1、“.....图给出了不同偏压下反向电流的温度依赖关系。可见在半对数坐标下，不同偏压下均表现为和温度的指数依赖关系。其中的和均为常数。因此表明此时的传导机制主要是通过界面的缺陷态的多步隧穿过程。此时主要是中的电子通过界面的缺陷的多步隧穿然后和型硅中的空穴复合的复合电流起主导作用。本章小结我们通过改变掺杂剂气体和源气体的比例得到了不同的掺杂和结构的纳米碳化硅薄膜。通过分析红外和吸收谱，我们认为主要的掺杂机理是替位掺杂，即原子对和的替换作用，较低的掺杂情况下主要是替换其中的，而随着掺杂比例提高会替换其中的原子。并且随着掺杂比例的提高薄膜的晶化度提高。界面势垒的高度和宽度降低，表现为薄膜的光致发光强度随掺杂比例增加而提高个数量级。掺杂的纳米薄膜的电导率在掺杂比例为时，得到最大值接近，纳米碳化硅的电导率随温度变化关系表明，纳米碳化硅主要存在两种导电机制较高温度下电子可以激发到导带，所以主要是扩展态电导较低温度下则主要是费米能级附近......”。

2、“.....通过对电导率的拟合我们得到了不同导电率的薄膜存在不同的激活能，较高的电导率的薄膜对应具有较小的激活能。对不同电导率的纳米碳化硅薄膜和硅形成的异质结就有不同的整流特性，较高电导率的纳米碳化硅薄膜和硅衬底形成了较高的接触电势差，具有较好的整流特性，最大整流比为。通过对整流曲线的拟合得到的二极管的理想因子为，同时也表明对于形成的异质结小的正偏压下的传输电流主要是通过界面态的复合电流。低温下的特性分析表明，较大正偏压下则主要是扩散和发射电流起作用，不同温度的特性分析也表明，较低温度下串连阻抗对正向电流有较大的影响，而较高温度下这影响减弱。对异质结的反向的电流的温度依赖关系的分析表明反向传输电流主要是通过界面缺陷的多步隧穿过程。河北大学工学硕士学位论文第章纳米碳化硅硅异质结的光电压特性作为种宽带隙的半导体材料，是非常理想的异质结窗口材料。尤其是在太阳能电池和光探测器件中，利用同质结制作的太阳能电池和光探测器，入射光大部分在表面层被吸收，由于表面缺陷引起的表面复合以及高掺杂层中寿命低等因素，使得些电子空穴对不能扩散到强电场区域，从而降低了太阳能光能转化为电能的效率和光探测器的灵敏度......”。

3、“.....入射光子可以穿过表面层在底层被吸收，从而可以减小表面复合等影响，所以利用可以用作为非常理想的太阳能电池的窗口材料来提高太阳能电池的效率。上章我们研究了异质结的单向导电性和电流输运机制，这些都主要反映了异质结中平衡载流子的行为，然而结许多重要的性能都和其中的非平衡载流子的产生扩散和复合有关系。当光垂直照射到结表面时，假如结的位置比较浅，光子可以到达结区，在结的两侧和附近分别产生电子空穴对非平衡载流子。电子空穴对如果距离结比较近，有可能在复合以前通过扩散运动到达结的强电场区域，在内为存在数量较多的界面态。电流输运机制既可以存在同质结那样的扩散电流，也可能存在像肖特基势垒中的热发射电流，还可以产生和界面态相联系的产生复合电流和隧穿电流。图异质结平衡时的能带图电流电压图异质结不同温度的曲线第章掺杂纳米碳化硅的光学和电学特性为了了解异质结的电流输运机制，我们测量了低温下的特性，图给了半对数坐标下的电流电压在低温下的关系曲线，从图中可见，异质结二极管在低温下也表现出了比较明显的整流特性，漏电流表现出比较明显的温度依赖关系。并且正向的漏电流在不同的偏压区显示出不同的斜率......”。

4、“.....较低的正偏压下显示有较大的斜率，而较高的正偏压下此斜率减小。结合前面室温二极管特性的讨论和拟合得到的低偏压下的理想因子为。我们可以这样理解，较低的正偏压下的漏电流，主要是界面缺陷的复合电流，此时的电流传导机制主要是越过势垒的电子和空穴到达了界面，同时到达界面的缺陷态电子和空穴发生了复合，这种电流和电压有指数的依赖关系，并且主要在小偏压下起主导作用。较高的偏压下我们发现的斜率随温度变化有比较明显的依赖关系，随着温度的变化此斜率减小，结合扩散和发射电流的特征，我们发现此时的电流特征非常符合此模型，此时扩散和发射电流分别在不同的偏压下起主导作用，当区的导带底低于区的尖峰时扩散电流起主导作用，随着外加偏压的增大，区的导带底低于区的尖峰定值时发射电流将起主导作用。同时我们还发现，在较高的偏压区对于相同的偏压下的漏电流随温度的增加而增大，表明异质结二极管上的电压降随温度的增加而减小，可见此时异质结二极管的内建电场随温度的增加而减小。而较小的正偏压下发现这种规律发生了相反的变化。同样的电流下，较高的温度下对应二极管上对应较高电压降，这种现象被称为......”。

5、“.....这种反型现象在硅和碳化硅的同质结二极管中都曾经被观察到,并且电子空穴的散射模型来解释这种现象。这种模型提出对于定的电流，通过异质结的结构的所有电压降可以用下面的公式来表示其中和分别为玻耳兹曼常数和绝对温度，为正比于异质结的饱和电流的常数。式中的第项表示异质结上的电压降，第二项表示由于声子杂质位错的散射引起的欧姆电压，而第三项包含电子空穴散射造成的欧姆电压降和所有的接触阻抗和串连阻抗造成的电压降。在定的温度范围内表现出了这种反型效应，主要是因为此温度范围内掺杂剂处于完全离子化状态。因此，此时声子和杂质的散射起主导作用，并河北大学工学硕士学位论文且其电阻随温度的增加而增大，因此会导致异质结上的电压降增大，所以会产生反型现象。但是这种效应往往会在更高的温度消失，因为较高的温度下本征激发的载流子浓度明显增加，可以和其中的受主浓度相比，此时本征激发的载流子起主导作用，电阻率随温度的增加会降低。图给出了较高温度下的曲线和低温下对比，我们确实发现反型现象没有发生。当结处于反向偏压时，在区区分别处于形成耗尽的状态，此时上的电压降很大，但是导通电流却很小......”。

6、“.....在进行煤炭生产加工和运输的同时，能够重视环境保护工作，认真贯彻落实环境保护这基本国策。矿山污染源概述矿山主要的污染源有大气污染废水排放固体废弃物排放与噪声污染。大气污染矿山大气污染主要来源于燃煤的锅炉窑炉茶炉食堂炉灶排放的废气以及煤在筛分破碎和转载储运过程中逸散到大气中的煤尘，尤其是露天落地储煤场，遇到大风天气会产生扬尘。矿山主要产生煤尘的部门有选煤厂筛分车间原煤储存仓装车仓露天贮煤场地主场房等，此外道路也会产生扬尘。废水排放矿山污水主要有采矿污水选煤污水及其它附属工业污水和生活污水。随着矿井的生产，将有大量的矿井水被排出，部分被处理后返回井下利用了，其他部分如不作处理就外排必定造成水污染。如果选煤厂无专门尾矿水处理系统，悬浮物将大大超过标准，矿井水流过的地方不仅造成环境污染，还将造成农作物的减产，甚至绝收。固体废弃物排放矿山在进行煤炭生产和加工过程中带来的固体废弃物主要是煤矸石。这些煤矸石除少量利用外，大部分均堆放在矿井附近，这样不仅占有大片土地，而且矸石山燃烧体热能大，遇水易自燃冒烟产生二次污染。噪声污染矿山噪声主要来自煤炭生产加工和运输过程中......”。

7、“.....噪声源主要分为三大类。空气动力性噪声主要来自主扇风机空气压缩机鼓风机真空泵等。机械性噪声主要来自破碎机振动筛跳汰机离心机以及溜槽中物料与槽体撞击声。电磁性噪声来自发电机电焊机等。矿山污染源的防治对于煤矿企业来说，应针对矿山的主要污染源，本着预防控制污染的原则，对矿山污染采取有效而切实的措施，使其得到严格的控制，并不能对人体造成危害。大气污染防治煤泥水虽然无毒，但也能对大地产生定污染。选煤厂选用洗水闭路循环方式，洗水往复循环使用，很少向外排放。如果洗水闭路循环系统发生故障时，系统内煤泥水可进入事故涝坑或第二段浓缩机处理后作为新注入的循环水返回再用。特殊情况确需排水时，只要排出压滤机中的小部分，每小时排放量不超过立方米，且水经过压滤后已经达到污水排放标准的要求。选煤厂无论何时不会向外排放煤泥水。矿山水污染的防治设计矿井的污水主要来自于两个方面井下涌水中含煤，洗煤厂里的洗煤水。井下涌水主要由下列水源组成，即地下水及老窖涌水入道，采矿过程中形成的废水，地表水通过水裂隙，地表土壤及松散岩层或其它井巷相连的通道流入井下。矿工业中废水的形成洗矿破碎选矿用水......”。

8、“.....矿山常用的处理方法是采用沉淀法，具体措施是修建两个大型沉淀池，煤等比较重大的污染经过沉淀过虑后，可以从污水中分离出来的达到治理污水的作用。矿渣利用福城矿的煤矸石由神火煤电公司土地复垦部拉部分填塌陷区，开展土地复垦工作被附近的砖厂拉去部分，粉碎后掺入粘土中作为内燃材料矿区周围的群众征得神火煤电公司的同意后，拉部分矸石铺路水坑或垫低洼处。煤矸石是机砖作内燃的好材料，也是硫化床锅炉用作发电的好材料。神火煤电公司组织技术人员研究探讨煤矸石开发利用问题，拟建座万千瓦的矸石电厂，已编制出了可行性报告，年月的温度依赖电压电流图室温下异质结曲线与低温下的对比反向电流温度图不同偏压下反向电流的温度依赖关系第章掺杂纳米碳化硅的光学和电学特性关系，图给出了不同偏压下反向电流的温度依赖关系。可见在半对数坐标下，不同偏压下均表现为和温度的指数依赖关系。其中的和均为常数。因此表明此时的传导机制主要是通过界面的缺陷态的多步隧穿过程。此时主要是中的电子通过界面的缺陷的多步隧穿然后和型硅中的空穴复合的复合电流起主导作用......”。

9、“.....通过分析红外和吸收谱，我们认为主要的掺杂机理是替位掺杂，即原子对和的替换作用，较低的掺杂情况下主要是替换其中的，而随着掺杂比例提高会替换其中的原子。并且随着掺杂比例的提高薄膜的晶化度提高。界面势垒的高度和宽度降低，表现为薄膜的光致发光强度随掺杂比例增加而提高个数量级。掺杂的纳米薄膜的电导率在掺杂比例为时，得到最大值接近，纳米碳化硅的电导率随温度变化关系表明，纳米碳化硅主要存在两种导电机制较高温度下电子可以激发到导带，所以主要是扩展态电导较低温度下则主要是费米能级附近，缺陷局域态间的近程跳跃电导。通过对电导率的拟合我们得到了不同导电率的薄膜存在不同的激活能，较高的电导率的薄膜对应具有较小的激活能。对不同电导率的纳米碳化硅薄膜和硅形成的异质结就有不同的整流特性，较高电导率的纳米碳化硅薄膜和硅衬底形成了较高的接触电势差，具有较好的整流特性，最大整流比为。通过对整流曲线的拟合得到的二极管的理想因子为，同时也表明对于形成的异质结小的正偏压下的传输电流主要是通过界面态的复合电流。低温下的特性分析表明，较大正偏压下则主要是扩散和发射电流起作用，不同温度的特性分析也表明......”。