反向畴。畴翻转的过程中伴随着应变能，所以畴般发生在较高的外加电场作用下。在轴择优取向的薄膜中，电场幅值较低时，对应于非轴取向晶粒畴的极化翻转，随着电场幅值的增大，对应于非轴取向晶粒畴及沿轴取向的晶粒畴的极化翻转，最后是沿轴取向的晶粒畴的极化翻转。不同取向电畴消耗的能量不同，发生极化翻转所需的外电场值也不同，与外电场方向越接近平行越易翻转。随机取向第四章薄膜的回线动力学标度铁电薄膜中电畴取向方向分布平均，随着值增大，电畴按照对应值由大到小极化翻转由难到易依次翻转，回线面积随变化表现出变化较为平缓。轴择优取向薄膜中电畴方向分布不平均，接近易翻转的电畴多，其他方向分布的电畴翻转随的变小而变得困难相对较少，因此其随变化表现出随电场变大迅速增大，易翻转电畴翻转完成后，难翻转电畴开始翻转，但与随机取向薄膜相比数量要少，因此随的增加会更平缓。如图所示，这在标度关系中的表现就是饱和回线的标度指数中值大小关系为，随机取向大于轴择优取向。青岛大学本科毕业论文设计结论结果表明，高电场条件下随机取向薄膜的标度关系为∝。轴低择优取向度的铁电薄膜的标度关系为∝。轴高择优取向度的铁电薄膜的标度关系为低频段∝高频段∝。薄膜饱和回线面积，即电畴翻转消耗的总能量，随轴取向度的增强而增大。薄膜取向度越高，饱和回线对应的畴翻转越充分。致谢致谢本文是在导师卢朝靖教授和张永成老师的悉心指导下完成的。卢老师诲人不倦的高尚情操勤奋严谨的治学风范和渊博的学识将使我终身受益。研究选题体现了导师高瞻远瞩开阔敏锐的思维，实验工作凝聚了导师大量的心血。在此，谨向卢老师表示诚挚的感谢和深深的敬意。特别感谢张永成老师在铁电性能测试方面与回线动力学标度方面给予我耐心细致具体的指导。感谢实验室师兄师姐和同学对我的支持鼓励和帮助。最后衷心感谢我的父母，感谢他们给予我无私的爱与坚强的支持,参考文献参考文献殷之文电介质物理学北京科学出版社,李超,叶万能,张永成等沿轴择优取向铁电薄膜的回线动力学标度青岛大学学报自然科学版乔燕铁电薄膜及铁电储存器江汉大学学报自然科学版，,,,参考文献图测试电滞回线的脉冲波形第三章实验方法测得条完整的电滞回线。间隔秒后开始施加个周期的测量三角波来测试记录数据，三角波采用台阶形电压，隔定时间上升段电压，记录次数据，通过积分感应电流计算出电极表向度低频下∝高频下∝理论模型三种取向度的薄膜的标度关系均与和模型不同，这是因为实际薄膜中畴翻转过程不仅受频率和和幅值的影响，薄膜中的缺陷引起的畴壁钉扎对畴翻转过程也有影响。指数反映了回线面积随电场频率变化的快慢，指数为正值时，回线面第四章薄膜的回线动力学标度积随电场频率的增大而增大指数为负值时，回线面积随电场频率的增大而减小。随机取向薄膜的标度关系中，指数在测试区间内为负值，说明测试区间内，随外电场频率增加随机取向薄膜中有越来越多的畴翻转速率跟不上外电场的变化。同样的，在轴低择优取向度薄膜的测试区间内，指数也是负值，说明随电场频率增加有越来越多的畴翻转速率跟不上外电场的变化。而在轴高择优取向度薄膜的标度关系中，指数在低频段为正值，说明频率较低时回线面积随电场频率的增加而增加幅度很小，这时电畴翻转速率能跟得上外电场的青岛大学本科毕业论文设计变化频率增大到高频段后指数变为负值，这时轴高择优取向度薄膜的回线面积随电场频率的增大而减小。对比同电场幅值下回线面积随频率的变化及值大小，可以得出同电场幅值下，随机取向薄膜中畴翻转速率比轴择优取向薄膜的要慢。指数的大小反映回线面积随电场幅值变化的快慢。在高电场高频条件下，值大小为和模型随机取向轴低取向度轴高取向度,这说明薄膜的回线面积受电场幅值的影响比起和型要小，而且这种影响随着沿轴择优取向度的提高而减小。第四章薄膜的回线动力学标度图随变化对比图图是条件下三种薄膜样品的回线面积随外电场幅值的变化对比图。可以得知，当回线达到饱和时，随机取向样品，轴低择优取向度样品和轴高择优取向度样品三者回线面积相比较，随机取向样品的回线面积要小于轴低择优取向度样品小于轴高择优取向度样品，这说明随机取向铁电薄膜翻转过程中消耗的能量随取向度的增大而增大。可以认为，铁电畴翻转消耗能量为，其中是晶粒或晶核的体积，电畴自发极化矢量，为外电场，是自发极化矢量与外电场之间青岛大学本科毕业论文设计的夹角。翻转过程中消耗的总能量等于对应不同的电畴消耗能量的积分。随机取向铁电薄膜中电畴取向方向分布平均，而沿轴择优取向薄膜的电畴取向方向分布与电场方向趋于致因此总的积分值会增大。所以轴择优取向薄膜大于随机取向铁电薄膜翻转过程中消耗的能量。薄膜中只包含和,参考文献,,‐参考文献,及面电荷，单位面积上的电荷即为剩余极化强度值。即薄膜样品处理方法，用粒子溅射法在铁电薄膜样品的上表面刷上分离点状电极，下表面为导电基底，测试时，在显微操作台上将两个测量探针轻轻压在其中两个点电极上要防止刺穿薄膜样品，即构成个厚度两倍于薄膜厚度的电容器结构。操作步骤青岛大学本科毕业论文设计启动铁电测试仪，运行铁电测试软件。将信号输出端和接收端连接到待测材料电容结构的两个电极。运行电滞回线测量程序，设定测试电压和频率进行测试取，裙座底部截面系数截面弯矩取下式中较大者取人孔截面的断面模数，截面弯矩取下式中较大者取，筒体截面塔体和裙座危险截面的强度与稳定校核塔体的最大组合轴向拉力校核塔体的最大组合轴向拉应力发生在正常操作的截面上，设计内容工作温度下的许用应力，取，取载荷组合系数因此，，，满足要求。塔体与裙座的稳定性校核截面塔体的最大组合轴向压应力发生在停车的截面上,未找到引用源。，查表知，而，，满足要求。截面满足要求。截面，满足要求。塔体水压试验和吊装时的应力校核水压试验时各种载荷引起的应力液压试验压力由试验压力引起的轴向拉应力水压试验时最大质量引起的轴向压应力河北联合大学化学工程学院弯矩引起的轴向应力水压试验时应力校核筒体环向应力校核，其中，材料的屈服点，而，，满足要求。最大组合轴向拉应力校核，满足要求。最大组合轴向压应力校核,未找到引用源。未找到引用源。，。吊装时应力校核，即满足要求。基础环设计基础环尺寸设计内容图基础环尺寸基础环外反向畴。畴翻转的过程中伴随着应变能，所以畴般发生在较高的外加电场作用下。在轴择优取向的薄膜中，电场幅值较低时，对应于非轴取向晶粒畴的极化翻转，随着电场幅值的增大，对应于非轴取向晶粒畴及沿轴取向的晶粒畴的极化翻转，最后是沿轴取向的晶粒畴的极化翻转。不同取向电畴消耗的能量不同，发生极化翻转所需的外电场值也不同，与外电场方向越接近平行越易翻转。随机取向第四章薄膜的回线动力学标度铁电薄膜中电畴取向方向分布平均，随着值增大，电畴按照对应值由大到小极化翻转由难到易依次翻转，回线面积随变化表现出变化较为平缓。轴择优取向薄膜中电畴方向分布不平均，接近易翻转的电畴多，其他方向分布的电畴翻转随的变小而变得困难相对较少，因此其随变化表现出随电场变大迅速增大，易翻转电畴翻转完成后，难翻转电畴开始翻转，但与随机取向薄膜相比数量要少，因此随的增加会更平缓。如图所示，这在标度关系中的表现就是饱和回线的标度指数中值大小关系为，随机取向大于轴择优取向。青岛大学本科毕业论文设计结论结果表明，高电场条件下随机取向薄膜的标度关系为∝。轴低择优取向度的铁电薄膜的标度关系为∝。轴高择优取向度的铁电薄膜的标度关系为低频段∝高频段∝。薄膜饱和回线面积，即电畴翻转消耗的总能量，随轴取向度的增强而增大。薄膜取向度越高，饱和回线对应的畴翻转越充分。致谢致谢本文是在导师卢朝靖教授和张永成老师的悉心指导下完成的。卢老师诲人不倦的高尚情操勤奋严谨的治学风范和渊博的学识将使我终身受益。研究选题体现了导师高瞻远瞩开阔敏锐的思维，实验工作凝聚了导师大量的心血。在此，谨向卢老师表示诚挚的感谢和深深的敬意。特别感谢张永成老师在铁电性能测试方面与回线动力学标度方面给予我耐心细致具体的指导。感谢实验室师兄师姐和同学对我的支持鼓励和帮助。最后衷心感谢我的父母，感谢他们给予我无私的爱与坚强的支持,参考文献参考文献殷之文电介质物理学北京科学出版社,李超,叶万能,张永成等沿轴择优取向铁电薄膜的回线动力学标度青岛大学学报自然科学版乔燕铁电薄膜及铁电储存器江汉大学学报自然科学版，,,,参考文献图测试电滞回线的脉冲波形第三章实验方法测得条完整的电滞回线。间隔秒后开始施加个周期的测量三角波来测试记录数据，三角波采用台阶形电压，隔定时间上升段电压，记录次数据，通过积分感应电流计算出电极表