1、“.....扩展管以在这个设计中实现抗高压的能力。关键词门极驱动,简介个有效的门极驱动必须连接单片机的接口,通过电压或者电流来实现的开关,而且同时能够在非正常情况下保护。最近几年,种类繁多的制造设计工艺已经实现在的门极驱动,。在大多数的这些设计中,其中用于高压门极驱动电路的实现往往与低压控制电路的实现不同。这项工作的目的是驱动的高压部分在传统的低压高密度半导体中的实现,在不额外添加其他条件的情况下达到高压性能,使用扩展晶体管,。这个过程可以适合低压控制电路中实施,因此也可以在个单片机芯片上实现高压驱动控制,与此同时还实现了保护电路的最小区域和最小功耗。开特性图展示了和感性负载,图展示开状态电路的理想波形......”。

2、“.....门极驱动是输出电阻的体现。电压的变化来自门极的电压必须关闭而的门极电压需要变为打开。图感性负载电路图开状态理想波形在时间,门电流控制常量电容直到阴极电压上升至超过设备的临界电压。此时,打开并开始通过电流。在时间的负载电流是来自的极管的阳极电流同时不断增加逐渐趋近于稳定值。阳极电流波形取决于门电压的上升时间和装置的超前互导。以下的表达式可以用来表达阳极电流和时间的关系门阴极电压在期间的变化率可以表达如下从而把式代入式中得出阳极电流的变化率在期间,门阴极电压达到支持阳极电流恒定稳态的值,此时阳极阴极之间的电压开始减小到的开电压。在此时间......”。

3、“.....的切换时间必须十分短暂。实现这个条件使得的门极驱动必须具有低阻抗并且可以提供大的窄脉冲电流以快速冲入电容从而引起在低功耗的条件下迅速开始工作。在此故障情况下,保护电路必须关闭。关闭指令的执行必须逐步的进行,以避免过高的通过电路中的电感。为了满足这个要求,本设计中使用了最新技术水平的保护电路。饱和度下降保护电路包括过压感应,个时钟和个脉冲展宽电路。在图中,旦饱和度下降出现故障,过压保护感应模块的输出电压上升同时连续逐步的关闭,如图所示。图门极驱动输出的减饱和保护步骤首先,门电压下降是为了帮助增大短路反抗时间。此电压下降的实现是通过打开晶体管和还有关闭晶体管在很短段时间内,由电容和电阻规定......”。

4、“.....其后,经过由时钟在输出时创建时间的延时后晶体管打开同时导致通过反相器和缓冲器打开。的门电容通过的漏极电流放电和装置关闭慢慢的释放掉电路内电感存储的能量。最终,在时钟在输出确定时间后,当即将关闭时刻,和分别被和打开同时将的门极电压减小到。持续时间和可以分别通过外部电容和调整。当门极驱动的输入电压上升时,电平位移器的输出下降,晶体管和打开,晶体管关闭同时的栅电容通过晶体管和的漏极电流而减小到。电容在打开关闭这些纯源化晶体管和凹型晶体管的时间上制造了点小延时来避免同时打开这些晶体管和到短路。或者晶体管和可以通过改变栅电容来关闭。晶体管比有个较小的宽度来允许缓慢的在去饱和的条件下关闭。此外......”。

5、“.....保护电路门极驱动包括无意开关和降饱和失败保护电路。无意开关保护电路监控着轨至轨功率供给电压和如果门极驱动输出电压不足以有效的驱动则关闭系统。为了将在发生故障的情况下关闭,该保护电路采用最小补充道电路和通过使用同样高压高流的电路提供功率损耗来驱动的门极。这个保护电路也可以外部可调,供用户在发生故障的情况下规定关闭速度。当下降饱和度发生故障,假如当在打开时,通过负载的电路出现短路。另外,当打开时,它通过的电流镜引导着基准电流,其使得输出电流产生。当的门电压在低位时,晶体管和是关闭的而是打开的,同时输出电压下降到。串联极管用来保护和的门极。当在打开的状态下,电阻用来限制电流。反相器的结构如图所示......”。

6、“.....如果个低信号应用在,则打开同时关闭。当打开时,其降下的门电压从而导致和打开。串联极管至限制了反向器输出低电压为来保护晶体管的氧化层。电阻限制当在打开时的极管中的电流。大功率驱动电路设计翻译。当门极驱动的输入电压上升时,电平位移器的输出下降,晶体管和打开,晶体管关闭同时的栅电容通过晶体管和的漏极电流而减小到。电容在打开关闭这些纯源化晶体管和凹型晶体管的时间上制造了点小延时来避免同时打开这些晶体管和到短路。或者晶体管和可以通过改变栅电容来关闭。晶体管比有个较小的宽度来允许缓慢的在去饱和的条件下关闭。此外,晶体管电容和电阻都是用来在降饱和度的保护过程期间增加定时控制。保护电路门极驱动包括无意开关和降饱和失败保护电路......”。

7、“.....为了将在发生故障的情况下关闭,该保护电路采用最小补充道电路和通过使用同样高压高流的电路提供功率损耗来驱动的门极。这个保护电路也可以外部可调,供用户在发生故障的情况下规定关闭速度。当下降饱和度发生故障,假如当在打开时,通过负载的电路出现短路。在此故障情况下,保护电路必须关闭。关闭指令的执行必须逐步的进行,以避免过高的通过电路中的电感。为了满足这个要求,本设计中使用了最新技术水平的保护电路。饱和度下降保护电路包括过压感应,个时钟和个脉冲展宽电路。在图中,旦饱和度下降出现故障,过压保护感应模块的输出电压上升同时连续逐步的关闭,如图所示......”。

8、“.....门电压下降是为了帮助增大短路反抗时间。此电压下降的实现是通过打开晶体管和还有关闭晶体管在很短段时间内,由电容和电阻规定。晶体管和分别是用来关闭和打开和。其后,经过由时钟在输出时创建时间的延时后晶体管打开同时导致通过反相器和缓冲器打开。的门电容通过的漏极电流放电和装置关闭慢慢的释放掉电路内电感存储的能量。最终,在时钟在输出确定时间后,当即将关闭时刻,和分别被和打开同时将的门极电压减小到。持续时间和可以分别通过外部电容和调整。的半导体加入电源开关的门极驱动摘要本文主要讨论了绝缘栅双极晶体管的门极驱动的设计和整体的实现......”。

9、“.....扩展管以在这个设计中实现抗高压的能力。关键词门极驱动,简介个有效的门极驱动必须连接单片机的接口,通过电压或者电流来实现的开关,而且同时能够在非正常情况下保护。最近几年,种类繁多的制造设计工艺已经实现在的门极驱动,。在大多数的这些设计中,其中用于高压门极驱动电路的实现往往与低压控制电路的实现不同。这项工作的目的是驱动的高压部分在传统的低压高密度半导体中的实现,在不额外添加其他条件的情况下达到高压性能,使用扩展晶体管,。这个过程可以适合低压控制电路中实施,因此也可以在个单片机芯片上实现高压驱动控制,与此同时还实现了保护电路的最小区域和最小功耗。开特性图展示了和感性负载,图展示开状态电路的理想波形。的输入端通过电阻连接......”。