1、“.....图所示的电路可以看成低通滤波器，其时间常数为,未找到引用源。,未找到引用源。，其中,未找到引用源。，则通带上限频率为,未找到引用源。,未找到引用源。从检测器本身来看，要尽量降低结电容,未找到引用源。,未找到引用源。式中未找到引用源。为结材料的介电常数，为结面积，为耗尽层厚度。对于个直径为,未找到引用源。的二极管，的数量级为,未找到引用源随着耗尽层厚度的增加，结电容减小，这有利于响应速度的提高，也有利于量子效率的提高，但增加时又增加了载流子的渡越时间，反过来又降低了响应速度。减小结电容的另个方法是减小结面积，这也有利于暗电流的减小。最小结面积收到与之耦合的光纤尺寸的限制。若给电路加阶跃电压，其响应为脉冲电流，如图所示，该脉冲从最大值上升到所用时间即为电路的上升时间......”。

2、“.....未找到引用源。,未找到引用源。式中未找到引用源。为阶跃响应的最大值。则响应时间为,未找到引用源。,未找到引用源。光电二极管的响应速度主要受到载流子漂移通过耗尽层的时间，即载流子漂移通过耗尽层的渡越时间,未找到引用源。的限制。,未找到引用源。,未找到引用源。决定于载流子的漂移速度和耗尽层的宽度，假定漂移速度是均匀的，则有,未找到引用源。,未找到引用源。减小或增加反偏压都可以使渡越时间缩短。增加反偏压可使内建电场增强，漂移速度加快，但是增加反偏压不可能无限地增加漂移速度，因在半导体的晶格中，载流子都有定的饱和速度,未找到引用源。,未找到引用源例如在材料中，当内建电场小于,未找到引用源。,未找到引用源。时......”。

3、“.....未找到引用源。,未找到引用源。时，电子和空穴漂移速度均趋向于它们各自的饱和速度,未找到引用源。,未找到引用源。和,未找到引用源。,未找到引用源当,未找到引用源。未找到引用源。偏置电压大于时，内建电场即可达到,未找到引用源。,未找到引用源。，此时响应时间为。在足够的偏压下，可以用饱和漂移速度来估算阶跃时间,未找到引用源。,未找到引用源。由,未找到引用源。可以计算光电二极管的截止频率，即光电二极管可以检测到的信号带宽,未找到引用源。,未找到引用源。渡越时间的存在引起了高频失真，限制了器件的带宽，使信号产生了较大的相位滞后并且使信号的幅度受到较大削弱。另外，在前面提到的，耗尽层外的区和区产生的载流子由于没有内建电场的加速作用，以较慢的速度扩散，其扩散时间长，正比于,未找到引用源。......”。

4、“.....,这种扩散效应造成了光电流脉冲的长拖尾，如图所示。图光脉冲及光电流脉冲波形不过现在性能良好的光电二极管，其扩散和漂移时间般在,未找到引用源。量级，相当于吉赫频率响应。因此实际应用中，决定光电二极管频率响应的主要因素是电路时间常数,未找到引用源。,未找到引用源。，结构的结电容,未找到引用源。,未找到引用源。般可控制在量级适当加大反偏压未找到引用源。还可减小些。因此，合理选择负载电阻,未找到引用源。是实际应用中的重要问题。光电二极管的上述优点使它在光通信光雷达及其它快速光电自动控制领域得到了非常广泛的应用另外利用反偏置高电压般为几十到几百击穿结初始电子在高电场去碰撞晶格原子引起连锁反应的雪崩二极管也被研制出来，性能更为优越，般硅和锗雪崩光电二极管的电流增益可达,未找到引用源。......”。

5、“.....，因此这种管子的灵敏度很高在,未找到引用源。上的响应率达且响应速度快，响应时间只有，相应的响应频率可达，噪声等效功率为,未找到引用源。,未找到引用源它广泛应用于光纤通信弱信号检测激光测距星球定向等领域。光电探测器响应时间实验研究本实验分别用脉冲响应特性法和幅频特性法测定光敏电阻和光电二极管的响应时间，探讨这两种常用的光电探测器响应时间与所加偏压和负载的关系特性实验原理通常，光电探测器件输出的电信号都要在时间上落后于作用在其上的光信号，即光电探测器件的输出相对于输入的光信号要发生沿时间轴上的扩展，这种响应落后于作用信号的特性称为惰性。由于惰性的存在，会使先后作用的信号在输出端相会交叠，从而降低了信号的调制度。如果探测器观测的是随时间快速变化的物理量......”。

6、“.....深入了解探测器的时间相应特性是十分必要的。而光电探测器件的频率特性，是指该器件对交变入射光的响应能力。并且，它的器件响应的时间常数有关，时间常数越小，上限频率越高，响应时间越快。下面就介绍下他们的原理。表示时间响应特性的方法主要有两种，种是脉冲响应特性法，另种是幅频特性法。脉冲响应响应落后于作用信号的现象称为弛豫。对于信号开始作用时的弛豫称为上升弛豫或起始弛豫，信号停止作用时的弛豫称为衰减弛豫。弛豫时间的具体定义如下如用阶跃信号作用于器件，则起始弛豫定义为探测器的响应从零上升为稳定值的即时所需的时间。衰减弛豫定义为信号撤去后，探测器的响应下降到稳定值的即所需的时间。这类探测器有光电池光敏电阻及热电探测器等......”。

7、“.....这种定义多用于响应速度很快的器件如光电二极管雪崩光电二极管和光电倍增管等。若光电探测器在单位阶跃信导作用下的起始阶跃响应函数为−−，衰减响应函数为−，则根据第种定义，起始弛豫时间为，衰减弛豫则间为。此外如果测出了光电探测器的单位冲激响应函数，则可直接用其半值宽度来表示时间持性。为了得到具有单位冲激函数形式的信号光源载电阻两端的信号电压将发生变化。测出其衰减到超低频的时即分贝处的调制频率ƒ，并确定响应时间。实验结果与分析硅光电二极管的响应时间与偏置电压的关系偏置电压响应时间,未找到引用源。,未找到引用源。由图表可见硅光电二极管的响应时间随着其上所加偏压的升高而减低，偏压趋于零时趋向于无穷大。硅先电二极管的响应时同与负载电阻的关系负载电阻,未找到引用源......”。

8、“.....未找到引用源。,未找到引用源。由图表可见硅光电二极管的响应时间随着负载电阻的增大而增大，呈非线性关系。用脉冲法测量光敏电阻的负载响应时间测出其响应时间为不同频率下的输出电压频率输出电压取频率输出电压计算得响应时间为随着调制频率的升高，负载电阻两端的信号电压逐渐减小。把正弦波波率调到最小时，频率为，对应的负载电阻两端的信号电压为，逐渐调高正弦波频率，观察信号电压衰减到超低频的即分贝处，即时，读出调制频率ƒ为。代入计算得响应时间为结论为提高光电探测器的响应速度，相关工作者前赴后继，朝着不同的方向努力，取得了巨大的成果，有力地推动信息产业高速发展。如光电二极管和雪崩光电二极管等，思路不而足。基于结光电二极管的原始模型来看......”。

9、“.....未找到引用源。并联的结电容,未找到引用源。所决定的电路时间常数。光电二极管在结加入本征半导体是为了缩短载流子的扩散时间，加宽耗尽层以减小结电容，缩短电路时间常数，同时也有利于提高量子效率。不过耗尽层增加时又增加了载流子的渡越时间，反过来又降低了响应速度。减小结电容的另个方法是减小结面积，这也有利于暗电流的减小。最小结面积收到与之耦合的光纤尺寸的限制。从理论分析和实验讨论结果可知硅光电二极管的响应时间与其上所加反向偏压和所接负载有关，在未击穿结的情况下，偏压越高，响应时间越短负载电阻越小，响应时间越短。所以在选用负载时尽可选用电阻小的外围电路。光敏电阻的随入射光的照度所加电压负载电阻及前历时间而变，般来说，照度愈强，响应时间愈短负载电阻愈大......”。