1、“.....薄膜的晶粒致密均匀，晶粒边界较少，因而针对自由载流子的散射作用较弱，迁移率较高，电阻率较低。在薄膜生长过程中，增大溅射功率可以提高薄膜的成膜速率，但是同时也会使得溅射粒子的能量增大。溅射粒子自由能的增大，对应其平均自由程的增大。此时为了减小溅射粒子间的相互碰撞，只有减小通过降低溅射气压，来增大等离子体的平均原子间距与之协调。这也就是为什么，随着溅射功率增大，薄膜电阻率的最低值出现在最低溅射压强的条件下。溅射功率增大的另个影响，就是提高了薄膜的沉积生长效率......”。

2、“.....综上所述，溅射功率和溅射压强都会对溅射粒子的能量，从而影响薄膜生长过程，改变其结晶情况，最终影响到薄膜的电学性能。实验最终得到，在磁控溅射制备薄膜过程中，优化的工艺参数溅射功率为溅射压强为与衬底温度为时，多层薄膜的光透过率为最低电阻率为结晶质量表面形貌等得到明显改善。第四章多层透明导电薄膜测试结果与讨论第五章结论通过对比不同衬底温度下制备的单层薄膜样品......”。

3、“.....选取合适的衬底温度可以有效的提高薄膜的结晶质量和光电性能。在射频溅射过程中，加入了溅射偏压的实验参数，实验发现由于射频溅射的溅射产额较低，用射频溅射沉积单层薄膜会造成其生长速率过慢，这样不仅不利于薄膜的生长和掺杂，而且不利于将此项工艺应用与生产。溅射偏压的加入，部分弥补了溅射粒子的能量缺失，提高薄膜生长速率的同时，优化了其生长和结晶质量。后续退火工艺在磁控溅射制备薄膜器件的过程中使用较多，实验发现后续退火可以显著的改善薄膜的结晶质量，合适的退火温度和时间......”。

4、“.....而且可以促进晶粒进步生长，释放薄膜内部应力，最终改善薄膜的光电性质。通过实验分析溅射功率对薄膜性能的影响，我们发现溅射功率的大小，不仅影响到沉积效率，同时也显著影响到成膜质量。随着溅射功率的增加薄膜中的自由载流子的浓度先增加后降低，从而使得薄膜中的透射率出现先增加后降低的趋势。溅射功率显著影响了界面原子的扩散能力，在溅射功率低的环境下，氧的层间扩散能力很弱，薄膜生长受到限制，提高溅射功率有助于改善这种现象但是如果施加的溅射功率过大......”。

5、“.....通过实验分析溅射压强对薄膜性能的影响，我们总结得到气压影响薄膜导电机制的主要原因，就是由于组成薄膜的晶粒大小不同所致。在较低溅射气压下，薄膜的晶粒致密均匀，晶粒边界较少，因而针对自由载流子的散射作用较弱，迁移率较高，电阻率较低。在薄膜生长过程中，增大溅射功率可以提高薄膜的成膜速率，但是同时也会使得溅射粒子的能量增大。溅射粒子自由能的增大，对应其平均自由程的增大。此时为了减小溅射粒子间的相互碰撞，只有减小通过降低溅射气压......”。

6、“.....这也就是为什么，随着溅射功率增大，薄膜电阻率的最低值出现在最低溅射压强的条件下。溅射功率增大的另个影响，就是提高了薄膜的沉积生长效率，增大了靶材原子占据晶格内部相对稳定的格点的几率和同时促进了掺杂原子的有效掺杂。综上所述，溅射功率和溅射压强都会对溅射粒子的能量，从而影响薄膜生长过程，改变其结晶情况，最终影响到薄膜的电学性能。实验针对单层薄膜和多层薄膜展开，通过对其工艺参数的第四章多层透明导电薄膜测试结果与讨论调整，观察和分析各工艺参数对薄膜质量的影响......”。

7、“.....获得了优化的工艺参数。单层薄膜性能达到了可见光透过率为，最低电阻率为多层薄膜的性能达到了可见光透过率为最低电阻率为。结束语结束语实验针对单层薄膜和多层薄膜展开，采用偏压射频磁控溅射法，在普通玻璃衬底上制备掺杂的薄膜和多层薄膜。研究表明衬底温度溅射偏压以及退火对单层薄膜的性能有明显的影响，同时溅射功率和溅射压强对多层性能也有明显的影响。实验通过对工艺参数的调整，观察和分析各工艺参数对薄膜质量的影响，并通过分析和总结归纳出定实验规律......”。

8、“.....最终在此优化参数下，制备得到了性能良好的透明导电薄膜。其中单层薄膜性能达到了可见光透过率为，最低电阻率为多层薄膜的性能达到了可见光透过率为最低电阻率为。致谢致谢首先，向在硕士期间悉心教育和帮助我的导师唐世洪教授，表示衷心的谢意和崇高的敬意。本论文从选题到完成的整个过程，均是在唐世洪教授悉心的指导下完成的。唐老师系统的实验指导和渊博的专业知识，为我的研究工作指明了方向......”。

9、“.....给我留下了深刻的印象使我树立起了远大的学术目标。在实验方面，首先我要特别感谢师兄田力带给我的实验方面经验和心得。感谢学校物理电子与信息技术学院为实验提供良好的设备和实验场所，同时还要感谢实验室的肖立娟陈玺郝嘉伟等工作人员为实验的完成提供极大的帮助。在测试方面，我要感谢化学化工学院电镜实验室的李佑稷老师及李雷勇同学。在此......”。