1、“.....其中有移相掩膜离轴照明技术邻近效应校正等。运用这些技术，可在目前的技术水平上获得更高分辨率的光刻图形。如年初公司推出的扫描步进机，该机的光源为纳米，通过采用波前技术，可在毫米硅片上实现微米光刻线宽。光刻技术是包含光刻机掩模光刻材料等系列技术，涉及光机电物理化学材料等多个研究方向。目前科学家正在探索更短波长的激光波二〇四年四月二十四日星期四长为纳米光刻技术。由于大量的光吸收......”。

2、“.....光科技束是很多学科的综合，任何门学科的突破就能对光刻技术的发展做出巨大贡献。图为光学光刻原理图，电子束光刻电子束光刻技术是微型技术加工发展的关键技术，他在纳米制造领域中起着不可替代的作用。电子束光刻主要是刻画微小的电路图，电路通常是以纳米微单位的随着中国纳米技术和纳米电子学的蓬勃发展，纳米加工技术的研究越来越重要，而电子束光刻技术将是纳米结构图形加工中非常重要的手段。电子束光刻技术要应用于纳米尺度微小结构的加工和集成电路的光刻......”。

3、“.....实践证明，电子束邻近效应校正技术电子束曝光与光学曝光系统的匹配和混合光刻技术及抗蚀剂曝光工艺优化技术的应用，是种提高电子束光刻系统实际光刻分辨能力非常有效的办法。电子束光刻最主要的就是金属化剥离，第步是在光刻胶表面扫描到自己需要的图形。第二部是将曝光的图形进行显影......”。

4、“.....第三部在形成的图形上沉淀金属，第四部将光刻胶去除，在金属剥离的过程中，关键在于光刻工艺的胶型控制。最好使用厚胶，这样有利于胶剂的渗透，形成清晰的形貌。聚焦粒子束光刻聚焦离子束，的系统是利用电透镜将离子束聚焦成非常小尺寸的显微切割仪器，她的原理与电子束光刻相近，不过是有电子变成离子。目前商业用途系统的离子束为液态金属离子源，金属材质为镓......”。

5、“.....外加电场于液相金属离子源可使液态镓形成细小尖端，再加上负电场牵引尖端的镓，而导出镓离子束，在般工作电压下，尖端电流密度约为埃，以电透镜聚焦，经过连串变化孔径，可决定离子束的大小，再经过二次聚焦至试片表面，利用物理碰撞来达到切割之目的。在世界技术发展的同时，我国的仍以三极管为主的制版光科技束向了生产线......”。

6、“.....并且成功研制了世界上第台计算机。在提出摩尔定律，研制出个元件的小鬼吗集成电路和个元件的中闺蜜集成电路前身，研制的锗合金三极管和磁膜储存器应用于丙计算机如果说在五十年代对于光刻技术是以研究为主的话，那么在六十年代就是以生产为主了。经过了十年发展，光刻技术已经基本成型。在六十年代，光科技束已经从实验室走国科学院物理研究所成立半导体研究室。黄昆，谢希德，林兰英，王守武等前辈开始研究光刻技术......”。

7、“.....年我国建立第条半导体试验线研制成功锗合金三极管。年建立了厂，这是微电子所的国成立后，也很重视光刻技术的发展。有周总理亲自挂帅主持制定十年科学发展技术远景规划纲要光科技束半导体技术等列为国家重点研究科目。北大复旦南大厦大和东北人大等高校抽调精兵强将成立联合半导体专门化，中，结晶晶体管在国外诞生奥尔发明离子注入工艺，弗雷提出扩散节工艺。在五十年代的国外，光刻技术是百花齐放。在年制造出来世界上第架晶体管计算机，提出光刻工艺......”。

8、“.....新中，许多科学家都在研究证明发展计算机，于是光刻技术迅速被人们重视，并飞速发展，不过比较遗憾的是当时我国仍处于战乱之中，制版光刻还是个空白，半导体技术和科研号处在起步阶段。光科技束的发展初级阶段在五十年代的不是照片，而是电路图和其他电子元件。第二章，光刻的历史光科技束的诞生年，贝尔实验室发明第只点接触晶体管。从此光刻技术开始了发展当时的人们已经开始了计算机的发展，人们大量利用计算机......”。

9、“.....光刻胶见光后会发生性质变化，从而使光罩上得图形复印到薄片上，从而使薄片具有电子线路图的作用。这就是光刻的作用，类似照相机照相。并且向大家讲述光刻的发展前景。在光刻这方面，我国的专利意识稀薄，很多技术都没有专利，希望我辈能改变这个状况关键字光刻技术光刻种类光刻中外历史。二〇四年四月二十四日星期四，二〇四年四月二十四日星期四编号第章绪论第二章......”。