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标竞争性,邀请对象数目以不少于家为宜,与公开招标比较,邀请招标优点是简化了招标程序,不需要发布招标广告和设臵资格预审程序,因此可节约招标费用和缩短招标时间而且由于对投标人以往业绩和履约能力比较了解,减少了合同履行过程中承包方违约风险。


尽管不设臵资质预审程序,为了体现投标人资质和水平,在投标书内报送表明其资质能力有关证明材料,作为评标时评审内容之。


邀请招标缺点是,投标竞争激烈程序相对较差,有可能提高中安徽中科太阳能有限公司单晶硅棒及太阳能板生产线项目可行性研究报告标合同价。


另外在邀请对象中也有可能排除了些在技术或报价上有竞争力实施单位。


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地方政府大力支持是项目顺利实施又保证。


来安县政府及有关部门来安经济开发区对该项高度重视,全力支持该项目上马建设。


该项目建设规模适中,技术方案可行,经济效益较好,建设条件落实,自筹资金到位,投资风险较小。


因此,从总体上看,该项目是可行。


第三章产品属性和市场需求预测产品性质和功能分析产品属性和功能分析单晶硅。


在地壳中,硅含量仅次于氧,居第二位,占地壳总重量。


它主要以二氧化硅形式存在,岩石和砂土中都含有大量二氧化硅。


元素硅原子结构和化学性质与元素碳很相似,单质硅是重要合金和半导体原料。


本世纪年代,半导体应用发展,带动了单晶硅生产。


单晶硅是由许多硅原子以金刚石晶格结构排列成晶核长成晶面取向相同晶粒并平行结合变成单晶硅。


超纯单晶硅是最早使用半导体材料,其纯度可高达,在这样纯单晶硅中,每万亿个原子中有个杂质原子。


硅是地球上储藏最丰富材料之,从世纪第章总论项目概述项目名称年产单晶硅棒生产项目建设单位安徽中科太阳能有限公司法人代表张勇建设内容和规模建设内容项目分三期建设,本可行性研究报告重点研究期工程。


项目占地亩建设厂房幢,建筑面积平方米配套建设公辅工程购臵设备台套。


其中期工程建设内容如下建设厂房幢建筑面积平方米。


购臵设备台套配套建设水电气等公用和辅助工程④征用土地亩。


建设规模期工程实现年产各种规格型号单晶硅棒吨。


核准通过,归档资料。


未经允许,请勿外传,投资估算和资金筹措投资估算项目三期建设总投资估化节能灯电视机等系列产品。


目前晶体直径可控制在英寸。


外延片主要用于集成电路领域。


由于成本和性能原因,直拉法单晶硅材料应用最广。


在工业中所用材料主要是抛光片和外延片。


存储器电路通常使用抛光片,因成本较低。


逻辑电路般使用价格较高外延片,因其在制造中有更好适用性并具有消除能力。


单晶硅制造技术,在保证半导体质量标准前提下,向来根据硅片直径大小评价其技术水平。


硅片直径越大,技术要求越高,越有市场前景,价值也就越高。


例如,年全球共消耗亿片,其中英寸以下硅片占,英寸占,英寸占,英寸占,人们预计到年,硅片消耗量可能比年上升,但是小直径硅片尤其是英寸以下硅征会逐步减少,预计英寸以下硅征可能占,英寸占,英寸占,英寸占,英寸占。


现在,硅片直径正从英寸迅速升级,英寸硅片技术正日益成熟。


预计到年,英寸硅片可以进入商业化生产阶段。


日本美国和德国是主要硅材料生产国。


中国硅材料戒严与日本同时进步,但总体而言,生产技术水平仍然相对较低,目前年产吨,仅占全球总产量,而且大部分为英寸硅锭和小直径硅片。


中国消耗大部分集成电路及其硅片仍然依赖进口。


但我国科技人员正迎头赶上,于年成功地制造出了英寸单晶硅,标志着我国单晶硅生产进入了新发硅材料和冶金级硅材料熔化浇铸而成,然后注入石墨铸模中,待慢慢凝固冷却后,即得多晶硅锭。


这种硅锭可铸成立方体,以便切片加工成方形太阳电池片,可提高材料利用率和方便组装。


多晶硅太阳电池制作工艺与单晶硅太阳电池差不多,其光电转换效率约左右,稍低于单晶硅太阳电池,但其材料制造简便,节约电耗,总生产成本较低,因此得到大量发展。


现在,我们生活中处处可见硅身影和作用,晶体硅太阳能电池是近年来形成产业化最快。


熔融单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核,如果这些晶核长成晶面取向相同晶粒,则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。


二主要技术规范和般工艺过程单晶硅制法通常是先制得多晶硅或无定形硅,然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。


单晶硅棒是生产单晶硅片原材料,随着国内和国际市场对单晶硅片需求量快速增加,单晶硅棒市场需求也呈快速增长趋势。


单晶硅太阳电池单晶硅太阳电池是当前开发最快种太阳电池,它结构和生产工艺已定型,产品已广泛用于空间和地面。


这种太阳电池以高纯单晶硅棒为原料,纯度要求。


为了降低生产成本,现在地面应用太阳电池等采用太阳能级单晶硅棒,材料性能指标有所放宽。


有也可使用半导体器件加工头尾料和废次单晶硅材料,经过复拉制成太阳电池专用单晶硅棒。


多晶硅太阳电池目前太阳电池使用多晶硅材料,多半是含有大量单晶颗粒集合体,或用废次单晶硅材料和冶金级硅材料熔化浇铸而成,然后注入石墨铸模中,待慢慢凝固冷却后,即得多晶硅锭。


这种硅锭可铸成立方体,以便切片加工成方形太阳电池片,可提高材料利用率和方便组装。


多晶硅太阳电池制作工艺与单晶硅太阳电池差不多,其光电转换效率约左右,稍低于单晶硅太阳电池,但其材料制造简便,节约电耗,总生产成本较低,因此得到大量发展。


单晶硅圆片按其直径分为英寸英寸英寸毫米及英寸毫米等。


直径越大圆片,所能刻制集成电路越多,芯片成本也就越低。


但大尺寸晶片对材料和技术要求也越高。


单晶硅按晶体生长方法不同,分为直拉法区熔法和外延法。


直拉法区熔法生长单晶硅棒材,外延法生长单晶硅薄膜。


直拉法生长单晶硅主要用于半导体集成电路二极管外延片衬底太阳能电池。


目前晶体直径可控制在英寸。


区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域,广泛用于大功率输变电电力机车整流变频机电化节能灯电视机等系列产品。


目前晶体直径可控制在英寸。


外延片主要用于集成电路领域。


由于成本和性能原因,直拉法单晶硅材料应用最广。


在工业中所用材料主要是抛光片和外延片。


存储器电路通常使用抛光片,因成本较低。


逻辑电路般使用价格较高外延片,因其在制造中有更好适用性并具有消除能力。


单晶硅制造技术,在保证半导体质量标准前提下,向来根据硅片直径大小评价其技术水平。


硅片直径越大,技术要求越高,越有市场前景,价值也就越高。


例如,年全球共消耗亿片,其中英寸以下硅片占,英寸占,英寸占,英寸占,人们预计到年,硅片消耗量可能比年上升,但是小直径硅片尤其是英寸以下硅征会逐步减少,预计英寸以下硅征可能占,英寸占,英寸占,英寸占,英寸占。


现在,硅片直径正从英寸迅速升级,英寸硅片技术正日益成熟。


预计到年,英寸硅片可以进入商业化生产阶段。


日本美国和德国是主要硅材料生产国。


中国硅材料戒严与日本同时进步,但总体而言,生产技术水平仍然相对较低,目前年产吨,仅占全球总产量,而且大部分为英寸硅锭和小直径硅片。


中国消耗大部分集成电路及其硅片仍然依赖进口。


但我国科技人员正迎头赶上,于年成功地制造出了英寸单晶硅,标志着我国单晶硅生产进入了新发展时期。


三产品运营条件及经济优点产品生产特点高电耗,其生产过程中电价占整个成本左右高投入,建家年产吨多晶硅工厂,大约需要亿美元高技术,国内外技术差别较大,目前国内生产技术还比较落后,如果依靠国外先进技术建本项目,能够降低成本,提高产品产量和质量。


经济优点高回报,因需要单晶硅多晶硅领域越来越宽广,全球对产品需求量也越来越大,因此该产品市场前景较好,高档多晶硅价格行情看涨。


二市场需求分析和预测市场需求初步预测和生产能力分析山东大学蒋民华院士作了题为电子材料光子材料和人工晶体发展,他从历史和现实情况出发,密切结合当前科学技术发展,提出了对新世纪人工晶体展望。


他首先引用了原国际晶体生长主席美国工程院院士博士年对新世纪人工晶体预言单晶肯定将继续从电子学研究和技术中起着中心作用。


事实证明,尽管经过科学技术飞速发展四分之个世纪,当前社会已全面进入了以计算机通信和光网络等以信息技术为代表信息时代,光子继电子以后也成了信息主要载体。


而电子光电子和光材料是信息功能材料主体。


斗导体单晶作为电子材料主体,随着集成电路尺寸缩小集成度进高及芯片面积增大,对硅单晶尺寸完整性及生长提出了更高要求,单晶仍然是今天电子材料主角。


众光电子材料和光子材料发展来看,用先进外延技术在单晶薄膜是化合物半导体光电子材料特点,单晶仍然是光电子材料和光子材料基础,而在信息技术中光子作为信息载体具有响应速度快信息容量大等特点,目前光子材料正在人工晶体等材料基础上发展,光伏电池技术结合今后依然是全球信息科技基本构架。


在电子材料光子材料光子材料之间没有清楚界面,随着微光子技术发展,光子材料也会逐步成熟起来,人工晶体在目前电子光子材料中仍然起着重要作用。


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