它们分别与方向成和。陈金长用化学腐蚀法射线形貌术对大截面晶体中的位错密度进行了检测，他将晶体用水线锯切割，经研磨抛光后再进行适当的化学腐蚀和光学观测，获得了对应的位错蚀坑。通过对相关文献资料的整理分析，并通过对点状籽晶法生长的晶体的腐蚀实验，最后，本章选择醋酸硫酸和蒸馏水按的比例混合作为腐蚀剂对晶体面进行腐蚀，并选用浓度大约为的磷酸作为消除机械损伤的腐蚀剂。位错观察位错实验所需要的样品按上章晶体生长步骤来制备，本实验需要七个不同条件下生长出来的晶体，分别是未掺杂时生长溶液过饱和度为生出来的晶体及生长溶液过饱和度为时三种不同掺杂情况下生长出来的晶体。需要注意的是，由于晶体生长周期短，生长出来的晶体比较小，所以本实验不对样品对行切割，但在选样品时要选取向厚度较小般为重庆大学硕